本技术涉及碳化硅单晶生长炉，尤其涉及一种用于碳化硅单晶生长炉的腔体。
背景技术：
1、碳化硅(silicon carbide，sic)单晶生长炉是用于制备sic单晶材料的关键设备之一，它通常包括一个炉腔体，用于在高温下控制sic单晶的生长过程。炉腔体通常由高纯度碳化硅或其他高温材料制成，以确保在高温下具有良好的化学稳定性和耐热性。碳化硅单晶生长炉腔体用于在控制条件下制备高质量的sic单晶材料，这些材料在半导体和光电子等领域具有重要的应用。炉腔体的设计和性能对于sic单晶的生长过程至关重要，因此需要高度精确和可控的工程设计和制造。
2、现有的碳化硅单晶生长炉的腔体结构复杂，需要精确的工程设计和维护，以确保在高温条件下能够稳定运行，这增加了操作和维护的难度和成本，影响了碳化硅单晶生长的效率。
技术实现思路
1、本实用新型在于提出一种用于碳化硅单晶生长炉的腔体，结构简单便于安装。
2、为达此目的，本实用新型采用以下技术方案：
3、一种用于碳化硅单晶生长炉的腔体，包括炉体，所述炉体的两端设置有顶盖以及底盖，所述顶盖以及所述底盖密封覆盖在所述炉体的两端上；所述顶盖设置有第一密封层以及第一结构层，所述第一密封层位于所述第一结构层的底部，所述底盖设置有第二密封层以及第二结构层，所述第二密封层位于所述第二结构层的顶部，所述第一结构层以及所述第二结构层上分别开设有排气孔以及进水孔，所述排气孔以及所述进水孔分别与所述炉体的内部连通。
4、本实用新型优选地技术方案在于，所述炉体设置有内层以及外层，所述外层包覆在所述内层的外侧上，所述内层以及外层皆为石英材质。
5、本实用新型优选地技术方案在于，所述外层的长度短于所述内层的长度。
6、本实用新型优选地技术方案在于，所述第一结构层设置有第一上盖以及第一下盖，所述第一上盖位于所述第一下盖的上方，所述第一上盖覆盖在所述内层上，所述第一下盖覆盖在所述外层的上方，所述第一密封层位于所述第一下盖的下方。
7、本实用新型优选地技术方案在于，所述第二结构层设置有第二上盖以及第二下盖，所述第二上盖位于所述第二下盖的上方，所述第二上盖覆盖在所述内层上，所述第二下盖覆盖在所述外层的上方，所述第二密封层位于所述第二上盖的上方。
8、本实用新型优选地技术方案在于，所述第一上盖以及所述第二上盖上分别开设有安装孔，用于安装所述第一上盖、所述第一下盖以及所述第一密封层位于所述炉体的一端，以及用于安装所述第二上盖、所述第二下盖以及所述第二密封层位于所述炉体的另一端。
9、本实用新型优选地技术方案在于，所述排气孔设置在第一上盖以及所述第二上盖上，所述进水孔设置在所述第一下盖以及所述第二下盖上。
10、本实用新型优选地技术方案在于，所述第一上盖以及所述第二上盖分别设置有上台阶部以及下台阶部，所述上台阶部的直径小于所述下台阶部的直径，所述下台阶部分别与所述第一下盖以及所述第二下盖接触，所述上台阶部位于所述内层的顶部，所述下台阶部位于所述内层的外侧。
11、本实用新型的有益效果为：
12、本实用新型在于提出一种用于碳化硅单晶生长炉的腔体，包括炉体，在炉体的开口两端设置有顶盖以及底盖，通过顶盖以及底盖内分别设置有第一结构层、第一密封层、第二结构层以及第二密封层进行互相配合安装，使得炉体整体的密封好的同时，增加碳化硅单晶炉反应的效果。
1.一种用于碳化硅单晶生长炉的腔体，其特征在于：
2.根据权利要求1所述的用于碳化硅单晶生长炉的腔体，其特征在于：
3.根据权利要求2所述的用于碳化硅单晶生长炉的腔体，其特征在于：
4.根据权利要求3所述的用于碳化硅单晶生长炉的腔体，其特征在于：
5.根据权利要求4所述的用于碳化硅单晶生长炉的腔体，其特征在于：
6.根据权利要求5所述的用于碳化硅单晶生长炉的腔体，其特征在于：
7.根据权利要求5所述的用于碳化硅单晶生长炉的腔体，其特征在于：
8.根据权利要求5所述的用于碳化硅单晶生长炉的腔体，其特征在于：
