本公开实施例涉及半导体，尤其涉及一种半导体结构及其制备方法、半导体器件。
背景技术：
1、动态随机存取存储器(dynamic random access memory，dram)是一种广泛应用于手机、电脑、汽车等电子产品中的半导体存储器。随着科技的发展，集成电路器件的特征尺寸不断缩小，dram的关键尺寸也越来越小，制程工艺越来越复杂，成本也越来越高，这对产品电性要求非常严格。
2、因此，需要开发出简单稳定的制备工艺，以简化制造流程，节约成本，提高产品性能。
技术实现思路
1、根据本公开实施例的第一方面，提供一种半导体结构，包括：
2、衬底，所述衬底包括多个有源区；
3、位线结构，位于所述有源区上方，且与所述有源区接触；其中，所述位线结构包括位线和接触插塞，所述接触插塞位于所述有源区和所述位线之间且包括第一部分和第二部分，所述位线沿第一方向延伸，所述第一方向平行于所述衬底的表面；
4、第一隔离层，环绕所述第一部分；
5、空气间隙，至少位于所述第一部分沿第二方向相对的两侧且位于所述第一部分和所述第一隔离层之间，所述第二方向平行于所述衬底的表面且与所述第一方向相交；
6、第二隔离层，覆盖所述第一隔离层的顶部以及所述空气间隙的顶部、所述第二部分的侧壁以及所述位线的侧壁。
7、在一些实施例中，所述空气间隙环绕所述第一部分设置且位于所述第一部分和所述第一隔离层之间；其中，位于所述接触插塞沿所述第一方向相对两侧的所述空气间隙具有第一尺寸，位于所述接触插塞沿所述第二方向相对两侧的所述空气间隙具有第二尺寸，所述第二尺寸大于所述第一尺寸。
8、在一些实施例中，所述第一隔离层包括：
9、第一子隔离层，位于所述接触插塞沿所述第一方向相对的两侧；
10、第二子隔离层，位于所述接触插塞沿所述第二方向相对的两侧；其中，所述第二子隔离层的高度小于所述第一子隔离层的高度；
11、所述半导体结构还包括：
12、绝缘层，位于所述接触插塞和所述第一子隔离层之间。
13、在一些实施例中，所述绝缘层的高度小于或等于所述第一子隔离层的高度；所述绝缘层的高度大于所述第二子隔离层的高度。
14、在一些实施例中，所述空气间隙的底面与所述第一隔离层的底面平齐；
15、所述空气间隙的顶面与所述第二子隔离层的顶面平齐。
16、在一些实施例中，所述第一隔离层的厚度的范围为2纳米至7纳米；
17、所述绝缘层的厚度的范围为1纳米至5纳米。
18、在一些实施例中，所述位线结构还包括：
19、保护层，所述保护层覆盖所述位线远离所述衬底的表面，所述第二隔离层还覆盖所述保护层的侧壁和顶部。
20、根据本公开实施例的第二方面，提供一种半导体结构的制备方法，包括：
21、提供衬底，所述衬底包括多个有源区；
22、在所述有源区上方形成与所述有源区接触的位线结构；其中，所述位线结构包括位线和接触插塞，所述接触插塞位于所述有源区和所述位线之间且包括第一部分和第二部分，所述位线沿第一方向延伸，所述第一方向平行于所述衬底的表面；
23、形成环绕所述第一部分的第一隔离层；
24、形成空气间隙；其中，所述空气间隙至少位于所述第一部分沿第二方向相对的两侧且位于所述第一部分和所述第一隔离层之间，所述第二方向平行于所述衬底的表面且与所述第一方向相交；
25、形成覆盖所述第一隔离层的顶部以及所述空气间隙的顶部、所述第二部分的侧壁以及所述位线的侧壁的第二隔离层。
26、在一些实施例中，在形成所述位线结构之前，所述制备方法还包括：
27、刻蚀所述衬底，形成多个接触孔，所述接触孔暴露所述有源区；
28、形成覆盖所述接触孔侧壁的第一隔离材料层；
29、形成覆盖所述第一隔离材料层的绝缘材料层；
30、所述形成与所述有源区接触的位线结构，包括：
31、在形成有所述绝缘材料层的所述接触孔中形成所述接触插塞；
32、形成覆盖所述第一隔离材料层和所述接触插塞的位线材料层；
33、根据掩膜图案刻蚀所述位线材料层，在所述接触插塞上形成所述位线。
34、在一些实施例中，所述形成覆盖所述接触孔侧壁的第一隔离材料层，包括：
35、形成覆盖所述接触孔侧壁和底部的所述第一隔离材料层；
36、利用刻蚀气体去除覆盖所述接触孔底部的所述第一隔离材料层，保留覆盖所述接触孔侧壁的所述第一隔离材料层。
37、在一些实施例中，所述刻蚀气体包括：碳氟气体。
38、在一些实施例中，所述形成环绕所述第一部分的第一隔离层，包括：
39、根据所述掩膜图案刻蚀去除部分所述第一隔离材料层，剩余的所述第一隔离材料层构成所述第一隔离层，所述第一隔离层环绕所述第一部分。
40、在一些实施例中，所述制备方法还包括：
41、去除所述绝缘材料层，并在所述第一隔离层和所述第一部分之间形成环形接触孔；
42、所述形成空气间隙，包括：在形成所述第二隔离层时，形成封闭所述环形接触孔的所述空气间隙。
43、在一些实施例中，所述制备方法还包括：
44、去除所述接触插塞沿所述第二方向相对的两侧的所述绝缘材料层，并在所述第一隔离层和所述接触插塞之间形成子接触孔；其中，位于所述接触插塞沿所述第一方向相对的两侧的绝缘材料层构成绝缘层；
45、所述形成空气间隙，包括：在形成所述第二隔离层时，形成封闭所述子接触孔的所述空气间隙。
46、根据本公开实施例的第三方面，提供一种半导体器件，包括：
47、如上述任一实施例中所述的半导体结构。
48、在一些实施例中，所述半导体器件包括：动态随机存取存储器。
49、本公开实施例中，通过设置环绕接触插塞的第一部分的第一隔离层以及设置空气间隙，并且空气间隙至少位于第一部分沿第二方向相对的两侧且位于第一部分和第一隔离层之间，可减小半导体结构中发生漏电的概率，保证半导体结构的电性能较好。
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述空气间隙环绕所述第一部分设置且位于所述第一部分和所述第一隔离层之间；其中，位于所述接触插塞沿所述第一方向相对两侧的所述空气间隙具有第一尺寸，位于所述接触插塞沿所述第二方向相对两侧的所述空气间隙具有第二尺寸，所述第二尺寸大于所述第一尺寸。
3.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一隔离层包括：
4.根据权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，
5.根据权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，
6.根据权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，
7.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述位线结构还包括：
8.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括：
9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，在形成所述位线结构之前，所述制备方法还包括：
10.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于，所述形成覆盖所述接触孔侧壁的第一隔离材料层，包括：
11.根据权利要求10所述的制备方法，其特征在于，所述刻蚀气体包括：碳氟气体。
12.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于，所述形成环绕所述第一部分的第一隔离层，包括：
13.根据权利要求12所述的制备方法，其特征在于，所述制备方法还包括：
14.根据权利要求12所述的制备方法，其特征在于，所述制备方法还包括：
15.一种半导体器件，其特征在于，包括：如权利要求1至7任一项所述的半导体结构。
16.根据权利要求15所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件包括：动态随机存取存储器。
