本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种胶带的处理方法。
背景技术：
1、在半导体加工工艺中，胶带常用于半导体粘接等。胶带的抗静电性能十分重要，这是由于半导体在加工中常常附有电荷，而电荷的瞬间释放往往会对电子元器件造成损害。所以必须对胶带加工以使其具有静电放电保护。传统的方法是在胶带内部加入抗静电放电导线，或者铺上导电层。然而，胶带本身越来越薄，将使得导线和导电层的铺设越显困难。因此，由必要提供一种改进的胶带的处理方法以解决上述问题。
技术实现思路
1、本发明的目的在于提供一种改进的胶带的处理方法，经处理后的胶带表面形成高阻抗的薄膜层，从而具有良好的防静电放电功能。
2、为实现上述目的，本发明胶带的处理方法，包括以下步骤：
3、胶带置于真空腔内并在真空腔内形成预定负压；
4、在所述胶带的表面上蒸镀形成硅镀层；
5、在所述硅镀层上沉积dlc层；以及
6、在所述dlc层上沉积金属层。
7、与现有技术相比，本发明在真空腔室内采用蒸镀工艺在胶带的表面依次形成硅镀层、dlc层以及金属层，特定地，硅镀层作为底层，在其上形成具有硬度的dlc层，最后形成金属层，这样的薄膜层体结构使得胶带表面阻抗高达103至1010ω/sq，具有静电耗散性，使得胶带的防静电放电功能十分优异，从而在使用时避免静电放电而对半导体造成损坏。
8、较佳地，还包括向所述真空腔内通入碳氢气体，使所述真空腔的气压在3.5×10-4-4.0×10-4pa。
9、较佳地，所述碳氢气体选自以下一种或多种：ch4、c2h2、c6h6和c4h10。
10、较佳地，蒸镀形成所述硅镀层具体包括：向所述胶带施加100khz-120khz的频率，-90至-100v电压，采用氩气轰击纯硅靶形成所述硅镀层。
11、较佳地，所述硅镀层的形成时间为15-20分钟。
12、更佳地，所述硅镀层的厚度为1-30纳米。
13、较佳地，沉积所述dlc层具体包括：采用纯炭碳靶，控制电源为1500v-2000v，电流为0.2a-0.5a，沉积时间为30-40分钟。
14、更佳地，所述dlc层的厚度为1-50纳米。
15、较佳地，所述金属层为铝(al)、镍(ni)、铜(cu)。
16、更佳地，所述金属层的厚度为1-20纳米。
1.一种胶带的处理方法，包括：
2.如权利要求1所述的处理方法，其特征在于：还包括向所述真空腔内通入碳氢气体，使所述真空腔的气压在3.5×10-4-4.0×10-4pa。
3.如权利要求2所述的处理方法，其特征在于：所述碳氢气体选自以下一种或多种：ch4、c2h2、c6h6和c4h10。
4.如权利要求1所述的处理方法，其特征在于，蒸镀形成所述硅镀层具体包括：向所述胶带施加100khz-120khz的频率，-90至-100v电压，采用氩气轰击纯硅靶形成所述硅镀层。
5.如权利要求4所述的处理方法，其特征在于：所述硅镀层的形成时间为15-20分钟。
6.如权利要求4所述的处理方法，其特征在于：所述硅镀层的厚度为1-30纳米。
7.如权利要求1所述的处理方法，其特征在于，沉积所述dlc层具体包括：采用纯炭碳靶，控制电源为1500v-2000v，电流为0.2a-0.5a，沉积时间为30-40分钟。
8.如权利要求1所述的处理方法，其特征在于：所述dlc层的厚度为1-50纳米。
9.如权利要求1所述的处理方法，其特征在于：所述金属层为铝(al)、镍(ni)、铜(cu)。
10.如权利要求9所述的处理方法，其特征在于：所述金属层的厚度为1-20纳米。
