等效网表确定、电路仿真方法及系统、电路仿真设备与流程

专利检索2025-03-24  14


本申请涉及电路仿真,具体涉及一种等效网表确定、电路仿真方法及系统、电路仿真设备。


背景技术:

1、电路仿真能够对电路的功能和稳定性等特征进行验证分析,是电路形成过程中的重要环节。发明人对模拟电路的仿真过程进行研究发现,在基于模拟电路的后仿网表进行电路仿真时,仿真时间较长,仿真效率较低。


技术实现思路

1、鉴于此,本申请提供一种等效网表确定、电路仿真方法及系统、电路仿真设备,以解决传统的电路仿真方案中,仿真时间长、仿真效率低的问题。

2、本申请提供一种等效网表确定方法,包括:

3、获取待仿真电路对应的后仿网表;

4、根据所述后仿网表识别至少一个可等效单元,所述可等效单元包括在其被替换为等效器件之后,对应的所述后仿网表的仿真结果不发生改变的部分结构;

5、获取至少一个所述可等效单元对应的等效器件;

6、采用所述等效器件替换对应的所述可等效单元,得到等效网表。

7、可选地,所述可等效单元包括可等效mos管。

8、可选地,所述根据所述后仿网表识别至少一个可等效单元,包括:根据所述后仿网表建立包括多个电阻网络的等效网络;将所述等效网络中满足预设条件的mos管或mos管组确定为所述可等效mos管,所述预设条件为表征对应mos管被替换为若干个电容后不改变后仿网表响应的条件。

9、可选地,所述预设条件包括以下条件中的至少一个:同一个mos管的漏极、栅极和源极都接在同一个电阻网络中;mos管的栅极只连接电容性器件,且栅极和源极都接在同一个电阻网络中;多个mos管的漏极和源极相互串接,形成链状结构。

10、可选地,所述获取至少一个所述可等效单元对应的等效器件,包括:获取至少一个所述可等效mos管的栅极、源极和漏极分别对应的等效电容值;根据各个所述等效电容值确定至少一个所述可等效mos管分别对应的各个等效电容。

11、可选地,所述获取至少一个所述可等效mos管的栅极、源极和漏极分别对应的等效电容值,包括:设置所述可等效mos管的偏置电压;针对所述可等效mos管获取栅极-源极、栅极-漏极及栅极-衬底极分别对应的第一电容值,将各个所述第一电容值之和作为所述可等效mos管的栅极的等效电容值;针对所述可等效mos管获取源极-栅极、源极-漏极及源极-衬底极的第二电容值,将各个所述第二电容值之和作为所述可等效mos管的源极的等效电容值;针对所述可等效mos管获取漏极-栅极、漏极-源极及漏极-衬底极的第三电容值,将各个所述第三电容值之和作为所述可等效mos管的漏极的等效电容值。

12、可选地,所述采用所述等效器件替换对应的所述可等效单元,包括:在所述等效网络中分别将所述可等效mos管的栅极、源极和漏极接上对应的等效电容,并去除所述可等效单元,各个所述等效电容均为接地电容。

13、本申请还提供一种电路仿真方法,包括:

14、采用上述任一种等效网表确定方法获取等效网表;

15、基于所述等效网表,对待仿真电路进行仿真。

16、本申请还提供一种等效网表确定系统,包括:

17、第一获取模块,用于获取待仿真电路对应的后仿网表;

18、识别模块,用于根据所述后仿网表识别至少一个可等效单元,所述可等效单元包括在其被替换为等效器件之后,对应的所述后仿网表的仿真结果不发生改变的部分结构;

19、第二获取模块,用于获取至少一个所述可等效单元对应的等效器件;

20、替换模块,用于采用所述等效器件替换对应的所述可等效单元,得到等效网表。

21、本申请还提供一种电路仿真系统,包括:

22、第三获取模块,用于采用上述任一种等效网表确定系统获取等效网表;

23、仿真模块,用于基于所述等效网表,对待仿真电路进行仿真。

24、本申请还提供一种电路仿真设备,所述电路仿真设备包括:存储器、处理器,其中,所述存储器上存储有等效网表确定程序,所述等效网表确定程序被所述处理器执行时实现如上任一种等效网表确定方法的步骤或者上任一种电路仿真方法的步骤。

25、本申请还提供一种计算机可读存储介质,所述存储介质上存储有计算机程序,所述计算机程序被处理器执行时实现如上任一种等效网表确定方法的步骤或者上任一种电路仿真方法的步骤。

26、本申请上述等效网表确定、电路仿真方法及系统、电路仿真设备,通过获取待仿真电路对应的后仿网表,根据后仿网表识别至少一个可等效单元,获取可等效单元对应的等效器件,再采用等效器件替换对应的可等效单元,得到等效网表,以使用相对简化的等效网表来替代原来的后仿网表,简化后仿网表的电路规模,使等效网表对应的数据结构等仿真模型能够快速响应输入的仿真测试信号,提高对应的仿真效率。



技术特征:

1.一种等效网表确定方法,其特征在于,所述等效网表确定方法包括:

2.根据权利要求1所述的等效网表确定方法,其特征在于,所述可等效单元包括可等效mos管;

3.根据权利要求2所述的等效网表确定方法,其特征在于,所述预设条件包括以下条件中的至少一个:

4.根据权利要求2所述的等效网表确定方法,其特征在于,所述获取至少一个所述可等效单元对应的等效器件,包括:

5.根据权利要求4所述的等效网表确定方法,其特征在于,所述获取至少一个所述可等效mos管的栅极、源极和漏极分别对应的等效电容值,包括:

6.根据权利要求2所述的等效网表确定方法,其特征在于,所述采用所述等效器件替换对应的所述可等效单元,包括:

7.一种电路仿真方法,其特征在于,所述电路仿真方法包括:

8.一种等效网表确定系统,其特征在于,所述等效网表确定系统包括:

9.一种电路仿真系统,其特征在于,所述电路仿真系统包括:

10.一种电路仿真设备,其特征在于,所述电路仿真设备包括:存储器、处理器,其中,所述存储器上存储有等效网表确定程序,所述等效网表确定程序被所述处理器执行时实现上述权利要求1至6任一项所述的等效网表确定方法的步骤,或者上述权利要求7所述的电路仿真方法的步骤。


技术总结
本申请公开一种等效网表确定、电路仿真方法及系统、电路仿真设备。其中等效网表确定方法包括:获取待仿真电路对应的后仿网表;根据所述后仿网表识别至少一个可等效单元,所述可等效单元包括在其被替换为等效器件之后,对应的所述后仿网表的仿真结果不发生改变的部分结构;获取至少一个所述可等效单元对应的等效器件;采用所述等效器件替换对应的所述可等效单元,得到等效网表。本申请能够提升电路仿真效率。

技术研发人员:李贵民,方君,李义辉,邓雨春,任继杰
受保护的技术使用者:上海概伦电子股份有限公司
技术研发日:
技术公布日:2024/5/29
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