本申请涉及射频，尤其涉及一种射频前端模组。
背景技术：
1、变压器是一种利用电磁互感应，能够将不平衡信号转换为平衡信号，或者，将平衡信号转换为不平衡信号，实现电压、电流和阻抗变换的器件。变压器是射频前端模组中的重要组件，用于进行阻抗转换或者信号合成。实际应用中，变压器常常由于宽带特性欠佳从而影响射频前端模组的工作性能。
技术实现思路
1、本申请的主要目的在于提供一种射频前端模组，旨在解决因变压器宽带特性欠佳而影响射频前端模组的整体性能的问题。
2、本申请提供一种射频前端模组，包括变压器和功率放大器，所述变压器包括相互耦合的第一绕组和第二绕组，所述功率放大器与所述第一绕组的第一端连接，所述第一绕组的第二端连接至接地端或者供电电源端，所述第二绕组的第一端连接至信号传输端，所述第二绕组的第二端连接至接地端；
3、所述第一绕组包括并联连接的至少两个初级线圈，所述第二绕组包括串联连接的至少两个次级线圈；
4、所述第一绕组与所述第二绕组被配置为包括相对分离设置的至少两个耦合线圈，每一所述耦合线圈包括相耦合的至少一个所述初级线圈和至少一个所述次级线圈。
5、在一实施例中，所述功率放大器的输出端与每一所述耦合线圈中的每一初级线圈的第一端连接，每一所述耦合线圈中的每一初级线圈的第二端连接至接地端，所述功率放大器的输出端与每一所述耦合线圈中的每一初级线圈的第一端临近设置。
6、在一实施例中，每一所述耦合线圈中的每一初级线圈的第一端与所述功率放大器的输出端之间的走线长度大致相等。
7、在一实施例中，所述第一绕组与所述第二绕组被配置为包括相对分离设置的第一耦合线圈和第二耦合线圈；以所述功率放大器的输出端所在的虚拟直线为分界线，所述第一耦合线圈和所述第二耦合线圈分别设置在所述分界线的两侧。
8、在一实施例中，所述第一绕组与所述第二绕组被配置为包括相对分离设置的多个耦合线圈，以所述功率放大器的输出端所在的虚拟直线为分界线，所述多个耦合线圈呈排列形式设置在所述分界线的一侧。
9、在一实施例中，至少两个所述耦合线圈中的初级线圈和次级线圈均位于同一金属层，每一所述耦合线圈中的初级线圈与对应耦合的次级线圈同层侧边耦合。
10、在一实施例中，每一所述耦合线圈中的初级线圈均设置在第一金属层，每一所述耦合线圈中的次级线圈均设置在第二金属层，每一所述耦合线圈中的初级线圈与对应耦合的次级线圈电磁耦合。
11、在一实施例中，所述第一绕组与所述第二绕组被配置为包括相对分离且临近设置的第一耦合线圈和第二耦合线圈；
12、所述第一耦合线圈中的次级线圈与所述第二耦合线圈的初级线圈耦合；或者，所述第二耦合线圈中的次级线圈与所述第一耦合线圈的初级线圈耦合。
13、在一实施例中，所述第一耦合线圈中的次级线圈包括第一次级线圈段，所述第一次级线圈段位于所述第一耦合线圈中的初级线圈和所述第二耦合线圈中的初级线圈之间，所述第一次级线圈段分别与所述第一耦合线圈中的初级线圈和所述第二耦合线圈中的初级线圈耦合；或者
14、所述第二耦合线圈中的次级线圈包括第二次级线圈段，所述第二次级线圈段位于所述第一耦合线圈中的初级线圈和所述第二耦合线圈中的初级线圈之间，所述第二次级线圈段分别与所述第一耦合线圈中的初级线圈和所述第二耦合线圈中的初级线圈耦合。
15、在一实施例中，所述第一绕组包括并联连接的第一初级线圈和第二初级线圈，所述第二绕组包括串联连接的第一次级线圈和第二次级线圈；
16、所述第一绕组与所述第二绕组被配置为包括相对分离且临近设置的第一耦合线圈和第二耦合线圈；
17、所述第一耦合线圈包括相耦合的所述第一初级线圈与所述第一次级线圈，所述第二耦合线圈包括相耦合的所述第二初级线圈与所述第二次级线圈。
18、在一实施例中，所述第一初级线圈的第一端作为所述第一绕组的第一端，所述第一初级线圈的第二端与接地端连接；所述第二初级线圈的第一端与所述第一初级线圈的第一端连接，所述第二初级线圈的第二端与接地端连接；
19、所述第一次级线圈的第一端作为所述第二绕组的第一端，所述第一次级线圈的第二端与所述第二次级线圈的第一端连接，所述第二次级线圈的第二端与接地端连接；
20、所述第一初级线圈的第一端与所述第一次级线圈的第一端为同名端，所述第二初级线圈的第一端与所述第二次级线圈的第一端为同名端。
21、在一实施例中，所述第一次级线圈包括第一子次级线圈和第二子次级线圈，所述第一初级线圈位于所述第一子次级线圈和第二子次级线圈之间，所述第一子次级线圈和第二子次级线圈均与所述第一初级线圈相耦合；
22、所述第二次级线圈包括第三子次级线圈和第四子次级线圈，所述第二初级线圈位于所述第三子次级线圈和第四子次级线圈之间，所述第三子次级线圈和第四子次级线圈均与所述第二初级线圈相耦合；
23、所述第一子次级线圈的第一端连接至信号传输端，所述第一子次级线圈的第二端与所述第三子次级线圈的第一端连接，所述第三子次级线圈的第二端与所述第二子次级线圈的第一端连接，所述第二子次级线圈的第二端与所述第四子次级线圈的第一端连接，所述第四子次级线圈的第二端连接至接地端。
24、在一实施例中，所述第一初级线圈包括第一子初级线圈和第二子初级线圈，所述第一次级线圈位于所述第一子初级线圈和第二子初级线圈之间，所述第一子初级线圈和第二子初级线圈均与所述第一次级线圈相耦合；
25、所述第二初级线圈包括第三子初级线圈和第四子初级线圈，所述第二次级线圈位于所述第三子初级线圈和第四子初级线圈之间，所述第三子初级线圈和第四子初级线圈均与所述第二次级线圈相耦合；
26、所述第一子初级线圈、所述第二子初级线圈、所述第三子初级线圈、所述第四子初级线圈的第一端均与所述第一绕组的第一端连接，所述第一子初级线圈、所述第二子初级线圈、所述第三子初级线圈、所述第四子初级线圈的第二端连接至接地端。
27、在一实施例中，所述第一绕组与所述第二绕组的匝数比范围为0.5:1至2:1。
28、在一实施例中，所述变压器的工作频段为500mhz至6000mhz。
29、在一实施例中，所述射频前端模组还包括基板，所述变压器和所述功率放大器设置于所述基板。
30、在一实施例中，所述功率放大器集成于功率放大芯片；所述射频前端模组还包括基板，所述变压器和所述功率放大芯片设置于所述基板。
31、本申请实施例提供的射频前端模组包括变压器和功率放大器，该变压器包括相对分离设置的至少两个耦合线圈，每一耦合线圈包括相耦合的至少一个初级线圈和至少一个次级线圈，使得电磁场分布更均匀对称，能在更宽的频段内能保持耦合系数的平坦，从而具备更好的宽带特性，因此能够保证射频前端模组的工作性能。
1.一种射频前端模组，其特征在于，包括变压器和功率放大器，所述变压器包括相互耦合的第一绕组和第二绕组，所述功率放大器与所述第一绕组的第一端连接，所述第一绕组的第二端连接至接地端或者供电电源端，所述第二绕组的第一端连接至信号传输端，所述第二绕组的第二端连接至接地端；
2.根据权利要求1所述的射频前端模组，其特征在于，所述功率放大器的输出端与每一所述耦合线圈中的每一初级线圈的第一端连接，每一所述耦合线圈中的每一初级线圈的第二端连接至接地端，所述功率放大器的输出端与每一所述耦合线圈中的每一初级线圈的第一端临近设置。
3.根据权利要求1所述的射频前端模组，其特征在于，每一所述耦合线圈中的每一初级线圈的第一端与所述功率放大器的输出端之间的走线长度大致相等。
4.根据权利要求1所述的射频前端模组，其特征在于，所述第一绕组与所述第二绕组被配置为包括相对分离设置的第一耦合线圈和第二耦合线圈；以所述功率放大器的输出端所在的虚拟直线为分界线，所述第一耦合线圈和所述第二耦合线圈分别设置在所述分界线的两侧。
5.根据权利要求1所述的射频前端模组，其特征在于，所述第一绕组与所述第二绕组被配置为包括相对分离设置的多个耦合线圈，以所述功率放大器的输出端所在的虚拟直线为分界线，所述多个耦合线圈呈排列形式设置在所述分界线的一侧。
6.根据权利要求1所述的射频前端模组，其特征在于，至少两个所述耦合线圈中的初级线圈和次级线圈均位于同一金属层，每一所述耦合线圈中的初级线圈与对应耦合的次级线圈同层侧边耦合。
7.根据权利要求1所述的射频前端模组，其特征在于，每一所述耦合线圈中的初级线圈均设置在第一金属层，每一所述耦合线圈中的次级线圈均设置在第二金属层，每一所述耦合线圈中的初级线圈与对应耦合的次级线圈电磁耦合。
8.根据权利要求1所述的射频前端模组，其特征在于，所述第一绕组与所述第二绕组被配置为包括相对分离且临近设置的第一耦合线圈和第二耦合线圈；
9.根据权利要求8所述的射频前端模组，其特征在于，所述第一耦合线圈中的次级线圈包括第一次级线圈段，所述第一次级线圈段位于所述第一耦合线圈中的初级线圈和所述第二耦合线圈中的初级线圈之间，所述第一次级线圈段分别与所述第一耦合线圈中的初级线圈和所述第二耦合线圈中的初级线圈耦合；或者
10.根据权利要求1所述的射频前端模组，其特征在于，所述第一绕组包括并联连接的第一初级线圈和第二初级线圈，所述第二绕组包括串联连接的第一次级线圈和第二次级线圈；
11.根据权利要求10所述的射频前端模组，其特征在于，所述第一初级线圈的第一端作为所述第一绕组的第一端，所述第一初级线圈的第二端与接地端连接；所述第二初级线圈的第一端与所述第一初级线圈的第一端连接，所述第二初级线圈的第二端与接地端连接；
12.根据权利要求10所述的射频前端模组，其特征在于，所述第一次级线圈包括第一子次级线圈和第二子次级线圈，所述第一初级线圈位于所述第一子次级线圈和第二子次级线圈之间，所述第一子次级线圈和第二子次级线圈均与所述第一初级线圈相耦合；
13.根据权利要求10所述的射频前端模组，其特征在于，所述第一初级线圈包括第一子初级线圈和第二子初级线圈，所述第一次级线圈位于所述第一子初级线圈和第二子初级线圈之间，所述第一子初级线圈和第二子初级线圈均与所述第一次级线圈相耦合；
14.根据权利要求1-13任一项所述的射频前端模组，其特征在于，所述第一绕组与所述第二绕组的匝数比范围为0.5:1至2:1。
15.根据权利要求14所述的射频前端模组，其特征在于，所述变压器的工作频段为500mhz至6000mhz。
16.根据权利要求1-13任一项所述的射频前端模组，其特征在于，所述射频前端模组还包括基板，所述变压器和所述功率放大器设置于所述基板。
17.根据权利要求1-13任一项所述的射频前端模组，其特征在于，所述功率放大器集成于功率放大芯片；所述射频前端模组还包括基板，所述变压器和所述功率放大芯片设置于所述基板。
