本发明属于硅基oled显示，特别涉及一种全彩硅基oled显示结构及其制备方法。
背景技术：
1、硅基oled微显示器具有高分辨率、高色域、低功耗、体积小、响应快等诸多优势，广泛应用于vr/ar等商业娱乐显示和智能头显/枪瞄/夜视仪等军用市场。
2、关于硅基oled实现全彩显示技术方法，目前主要有oled rgb有机发光和有机发白光加cf彩膜过滤的方式。采用有机发白光加cf彩膜过滤方式，由于制备工艺难度相对较低，是目前硅基oled全彩显示产品主要的量产方式，但采用cf彩膜过滤实现全彩的方式存在许多弊端：
3、1.亮度低。由于彩膜层穿透率低，有机白光经过彩膜过滤后有高达60％的光损失。
4、2.色域较低。色域与彩膜过滤层材料性质和工艺膜厚设计相关，整体色域相对于rgb有机发光方式较低。
5、3.工艺流程复杂和成本较高。相对rgb像素有机发光，彩膜过滤方法需要增加r/g/b色阻过滤层和平坦层，增加工艺程序和材料成本。
6、4.像素分辨率不足。随着对高分辨率的不断追求，对像素尺寸追求越来越小，而目前彩膜光阻材料不具备高解析能力。
7、对于oled rgb有机发光彩色化方式，目前主要采用fmm掩膜rgb依次蒸镀成膜，但由于对蒸镀设备和fmm掩膜板要求非常高，加之硅基oled像素非常小，很难实现量产。需求开发一种rgb有机发光oled结构和工艺制备方法，满足对更高分辨率、更高色域和更高亮度的微型显示器追求。
技术实现思路
1、有鉴于此，本发明提供了一种全彩硅基oled显示结构，包括从下向上依次设置的硅基驱动基板、像素阳极、rgb有机发光膜层、阴极层、封装密封层和玻璃盖片，其中，在封装密封层前设置有机剥离层，该有机剥离层阻水和气体，在制备rgb有机发光膜层后，将有机剥离层进行脱落剥离。
2、优选地，所述有机剥离层通过加热升温或激光方式进行脱落剥离。
3、基于上述目的，本发明还提供了一种全彩硅基oled显示结构制备方法，为制备述的一种全彩硅基oled显示结构，包括以下步骤：
4、s1，在硅片上制备oled显示驱动电路，形成硅基驱动基板，用于驱动微显示屏；
5、s2，在硅基驱动基板上制备金属阳极，并通过光刻工艺进行像素矩阵化，形成像素阳极；
6、s3，在像素阳极上涂覆有机剥离层；
7、s4，在有机剥离层上涂覆光刻胶；
8、s5，对光刻胶进行曝光和显影，采用有机膜层r或g或b光罩曝光显影像素矩阵化；
9、s6，对有机剥离层进行干刻，未被光阻保护的区域被刻蚀掉；
10、s7，进行有机膜层和阴极蒸镀，选择蒸镀其中一种r或g或b发光有机材料；
11、s8，将有机剥离层剥离，采用加温或激光方式进行剥离，并结合旋转离心力辅助作用力下分离；
12、s9，重复s3-s8，制备剩余的r或g或b有机发光膜层；
13、s10，在做完rgb有机发光膜层后，进行整面性阴极蒸镀，连接各像素阴极；
14、s11，在阴极上进行有机和无机密封层镀膜保护，防止外界水汽侵入腐蚀；
15、s12，在密封层上进行玻璃盖片贴片工艺。
16、优选地，所述s3、s7、s8、s11和s12均在真空腔室环境下进行。
17、优选地，所述s2中在硅基驱动基板上进行阳极蒸镀成膜，成膜方式为pvd成膜。
18、优选地，所述阳极膜层中采用导电透明材料ito，并采用金属al作为反射层。
19、优选地，所述s2中进行阳极膜层像素矩阵化，形成等间隔、等大小的矩阵子像素区。
20、优选地，所述s7中在干刻后形成的有机剥离层光阻图案后，放入真空蒸镀设备进行各有机层依次蒸镀，依次蒸镀空穴注入层、空穴传输层、有机发光层、电子传输层、电子注入层，最后进行阴极层蒸镀，其中，有机发光层为发红光或绿光或蓝光中的一种。
21、优选地，预蒸镀的oled面板为顶发光结构，所述s8中在蒸镀完有机膜层和阴极层之后，进入有机剥离层剥离设备，采用加热或激光照射剥离的方式，把有机剥离层及有机剥离层上面的光阻层、有机膜层和阴极全部剥离，只留下不在剥离层区域的有机膜层及阴极层，从而形成r或g或b有机像素矩阵。
22、优选地，所述s10中进行阴极整层的蒸镀，连接所有的子像素结构，并与硅基驱动基板的阴极输入信号电极导通，为像素提供信号。
23、硅基oled rgb有机发光具有高亮度、高色域、高分辨率等优势，而目前产品实现量产受限于高精度蒸镀设备及掩膜版。本发明提供的一种硅基oled rgb发光结构的制备方法，主要思路为运用光刻工艺实现有机发光层rgb像素矩阵化制作，以解决目前蒸镀设备fmm掩膜版难以实现高分辨率和高精度制作的困境。此外，为了优化光刻工艺流程和解决显影湿制程对有机发光材料的影响，本发明设计一种可剥离膜层，运用于光刻工艺之前，该膜层可阻挡光刻湿制程中水对有机膜层和阴极的腐蚀影响。该剥离层可在有机r或g或b膜层制备完成后，通过加热升温或激光工艺方式实现脱落剥离，最后只剩r/g/b有机发光膜层和像素阴极。
24、本发明所使用的有机剥离层为一种有机材料，温度对此材料的粘附性有重大影响，当温度达到一定范围内或进行激光辐射后，该材料与衬底间的粘附力急剧下降，此时再施加额外作用力可轻易剥离。另外该材料具备一定的防水防气体侵入能力，在进行显影湿制程环境下可防止水汽的参透，避免底下有机膜层和阴极受水汽的腐蚀影响。
25、本发明rgb像素有机独立发红光、蓝光、绿光的芯片结构制备方法，可实现硅基oled rgb全彩显示，且具备高分辨率、高亮度、高色域等性能。
1.一种全彩硅基oled显示结构，其特征在于，包括从下向上依次设置的硅基驱动基板、像素阳极、rgb有机发光膜层、阴极层、封装密封层和玻璃盖片，其中，在封装密封层前设置有机剥离层，该有机剥离层阻水和气体，在制备rgb有机发光膜层后，将有机剥离层进行脱落剥离。
2.根据权利要求1所述的一种全彩硅基oled显示结构，其特征在于，所述有机剥离层通过加热升温或激光方式进行脱落剥离。
3.一种全彩硅基oled显示结构制备方法，其特征在于，为制备权利要求1-或2所述的一种全彩硅基oled显示结构，包括以下步骤：
4.根据权利要求3所述的一种全彩硅基oled显示结构制备方法，其特征在于，所述s3、s7、s8、s11和s12均在真空腔室环境下进行。
5.根据权利要求3所述的一种全彩硅基oled显示结构制备方法，其特征在于，所述s2中在硅基驱动基板上进行阳极蒸镀成膜，成膜方式为pvd成膜。
6.根据权利要求5所述的一种全彩硅基oled显示结构制备方法，其特征在于，所述阳极膜层中采用导电透明材料ito，并采用金属al作为反射层。
7.根据权利要求3所述的一种全彩硅基oled显示结构制备方法，其特征在于，所述s2中进行阳极膜层像素矩阵化，形成等间隔、等大小的矩阵子像素区。
8.根据权利要求3所述的一种全彩硅基oled显示结构制备方法，其特征在于，所述s7中在干刻后形成的有机剥离层光阻图案后，放入真空蒸镀设备进行各有机层依次蒸镀，依次蒸镀空穴注入层、空穴传输层、有机发光层、电子传输层、电子注入层，最后进行阴极层蒸镀，其中，有机发光层为发红光或绿光或蓝光中的一种。
9.根据权利要求3所述的一种全彩硅基oled显示结构制备方法，其特征在于，预蒸镀的oled面板为顶发光结构，所述s8中在蒸镀完有机膜层和阴极层之后，进入有机剥离层剥离设备，采用加热或激光照射剥离的方式，把有机剥离层及有机剥离层上面的光阻层、有机膜层和阴极全部剥离，只留下不在剥离层区域的有机膜层及阴极层，从而形成r或g或b有机像素矩阵。
10.根据权利要求3所述的一种全彩硅基oled显示结构制备方法，其特征在于，所述s10中进行阴极整层的蒸镀，连接所有的子像素结构，并与硅基驱动基板的阴极输入信号电极导通，为像素提供信号。
