本申请各实施例属半导体，尤其涉及一种沟槽igbt结构。
背景技术：
1、现有技术中的绝缘栅双极晶体管(简称：igbt)，如图1所示，沟槽之间的区域都要通过发射极接触孔09和13引出发射极，但是器件导通时增小了载流子在的积累，从而使器件正面载流子浓度减小，具有高导通电压。
技术实现思路
1、为了解决或缓解现有技术中的问题。因此提出了一种沟槽igbt结构，包括：衬底、栅极沟槽和发射极沟槽；
2、所述衬底中设置有栅极沟槽和发射极沟槽；
3、所述igbt结构通过第一发射极接触孔和第二发射极接触孔中填充的第一金属层引出发射极，所述栅极沟槽通过栅极接触孔中填充的第二金属层引出栅极；
4、所述衬底从上表面往下依次设置有第一注入区和第二注入区，部分所述第一注入区中设置有第三注入区；
5、所述衬底上表面设置有介质层，所述栅极沟槽和发射极沟槽中填充有多晶硅；所述第一发射极接触孔从上到下贯穿介质层直到第一发射极接触孔底部抵达发射极沟槽中的多晶硅中；
6、所述第二发射极接触孔从上到下贯穿介质层和第三注入区直到第二发射极接触孔底部抵达第一注入区中；
7、所述衬底的下表面设置有第四注入区；
8、其中，所述第二注入区、第三注入区和衬底为第一掺杂类型，所述第一注入区和第四注入区为第二掺杂类型。
9、作为本申请一优选实施例，所述第一掺杂类型为n型，第二掺杂类型为p型。
10、作为本申请一优选实施例，所述栅极沟槽和发射极沟槽的深度相同。
11、与现有技术相比，本申请实施例提供了一种沟槽igbt结构，该结构通去除部分发射极接触孔的方式，使对应的第一注入区浮空，器件导通时增强载流子在第一注入区的积累，从而使器件正面载流子浓度增加，具有低导通电压。
1.一种沟槽igbt结构，其特征在于，包括：衬底、栅极沟槽和发射极沟槽；
2.如权利要求1所述的一种沟槽igbt结构，其特征在于，所述第一掺杂类型为n型，第二掺杂类型为p型。
3.如权利要求1所述的一种沟槽igbt结构，其特征在于，所述栅极沟槽和发射极沟槽的深度相同。
