本发明涉及等离子体处理方法和等离子体处理装置。
背景技术：
1、在电子器件的制造过程中，使用等离子体处理装置。等离子体处理装置一般包括腔室主体、载置台和高频电源。腔室主体提供其内部空间作为腔室。腔室主体接地。载置台设置于腔室内，能够支承载置在其上的基片。载置台包含下部电极。为了激发腔室内的气体，高频电源供给高频。在该等离子体处理装置中，利用下部电极的电位与等离子体的电位的电位差将离子加速，将加速的离子照射到基片。
2、在等离子体处理装置中，在腔室主体与等离子体之间也产生电位差。在腔室主体与等离子体之间的电位差较大的情况下，照射到腔室主体的内壁的离子的能量变高，从腔室主体释放颗粒。从腔室主体释放出的颗粒污染载置于载置台上的基片。为了防止产生这样的颗粒，在专利文献1中，提出了一种能够调节腔室的接地容量的调节机构的技术。专利文献1所记载的调节机构能够调节与腔室相对的正极和负极的面积比例、即a/c比。
3、另外，在等离子体处理装置中，从提高照射到基片的离子的能量来提高基片的蚀刻速率的观点出发，存在一种将偏置用的直流电压供给到下部电极的技术。例如，在专利文献2中，发明了一种将作为具有负极性的直流电压偏置用的直流电压周期性地施加到下部电极的技术。在专利文献2的技术中，记载了如下技术：在将直流电压的频率设定为例如1mhz以上的状态下，通过将直流电压的占空比调节到50％以上，来提高照射到基片的离子的能量。此处，占空比是在对下部电极施加直流电压的各个周期内，对下部电极施加直流电压的时间所占的比例。
4、现有技术文献
5、专利文献
6、专利文献1：日本特开2008-53516号公报
7、专利文献2：日本专利第4714166号公报
技术实现思路
1、发明想要解决的技术问题
2、本发明提供一种技术，其能够抑制基片的蚀刻速率降低并且降低照射到腔室主体的内壁的离子的能量。
3、用于解决技术问题的技术方案
4、本发明的一方式的等离子体处理方法为一种在等离子体处理装置中执行的等离子体处理方法，上述等离子体处理装置包括：提供腔室的腔室主体；设置在上述腔室主体内的载置台，其用于支承基片，包括下部电极；高频电源，其供给用于生成供给到上述腔室的气体的等离子体的高频；和一个以上的直流电源，其产生施加到上述下部电极的具有负极性的直流电压，上述等离子体处理方法包括：从上述高频电源供给高频的步骤；和从上述一个以上的直流电源对上述下部电极施加具有负极性的直流电压的步骤，在施加上述直流电压的步骤中，将上述直流电压周期性地施加到上述下部电极，在将规定对上述下部电极施加上述直流电压的各个周期的频率设定为不到1mhz的状态下，调节在上述各个周期内将上述直流电压施加到上述下部电极的时间所占的比例。
5、发明效果
6、根据本发明，能够起到能够抑制基片的蚀刻速率降低并且降低照射到腔室主体的内壁的离子的能量的效果。
1.一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：
3.如权利要求1或2所述的等离子体处理装置，其特征在于：
4.如权利要求1～3中任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于：
5.如权利要求2～4中任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于：
6.如权利要求2～4中任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于：
7.如权利要求1～6中任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于：
8.一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：
9.如权利要求8所述的等离子体处理装置，其特征在于：
10.如权利要求8或9所述的等离子体处理装置，其特征在于：
11.如权利要求8～10中任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于：
12.如权利要求9～11中任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于：
13.如权利要求9～11中任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于：
14.如权利要求8～13中任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于：
15.一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：
16.如权利要求15所述的等离子体处理装置，其特征在于：
17.如权利要求15或16所述的等离子体处理装置，其特征在于：
18.如权利要求17所述的等离子体处理装置，其特征在于：
19.如权利要求15～18中任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于：
20.如权利要求15～19中任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于：
21.如权利要求15～20中任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于：
22.如权利要求15～21中任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于：
23.如权利要求15～22中任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于：
24.如权利要求15～23中任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于：
25.如权利要求24所述的等离子体处理装置，其特征在于：
26.如权利要求24或25所述的等离子体处理装置，其特征在于：
27.如权利要求26所述的等离子体处理装置，其特征在于：
28.如权利要求24所述的等离子体处理装置，其特征在于：
29.如权利要求28所述的等离子体处理装置，其特征在于：
