六行TO263框架及其加工方法与流程

专利检索2025-03-02  23


本发明涉及芯片封装,特别涉及六行to263框架及其加工方法。


背景技术:

1、to263封装是一种电子元件的封装类型,是一种功率二极管和晶体管常用的封装形式,广泛应用于高功率电子设备和模块中。to263封装的外观形状通常类似于一个长方形的塑料壳体,具有多个引脚,其名称中的“to”表示“transistor outline(晶体管外形)”,数字“263”代表其尺寸和引脚排列的特定标准。to263封装通常用于承载高功率二极管、功率晶体管和其他功率电子器件,由于其尺寸较大,具有较好的散热能力,因此适用于需要处理高功率和高温度的器件,to263封装的引脚结构方便进行焊接和连接,使得元件可以轻松地与电路板上的其他元件进行连接。

2、目前的to263封装框架的布局通常为两行产品,每行具有20颗产品,一个框架具有40颗产品,所能够安装的芯片数量最多也就40颗,数量相对较少,框架的利用率较差,成本较高。


技术实现思路

1、本发明提供一种六行to263框架及其加工方法,用以解决上述背景技术中提出的问题。

2、为解决上述技术问题,本发明公开了一种六行to263框架,包括框架本体,框架本体上设置有三行打凹区,相邻两行打凹区之间连接有引脚区一,打凹区包括两行基岛区和一行散热区,散热区设置于两行基岛区之间,基岛区包括有若干横向设置的基岛,散热区包括有若干横向设置的散热片,引脚区一包括有若干横向设置的引脚件,上下侧的打凹区相互远离的一侧设置有框架边框。

3、优选的,在打凹区内,两个基岛之间连接散热片,基岛靠近另一行打凹区的一侧连接有引脚件,位于最上侧和最下侧的基岛相互远离的一侧连接有框架边框。

4、优选的,引脚件设置为中心对称结构,引脚件包括两条横向设置的连接筋,连接筋相互远离的一侧连接有管脚一和管脚二,管脚一的另一端连接有焊脚一,管脚二的另一端连接有焊脚二;

5、连接筋左右两端相互靠近的一侧固定设置有边框,连接筋相互靠近的一侧设置有中心对称的管脚三,两条管脚三相互靠近的一侧设置管脚四,管脚四与连接筋相连接,连接筋相互远离的一侧中央设置有连筋,连筋的另一端连接基岛;

6、相邻两个横向设置的基岛的中心点之间的距离为11-13mm,基岛上表面到引脚件上表面的垂直距离为0.3-1.25mm。

7、一种六行to263框架的加工方法,用于加工如上任一项所述的六行to263框架,包括以下步骤,

8、s1:备料,其中原料为金属板材,通过锻打或挤压形成异形板;

9、s2:将异形板通过冲压形成六行to263框架的半成品框架本体;

10、s3:将半成品框架本体通过打凹辅助装置进行打凹,使得基岛下沉,形成框架本体。

11、与现有技术相比,本发明提供了一种六行to263框架及其加工方法,本发明通过设置三行打凹区,以及每一个打凹区内设置有两行基岛区,即形成了六行基岛区,从而增加了框架上芯片的安装数量,提高了框架的利用率,从而使得单次的加工效率得到了显著提升,实用性及经济性强。



技术特征:

1.一种六行to263框架,其特征在于,包括框架本体,框架本体上设置有三行打凹区(1),相邻两行打凹区(1)之间连接有引脚区一,打凹区包括两行基岛区和一行散热区,散热区设置于两行基岛区之间,基岛区包括有若干横向设置的基岛(2),散热区包括有若干横向设置的散热片(5),引脚区一包括有若干横向设置的引脚件(3),上下侧的打凹区相互远离的一侧设置有引脚区二和框架边框(4)。

2.根据权利要求1所述的六行to263框架,其特征在于,在打凹区(1)内,两个基岛(2)之间连接散热片(5),基岛(2)靠近另一行打凹区(1)的一侧连接有引脚件(3),位于最上侧和最下侧的基岛(2)相互远离的一侧连接有引脚区二,引脚区二相互远离的一侧连接有框架边框(4)。

3.根据权利要求2所述的六行to263框架,其特征在于,引脚件(3)设置为中心对称结构,引脚件(3)包括两条横向设置的连接筋(7),连接筋(7)相互远离的一侧连接有管脚一(13)和管脚二(10),管脚一(13)的另一端连接有焊脚一(6),管脚二(10)的另一端连接有焊脚二(14)。

4.根据权利要求3所述的六行to263框架,其特征在于,连接筋(7)左右两端相互靠近的一侧固定设置有边框(12),连接筋(7)相互靠近的一侧设置有中心对称的管脚三(8),两条管脚三(8)相互靠近的一侧设置管脚四(11),管脚四(11)与连接筋(7)相连接,连接筋(7)相互远离的一侧中央设置有连筋(9),连筋(9)的另一端连接基岛(2)。

5.根据权利要求2所述的六行to263框架,其特征在于,相邻两个横向设置的基岛(2)的中心点之间的距离为11-13mm。

6.根据权利要求2所述的六行to263框架,其特征在于,基岛(2)上表面到引脚件(3)上表面的垂直距离为0.3-1.25mm。

7.根据权利要求1所述的六行to263框架,其特征在于,散热片(5)左右两侧均设置有连接片,相邻两个散热片(5)通过连接片连接。

8.一种六行to263框架的加工方法,用于加工如权利要求1-7任一项所述的六行to263框架,其特征在于,包括以下步骤,

9.根据权利要求8所述的六行to263框架的加工方法,其特征在于,在步骤s3中,打凹辅助装置包括打凹组件和检测组件,打凹组件用于对基岛(2)进行打凹,检测组件用于对框架本体进行检测。

10.根据权利要求9所述的六行to263框架的加工方法,其特征在于,首先半成品框架本体进入到打凹组件中,打凹组件对基岛(2)进行打凹,之后打凹完成后的框架本体进入到检测组件中,检测组件对打凹完成后的框架本体进行检测,合格品继续运行,不合格品取出。


技术总结
本发明提供了一种六行TO263框架及其加工方法,涉及芯片封装技术领域,包括框架本体,框架本体上设置有三行打凹区,相邻两行打凹区之间连接有引脚区一,打凹区包括两行基岛区和一行散热区,散热区设置于两行基岛区之间,基岛区包括有若干横向设置的基岛,散热区包括有若干横向设置的散热片,引脚区一包括有若干横向设置的引脚件,上下侧的打凹区相互远离的一侧设置有框架边框。本发明通过设置有三行打凹区,以及每一个打凹区内设置有两行基岛区,即形成了六行基岛区,从而增加了框架上芯片的安装数量,提高了框架的利用率,单次的加工效率得到了显著提升,实用性及经济性强。

技术研发人员:张怡,曹周,蔡择贤,朱成昆,曾文杰,胡尾,潘英明
受保护的技术使用者:广东气派科技有限公司
技术研发日:
技术公布日:2024/5/29
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