本发明涉及半导体存储，尤其是涉及一种电阻式存储器和电阻式存储器的制造方法。
背景技术：
1、电阻式存储器(resi stive random access memory，rram or reram)由底电极和顶电极夹一个转换层构成。为了得到更好的电阻式存储器的性能，优化导电性和散热性能，减小导电导丝生成位置的随机性，底电极与转换层之间必须有良好的接触。通过设置钨层作为底电极和转换层的连接层，这样可以充分利用钨层的特性，减小接触电阻，减小对电阻式存储器的热损伤。
2、在相关技术中，在制造电阻式存储器时，多采用两种方式设置钨层，一种是在底电极上面沉积完钨层之后，直接沉积转换层，另一种是沉积完钨层之后，先对钨层进行化学机械平坦化，然后再沉积转换层。这两种方式过程中都极易发生钨层的氧化，从而导致钨层与转换层之间接触电阻较大，导致电阻式存储器的性能依然不佳。因此，需要对钨层与转换层的接触界面进行优化。
技术实现思路
1、本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本发明的一个目的在于提出一种电阻式存储器，该电阻式存储器的性能更优。
2、本发明进一步地提出了一种电阻式存储器的制造方法。
3、根据本发明实施例的电阻式存储器，包括：第一电极部；转换层，所述转换层设置于所述第一电极部的一侧且与所述第一电极部相接触；第二电极部，所述第二电极部设置于所述转换层背离所述第一电极部的一侧，所述第二电极部朝向所述转换层的一侧设置有第一导电层和阻挡颗粒，所述第一导电层上设置有多个横向间隔设置的凸起，所述阻挡颗粒设置于相邻两个所述凸起之间，所述阻挡颗粒相对所述凸起朝向所述转换层凸出设置，所述凸起和所述阻挡颗粒均与所述转换层相接触。
4、由此，通过在第二电极部朝向转换层的一侧同时设置凸起和阻挡颗粒，凸起和阻挡颗粒均与转换层相接触，这样可以对第二电极部和转换层之间的界面进行改善，进一步地优化电阻式存储器的导电性能、散热性能和稳定性能，降低导电导丝生成位置的随机性，从而提升电阻式存储器的工作性能。
5、在本发明的一些示例中，所述转换层与所述凸起相接触且形成第一接触部，所述第一接触部具有粗糙度，所述转换层与所述阻挡颗粒相接触且形成第二接触部，所述第二接触部具有粗糙度。
6、在本发明的一些示例中，所述第一导电层包括电极主体和所述凸起，所述电极主体包括第一主体和第二主体，所述第一主体上设置有多个所述凸起，所述第二电极部还包括阻挡层，所述阻挡层设置于所述第二主体上且与所述转换层相接触。
7、在本发明的一些示例中，所述阻挡颗粒邻近所述转换层的一端与所述阻挡层朝向所述转换层的一侧相平齐。
8、在本发明的一些示例中，所述阻挡颗粒和所述阻挡层的材料相同，所述阻挡颗粒和所述阻挡层的材料均包括氮化钨、氮化钛、氮化钽和氮化硅中的至少一种。
9、在本发明的一些示例中，所述第一导电层朝向所述转换层一侧表面的粗糙度均方根为rq，rq满足关系式：rq＝[5a,30a]。
10、在本发明的一些示例中，所述第一导电层的材料包括钨、钛、硅、铝、钽、氮化钽、氮化钨和氮化钛中的至少一种。
11、根据本发明实施例的电阻式存储器的制造方法，适用于以上所述的电阻式存储器，所述电阻式存储器的制造方法包括以下步骤：在第二导电层的一侧沉积所述第一导电层，其中，所述第二电极部包括所述第二导电层，所述第一导电层上设置有多个凸起；在所述第一导电层背离所述第二导电层的一侧沉积所述阻挡层；研磨抛光所述阻挡层至相邻两个所述凸起之间形成阻挡颗粒，其中，所述阻挡颗粒相对所述凸起朝向所述转换层凸出设置；在所述凸起和所述阻挡颗粒背离所述第一导电层的一侧沉积所述转换层。
12、在本发明的一些示例中，所述研磨抛光所述阻挡层至相邻两个所述凸起之间形成阻挡颗粒的步骤还包括：研磨抛光所述凸起的至少部分，其中，对所述阻挡层研磨抛光的研磨选择比与对所述凸起研磨抛光的研磨选择比不同。
13、在本发明的一些示例中，所述在所述第一导电层背离所述第二导电层的一侧沉积所述阻挡层的步骤还包括：在所述第一导电层背离所述第二导电层的一侧沉积三层致密度不同的子阻挡层，以形成所述阻挡层。
14、在本发明的一些示例中，所述在第二导电层的一侧沉积所述第一导电层的步骤还包括：在所述第二导电层的一侧通过物理气相沉积所述第一导电层。
15、在本发明的一些示例中，所述在第二导电层的一侧沉积所述第一导电层的步骤之前还包括：对所述第二导电层的一侧进行研磨抛光。
16、本发明的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本发明的实践了解到。
1.一种电阻式存储器，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的电阻式存储器，其特征在于，所述转换层(20)与所述凸起(312)相接触且形成第一接触部(50)，所述第一接触部(50)具有粗糙度，所述转换层(20)与所述阻挡颗粒(322)相接触且形成第二接触部(60)，所述第二接触部(60)具有粗糙度。
3.根据权利要求1所述的电阻式存储器，其特征在于，所述第一导电层(31)包括电极主体(311)和所述凸起(312)，所述电极主体(311)包括第一主体(3111)和第二主体(3112)，所述第一主体(3111)上设置有多个所述凸起(312)，所述第二电极部(30)还包括阻挡层(32)，所述阻挡层(32)设置于所述第二主体(3112)上且与所述转换层(20)相接触。
4.根据权利要求3所述的电阻式存储器，其特征在于，所述阻挡颗粒(322)邻近所述转换层(20)的一端与所述阻挡层(32)朝向所述转换层(20)的一侧相平齐。
5.根据权利要求3所述的电阻式存储器，其特征在于，所述阻挡颗粒(322)和所述阻挡层(32)的材料相同，所述阻挡颗粒(322)和所述阻挡层(32)的材料均包括氮化钨、氮化钛、氮化钽和氮化硅中的至少一种。
6.根据权利要求1所述的电阻式存储器，其特征在于，所述第一导电层(31)朝向所述转换层(20)一侧表面的粗糙度均方根为rq，rq满足关系式：rq＝[5a,30a]。
7.根据权利要求1所述的电阻式存储器，其特征在于，所述第一导电层(31)的材料包括钨、钛、硅、铝、钽、氮化钽、氮化钨和氮化钛中的至少一种。
8.一种电阻式存储器的制造方法，适用于权利要求1-7中任一项所述的电阻式存储器，其特征在于，包括以下步骤：
9.根据权利要求8所述的电阻式存储器的制造方法，其特征在于，所述研磨抛光所述阻挡层(32)至相邻两个所述凸起(312)之间形成阻挡颗粒(322)的步骤还包括：
10.根据权利要求8所述的电阻式存储器的制造方法，其特征在于，所述在所述第一导电层(31)背离所述第二导电层(33)的一侧沉积所述阻挡层(32)的步骤还包括：
11.根据权利要求8所述的电阻式存储器的制造方法，其特征在于，所述在第二导电层(33)的一侧沉积所述第一导电层(31)的步骤还包括：
12.根据权利要求8所述的电阻式存储器的制造方法，其特征在于，所述在第二导电层(33)的一侧沉积所述第一导电层(31)的步骤之前还包括：
