本发明属于集成电路，尤其涉及一种基于薄栅氧器件的耐高压驱动电路。
背景技术：
1、当前，串口通信大都采用多点系统，在一根总线上接入多个收发器，在同一时刻的传输过程中发送和接受方已确定，此时总线上其他的收发器处于非工作状态。虽然单个收发器的电源电压范围基本相同，但由于各个收发器的接的高电源电压或低电源电压不同，造成总线上电源超过某个收发器的电压范围。例如：在通信标准rs-485中，总线上的电压范围从-7v到12v，而单个收发器电源电压范围只有5v，这要求收发器中的驱动电路具有耐高压的特性。为保证驱动电路能耐高压，传统的驱动电路采用高压厚栅氧器件，存在不兼容常规工艺、芯片成本高、延迟时间大和驱动能力弱等问题。
技术实现思路
1、发明目的：为了解决上述现有技术存在的问题，本发明提供了一种基于薄栅氧器件的耐高压驱动电路。
2、技术方案： 本发明提供一种基于薄栅氧器件的耐高压驱动电路，包括：检测输出电路和输出电路，所述检测输出电路包括电流源，施密特触发器，反相器，等比例电流镜电路和折叠式比较器电路；所述电流源用于提供偏置电流，所述等比例电流镜电路与折叠式比较器电路连接，所述折叠式比较器电路与施密特触发器的输入端连接，所述施密特触发器输出信号vp，并发送至反相器和输出电路，所述反相器将输出信号vn输入至输出电路和等比例电流镜电路；
3、所述输出电路包括：第十pmos管，第九nmos管，第十三高压薄栅氧nmos管和第十六高压薄栅氧pmos，所述第十pmos管的源极连接电源vcc，漏极连接第十三高压薄栅氧nmos的源极，栅极连接输入电压；所述第十三高压薄栅氧nmos的栅极连接vp，漏极作为输出端连接第十六高压薄栅氧pmos管的漏极,输出端输出电压out，所述第十六高压薄栅氧pmos管的栅极连vn，第十六高压薄栅氧pmos管的源极连接第九nmos管漏极，第九nmos管的栅极连接输入电压，源极连接gnd；
4、所述折叠式比较器电路用于比较out与gnd，当out大于gnd时，vp为高电平，vn为低电平，输出电路正常工作；当out小于gnd时，vp为低电平，vn为高电平，输出电路输出保持为高阻态；
5、所述等比例电流镜电路用于比较out与vcc，当out大于vcc时，vp为低电平，vn为高电平，输出电路输出保持为高阻态；当out小于vcc时，vp为高电平，vn为低电平，输出电路正常工作。
6、进一步的，所述检测输出电路还包括外围电路，所述外围电路包括第一、第二nmos管，第一，第二，第四pmos管，第一～第四电阻以及第十高压薄栅氧nmos管；电流源连接第一nmos管的栅极和漏极、第二nmos管的栅极、折叠式比较器电路和等比例电流镜电路，所述第一、第二nmos管的源极均连接gnd；所述第一pmos管的源极和第二pmos管的源极均连接电压vcc，第一pmos管的栅极连接自身的漏极，第二pmos管的栅极以及第二nmos管的漏极，第二pmos管的漏极连接第四pmos管的源极以及折叠式比较器电路，第四pmos管的漏极连接折叠式比较器电路，第四pmos管的栅极连接vp；所述第十高压薄栅氧nmos管的栅极连接折叠式比较器电路和第十高压薄栅氧nmos管的漏极，源极连接gnd；所述第一电阻的一端连接vcc，另外一端标记为节点a，节点a连接折叠式比较器电路和第二电阻的一端，第二电阻的另外一端连接gnd, 所述第三电阻的一端连接vcc，另外一端连接第十高压薄栅氧nmos的漏极和第四电阻的一端，第四电阻的另外一端连接gnd。
7、进一步的，第一电阻和第三电阻的阻值相等，第二电阻和第四电阻的阻值相等，且第四电阻的阻值大于第三电阻的阻值。
8、进一步的，所述折叠式比较器电路包括：第三、第五～九poms管以及第七、第八nmos管，所述第三poms管的栅极连接节点a，源极与第五poms管的源极以及外围电路中第二pmos管的漏极连接，漏极连接施密特触发器的输入端，第五poms管的漏极连接第四pmos管的漏极，第八nmos管的漏极，第六poms管的栅极和第七nmos管的漏极以及第七pmos管的栅极，第六poms管的源极和第七poms管的源极均连接vcc，第六poms管的漏极连接第八poms管的源极，第八poms管的栅极连接等比例电流镜电路和第九poms管的栅极，第九poms管的源极连接第七poms管的漏极，第九poms管的漏极连接施密特触发器的输入端和第八nmos管的漏极，所述第七、第八nmos管的栅极连接电流源，第七、第八nmos管的源极连接gnd。
9、进一步的，所述等比例电流镜电路包括第十一～第十五高压薄栅氧pmos管，第十一、十二高压薄栅氧nmos管，第三～六nmos管；所述第十一高压薄栅氧pmos管的源极连接第十三高压薄栅氧pmos管的源极和栅级以及第十五高压薄栅氧pmos管的源极和栅极，第十三高压薄栅氧pmos管的漏极连接电源vcc，第十五高压薄栅氧pmos管的漏极连接第十二高压薄栅氧pmos管源极以及第十四高压薄栅氧pmos管的源极和栅极，第十四高压薄栅氧pmos管的漏极连接电压out，第十一高压薄栅氧pmos管的栅极连接自身的漏极、第十一高压薄栅氧nmos管的漏极以及第十二高压薄栅氧pmos管的栅极，第十二高压薄栅氧pmos管的漏极连接第十二高压薄栅氧nmos管的漏极，第十一高压薄栅氧nmos管的栅极连接vcc和第十二高压薄栅氧nmos管的栅极，第十一高压薄栅氧nmos管的源极连接第三nmos管的漏极，第三nmos管的源极连接gnd，第十二高压薄栅氧nmos管的源极连接第四nmos管的漏极，第四nmos管的源极连接gnd，第五nmos管的源极连接gnd，漏极连接第六nmos管的源极，第六nmos管的漏极连接第十二高压薄栅氧nmos管的源极和折叠比较器电路中第八pmos管的栅极，第六nmos管的栅极连接反相器的输出信号vn，第三～五nmos管的栅极连接电流源。
10、有益效果：本发明在保证驱动电路耐高压的同时，使用的高压mos管都为薄栅氧器件，节约了芯片成本，电路性能好，兼容常规器件，驱动电路工作电压可以很低。
1.一种基于薄栅氧器件的耐高压驱动电路，其特征在于，包括：检测输出电路和输出电路，所述检测输出电路包括电流源，施密特触发器，反相器，等比例电流镜电路和折叠式比较器电路；所述电流源用于提供偏置电流，所述等比例电流镜电路与折叠式比较器电路连接，所述折叠式比较器电路与施密特触发器的输入端连接，所述施密特触发器输出信号vp，并发送至反相器和输出电路，所述反相器将输出信号vn输入至输出电路和等比例电流镜电路；
2.根据权利要求1所述的一种基于薄栅氧器件的耐高压驱动电路，其特征在于，所述检测输出电路还包括外围电路，所述外围电路包括第一、第二nmos管，第一，第二，第四pmos管，第一～第四电阻以及第十高压薄栅氧nmos管；电流源连接第一nmos管的栅极和漏极、第二nmos管的栅极、折叠式比较器电路和等比例电流镜电路，所述第一、第二nmos管的源极均连接gnd；所述第一pmos管的源极和第二pmos管的源极均连接电压vcc，第一pmos管的栅极连接自身的漏极，第二pmos管的栅极以及第二nmos管的漏极，第二pmos管的漏极连接第四pmos管的源极以及折叠式比较器电路，第四pmos管的漏极连接折叠式比较器电路，第四pmos管的栅极连接vp；所述第十高压薄栅氧nmos管的栅极连接折叠式比较器电路和第十高压薄栅氧nmos管的漏极，源极连接gnd；所述第一电阻的一端连接vcc，另外一端标记为节点a，节点a连接折叠式比较器电路和第二电阻的一端，第二电阻的另外一端连接gnd, 所述第三电阻的一端连接vcc，另外一端连接第十高压薄栅氧nmos的漏极和第四电阻的一端，第四电阻的另外一端连接gnd。
3.根据权利要求2所述的一种基于薄栅氧器件的耐高压驱动电路，其特征在于，第一电阻和第三电阻的阻值相等，第二电阻和第四电阻的阻值相等，且第四电阻的阻值大于第三电阻的阻值。
4.根据权利要求2所述的一种基于薄栅氧器件的耐高压驱动电路，其特征在于，所述折叠式比较器电路包括：第三、第五～九poms管以及第七、第八nmos管，所述第三poms管的栅极连接节点a，源极与第五poms管的源极以及外围电路中第二pmos管的漏极连接，漏极连接施密特触发器的输入端，第五poms管的漏极连接第四pmos管的漏极，第八nmos管的漏极，第六poms管的栅极和第七nmos管的漏极以及第七pmos管的栅极，第六poms管的源极和第七poms管的源极均连接vcc，第六poms管的漏极连接第八poms管的源极，第八poms管的栅极连接等比例电流镜电路和第九poms管的栅极，第九poms管的源极连接第七poms管的漏极，第九poms管的漏极连接施密特触发器的输入端和第八nmos管的漏极，所述第七、第八nmos管的栅极连接电流源，第七、第八nmos管的源极连接gnd。
5.根据权利要求4所述的一种基于薄栅氧器件的耐高压驱动电路，其特征在于，所述等比例电流镜电路包括第十一～第十五高压薄栅氧pmos管，第十一、十二高压薄栅氧nmos管，第三～六nmos管；所述第十一高压薄栅氧pmos管的源极连接第十三高压薄栅氧pmos管的源极和栅级以及第十五高压薄栅氧pmos管的源极和栅极，第十三高压薄栅氧pmos管的漏极连接电源vcc，第十五高压薄栅氧pmos管的漏极连接第十二高压薄栅氧pmos管源极以及第十四高压薄栅氧pmos管的源极和栅极，第十四高压薄栅氧pmos管的漏极连接电压out，第十一高压薄栅氧pmos管的栅极连接自身的漏极、第十一高压薄栅氧nmos管的漏极以及第十二高压薄栅氧pmos管的栅极，第十二高压薄栅氧pmos管的漏极连接第十二高压薄栅氧nmos管的漏极，第十一高压薄栅氧nmos管的栅极连接vcc和第十二高压薄栅氧nmos管的栅极，第十一高压薄栅氧nmos管的源极连接第三nmos管的漏极，第三nmos管的源极连接gnd，第十二高压薄栅氧nmos管的源极连接第四nmos管的漏极，第四nmos管的源极连接gnd，第五nmos管的源极连接gnd，漏极连接第六nmos管的源极，第六nmos管的漏极连接第十二高压薄栅氧nmos管的源极和折叠比较器电路中第八pmos管的栅极，第六nmos管的栅极连接反相器的输出信号vn，第三～五nmos管的栅极连接电流源。
