本发明涉及一种镀膜工艺，更具体的说，它涉及一种高平整度端子接口真空溅射镀膜工艺。
背景技术：
1、随着工业的迅速发展，pvd工艺在不锈钢上面的应用越来越广泛，特别是在3c行业。针对一般产品来讲，正常的镀膜工艺就可以满足他的需求，而对于高平整度的端子结口而严，材料薄，而且加工精度高。用常规工艺在产品的附着上就会存在一定的困难，在解决这个困难的同时还要保持产品的平整度要求，性能要求就更难。
2、因此需要提出一种新的方案来解决这个问题。
技术实现思路
1、为解决上述技术问题，本发明提供了一种高平整度端子接口真空溅射镀膜工艺。
2、本发明的技术方案是：
3、一种高平整度端子接口真空溅射镀膜工艺，包括，步骤一，利用检测设备将素材检验，将检验合格的素材表面进行剖光清洗，清洗完成后烘干，完成待镀膜产品的预处理；
4、步骤二，将产品放入到真空镀膜机内进行镀膜，运行真空镀膜机，将靶材设置为ti，在产品表面溅射若干ti层形成底层；
5、步骤三，将靶材设置为cr，在底层表面溅射形成铬层，再利用cr靶材，加入适当反应气体，经过不同时间的溅射，在铬层表面溅射若干金属层，完成产品的镀膜；
6、步骤四，镀膜完成后移除真空镀膜机进行下挂检测，检测完成后进行出货。
7、本发明进一步设置为，所述步骤一中的抛光处理时，先采用机械抛光，再采用电抛光。
8、本发明进一步设置为，所述步骤二中，真空镀膜机内的加热温度设定范围为150-250℃，真空要求设置在1.0*10(-2)pa，其真空镀膜机的转架转速范围设置为5-15hz。
9、本发明进一步设置为，所述步骤二中，在进行底层主轰击时，t i层的数量至少为两层，轰击时间范围均为2-5min，且轰击时的氩气流量范围为100-400l/min的，若干次轰击的压力范围均为1*10-1-6.5*10-1pa。
10、本发明进一步设置为，所述底层轰击偏压电源的占空比范围均为20-80％，偏压电源的负电压范围均为100-300v。
11、本发明进一步设置为，所述步骤三中铬层的轰击时间为5min，其氩气流量范围为100-300l/min，轰击时的偏压电源的占空比范围为30％，负电压为200v，轰击时采用若干溅射靶，其溅射靶的靶电流范围为10a-30a。
12、本发明进一步设置为，所述步骤三中，在铬层表面继续轰击时靶材中加入w，形成铬钨层，铬钨层的数量为九层，其中第一层轰击的时间为5min，第二层至第七层轰击的时间均为20min，第八层轰击的时间为30min，第九层轰击的时间为5min，九层轰击的的压力范围均为1*10-1-6.5*10-1pa，且九层的氩气流量范围均为100-300l/min。
13、本发明进一步设置为，第一层轰击偏压电源的占空比范围为30％，其偏压电源的负电压为100v，第二层至第九层轰击的偏压电源的占空比范围均为50％，其偏压电源的负电压均为100v。
14、本发明进一步设置为，所述步骤三中九层铬钨层在轰击时均采用4个溅射靶，第一层轰击时的第一个、第三个以及第四个溅射靶的靶电流为20a，第二个溅射靶的靶电流为10a，在第二层至第九层轰击时的4个溅射靶的靶电流均为20a。
15、本发明的有益技术效果是：
16、利用耐磨工艺中不同温度的调整，以及镀膜时间的调整，将产品的膜厚控制在一定的范围内，从而保证产品表面的平整度，保证产品质量。
1.一种高平整度端子接口真空溅射镀膜工艺，其特征在于：包括，步骤一，利用检测设备将素材检验，将检验合格的素材表面进行剖光清洗，清洗完成后烘干，完成待镀膜产品的预处理；
2.根据权利要求1所述的高平整度端子接口真空溅射镀膜工艺，其特征在于：所述步骤一中的抛光处理时，先采用机械抛光，再采用电抛光。
3.根据权利要求1所述的高平整度端子接口真空溅射镀膜工艺，其特征在于：所述步骤二中，真空镀膜机内的加热温度设定范围为150-250℃，真空要求设置在1.0*10(-2)pa，其真空镀膜机的转架转速范围设置为5-15hz。
4.根据权利要求1所述的高平整度端子接口真空溅射镀膜工艺，其特征在于：所述步骤二中，在进行底层主轰击时，ti层的数量至少为两层，轰击时间范围均为2-5min，且轰击时的氩气流量范围为100-400l/min的，若干次轰击的压力范围均为1*10-1-6.5*10-1pa。
5.根据权利要求4所述的高平整度端子接口真空溅射镀膜工艺，其特征在于：所述底层轰击偏压电源的占空比范围均为20-80％，偏压电源的负电压范围均为100-300v。
6.根据权利要求1所述的高平整度端子接口真空溅射镀膜工艺，其特征在于：所述步骤三中铬层的轰击时间为5min，其氩气流量范围为100-300l/min，轰击时的偏压电源的占空比范围为30％，负电压为200v，轰击时采用若干溅射靶，其溅射靶的靶电流范围为10a-30a。
7.根据权利要求1所述的高平整度端子接口真空溅射镀膜工艺，其特征在于：所述步骤三中，在铬层表面继续轰击时靶材中加入w，形成铬钨层，铬钨层的数量为九层，其中第一层轰击的时间为5min，第二层至第七层轰击的时间均为20min，第八层轰击的时间为30min，第九层轰击的时间为5min，九层轰击的的压力范围均为1*10-1-6.5*10-1pa，且九层的氩气流量范围均为100-300l/min。
8.根据权利要求7所述的高平整度端子接口真空溅射镀膜工艺，其特征在于：第一层轰击偏压电源的占空比范围为30％，其偏压电源的负电压为100v，第二层至第九层轰击的偏压电源的占空比范围均为50％，其偏压电源的负电压均为100v。
9.根据权利要求8所述的高平整度端子接口真空溅射镀膜工艺，其特征在于：所述步骤三中九层铬钨层在轰击时均采用4个溅射靶，第一层轰击时的第一个、第三个以及第四个溅射靶的靶电流为20a，第二个溅射靶的靶电流为10a，在第二层至第九层轰击时的4个溅射靶的靶电流均为20a。
