发光器件、包括其的显示装置及其制造方法与流程

专利检索2025-05-06  21


本公开涉及一种发光器件,更具体地,涉及一种包括能够防止发光器件损坏的结构的发光器件、包括该发光器件的显示装置以及该显示装置的制造方法。


背景技术:

1、显示装置已经被应用于诸如电视机、手机、笔记本电脑和平板电脑的各种电子设备。在显示装置中,发光显示装置中内置有发光元件或光源,并使用从内置的发光元件或光源产生的光来显示信息。包括自发光元件的显示装置可以被实现为比具有内置光源的显示装置更薄,并且可以被实现为可以折叠、弯曲或翻转的柔性显示装置。

2、例如,具有自发光元件的显示装置可以包括:包括由有机材料制成的发光层的有机发光显示装置(oled),或者包括由无机材料制成的发光层的微型led显示装置(微型发光二极管显示装置)。就此而言,有机发光显示装置不需要单独的光源。然而,由于有机材料的材料特性易受水分和氧气的影响,从而在有机发光显示装置中可能容易通过外部环境产生有缺陷的像素。

3、相反,微型led显示装置包括由耐水分和氧气的无机材料制成的发光层,从而可以不受外部环境的影响,因此与有机发光显示装置相比可以提供良好的可靠性和长寿命。

4、此外,微型led显示装置可以对抗外部环境有抵抗力,因而可以不需要诸如密封材料的保护结构,并且可以使用各种类型的材料作为该装置的基板的材料。因此,微型led显示装置可以被制造为比有机发光显示装置更薄并且可以更有利于实现为柔性显示装置。

5、此外,多个微型led可以彼此连接以实现大面积的显示装置。因此,微型led显示装置作为下一代显示装置而备受瞩目。

6、因此,正在进行研究以在增加微型led显示装置的发光效率的同时改善微型led显示装置的特性。


技术实现思路

1、因此,本公开涉及一种基本上消除了由于上述限制和缺点而导致的一个或多个问题的发光器件、包括该发光器件的显示装置以及该显示装置的制造方法。

2、更具体地,本公开提供一种发光器件,其能够防止由于在激光剥离工序中产生的裂纹缺陷等而导致的发光器件芯片的特性劣化。

3、本公开还减小氮化物半导体结构与生长基板之间的接触面积,以提供相对厚的钝化图案,从而保护氮化物半导体结构的侧表面,因而补偿外部量子效率的降低。

4、此外,本公开减小氮化物半导体结构与生长基板之间的接触面积,以减小相邻的发光器件芯片之间的空间裕度,从而增加发光器件芯片的密度,因而提高产量并优化工艺。

5、此外,本公开提供一种显示装置和该显示装置的制造方法,其中,在将多个发光器件芯片接合到封装基板的过程中,在将氮化物半导体结构的底部突起插入到封装基板的保持区域的同时,将多个发光器件芯片中的每一个固定到封装基板,因而防止了多个发光器件芯片的未对准。

6、本公开不限于上述特征。未提及的根据本公开的其他特征和优点可以基于以下描述来理解,并且可以基于根据本公开的方面来更清楚地理解。另外,将容易理解的是,可以使用权利要求中所示的手段或其组合来实现根据本公开的目的和优点。

7、在本公开的方面中,一种发光器件包括:氮化物半导体结构,包括依次设置的第一半导体层、有源层和第二半导体层;以及钝化图案,设置在氮化物半导体结构的外表面上,其中,第一半导体层包括突起,突起在远离有源层的方向上突出。

8、在本公开的另一方面中,一种显示装置包括:封装基板,在封装基板中设置有多个电路元件,其中,封装基板包括保持区域;以及发光器件,其中,发光器件包括:氮化物半导体结构,包括依次设置的第一半导体层、有源层和第二半导体层;以及钝化图案,设置在氮化物半导体结构的外表面上,其中,第一半导体层包括突起,突起在远离有源层的方向上突出,其中,突起设置在保持区域中。

9、在本公开的又一方面中,显示装置包括:封装基板,在封装基板中设置有多个电路元件;以及发光器件,其中,发光器件包括:氮化物半导体结构,包括依次设置的第一半导体层、有源层和第二半导体层;以及钝化图案,设置在氮化物半导体结构的外表面上,其中,发光器件和封装基板通过导电粘合剂材料彼此结合。

10、在本公开的再一方面中,一种显示装置的制造方法包括:提供发光器件的步骤,其中,发光器件包括氮化物半导体结构,以及设置在氮化物半导体结构的外表面上的钝化图案,其中,氮化物半导体结构包括依次设置的第一半导体层、有源层和第二半导体层,其中,第一半导体层包括下部和宽度大于下部的宽度的上部;提供封装基板的步骤,封装基板中限定有与发光器件对准的保持区域,其中,用于驱动发光器件的多个电路元件设置在封装基板中;将第一半导体层的下部放置到保持区域中的步骤;以及将封装基板和发光器件彼此接合的步骤。

11、在本公开的另一方面中,一种发光器件包括:依次设置的第一半导体层、有源层和第二半导体层;以及钝化图案,设置在第一半导体层、有源层以及第二半导体层的外表面上,其中,第一半导体层包括:第一部分,具有第一宽度;以及第二部分,设置为与第一部分相比更靠近所述有源层,并且所述第二部分具有大于第一宽度的第二宽度。

12、根据本公开的各方面,掩模图案可以设置在生长基板与氮化物半导体结构之间,使得生长基板与氮化物半导体结构之间的接触面积可以减小。因此,具有减少在激光剥离工序中在生长基板与氮化物半导体结构之间发生的裂纹缺陷的效果。

13、此外,随着生长基板与氮化物半导体结构之间的接触面积减小,在激光剥离工序中氮化物半导体结构与激光接触的接触面积减小。因此,相邻的发光器件芯片之间的空间裕度可以减小,从而增加发光器件芯片的密度并提高产量。

14、此外,由于保护氮化物半导体结构的外表面的钝化图案与生长基板间隔开,从而可以减少在激光剥离工序中来自钝化图案的异物缺陷。

15、此外,由于钝化图案与生长基板间隔开,从而可以确保足够厚度的钝化图案。因此,钝化图案的厚度可以足以防止在干蚀刻工序中在氮化物半导体结构的侧表面上可能发生的损坏,从而补偿外部量子效率(eqe)的降低。

16、此外,光散射图案设置在氮化物半导体结构的第一半导体层的下部的侧表面上以诱导光散射。因此,具有提高光提取效率从而提高发光器件芯片的性能的效果。因此,需要相对较小的电流来驱动发光器件芯片,从而节约功耗。

17、此外,氮化物半导体结构的第一半导体的下部具有突出形状。因此,在将发光器件接合到封装基板期间,发光器件可以被固定地插入到开口区域(保持区域)。因此,多个发光器件芯片可以容易地分别与封装基板上的目标位置对准,因此可以防止发光器件的未对准。因此,可以减少将多个发光器件芯片与封装基板上的目标位置对准所需的时间,从而简化显示装置的制造工艺。

18、本公开的效果不限于上述提到的效果,并且本领域技术人员将从下面的描述中清楚地理解未提及的其他效果。



技术特征:

1.一种发光器件,包括:

2.根据权利要求1所述的发光器件,其中,所述突起包含与所述第一半导体层相同的材料并且与所述第一半导体层一体形成。

3.根据权利要求1所述的发光器件,其中,所述第一半导体层包括:

4.根据权利要求1所述的发光器件,其中,所述钝化图案暴露所述第一半导体层的所述突起的外侧面,并且覆盖所述氮化物半导体结构的所述外表面。

5.根据权利要求1所述的发光器件,还包括设置在所述突起的外侧面上的光散射图案。

6.根据权利要求1所述的发光器件,其中,在所述发光器件的剖视图中,所述氮化物半导体结构具有t形。

7.根据权利要求1所述的发光器件,其中,所述氮化物半导体结构的所述有源层设置在所述第一半导体层的顶表面的一侧,

8.根据权利要求3所述的发光器件,其中,所述氮化物半导体结构的所述有源层和所述第二半导体层中的每一个的侧表面与所述第一半导体层的所述上部的侧表面对齐。

9.根据权利要求1所述的发光器件,其中,所述钝化图案包括暴露所述第一半导体层的一部分的第一开口区域和暴露所述第二半导体层的一部分的第二开口区域,

10.一种显示装置,包括:


技术总结
一种显示装置包括:封装基板,其中设置有多个电路元件,其中,封装基板包括保持区域;以及发光器件,其中,发光器件包括:氮化物半导体结构,包括依次设置的第一半导体层、有源层和第二半导体层;以及钝化图案,设置在氮化物半导体结构的外表面上,其中,第一半导体层包括突起,突起在远离有源层的方向上突出,其中,突起设置在保持区域中。

技术研发人员:权效院,金一洙
受保护的技术使用者:乐金显示有限公司
技术研发日:
技术公布日:2024/5/29
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