本公开涉及半导体制造工艺，尤其涉及进气装置及半导体处理设备。
背景技术：
1、等离子体化学气相沉积(plasma chemical vapor deposition)是指用等离子体激活反应气体，促进在基体表面或近表面空间进行化学反应，生成固态膜的技术。等离子体化学气相沉积技术的基本原理是在高频或直流电场作用下，源气体电离形成等离子体，利用等离子体作为能量源，通入适量的反应气体，利用等离子体放电，使反应气体激活并实现化学气相沉积的技术。等离子体化学气相沉积技术广泛应用于半导体元件的薄膜沉积。
2、其中，电感耦合等离子体技术常被用于导体刻蚀(例如，铝、硅等)。
3、如图1所示，展示相关技术中电感耦合机台结构示意图。在图1中，所述电感耦合机台包括：射频系统101、屏蔽罩102、射频线圈103、绝缘介质窗104、腔体盖105、真空的反应腔106、气体喷嘴107（位于a中）、晶圆108、晶圆载台109、抽气管道110等。射频系统101产生射频源导入到射频线圈103，射频线圈103在射频源作用下产生交变电流，根据法拉第定理交变电流产生交变电磁场。由于绝缘介质窗104为绝缘体，无法屏蔽电磁场，射频线圈103产生的电磁场通过绝缘介质窗104馈入到反应腔106中，进而因电感耦合产生辉光放电现象。反应气体通过进气管道111由气体喷嘴107喷入反应腔106并被电离。被电离后的工艺气体具备高活性参与晶圆108表面化学反应，反应副产物被抽气泵作用下从抽气管道110带走。
4、可以发现，反应气体的进气方向会影响晶圆刻蚀或镀膜的均匀性。所述进气方向由所述气体喷嘴所控制。因此，如何设置气体喷嘴的出气方向，以满足晶圆表面反应（刻蚀或镀膜）的均匀性要求，实为对于晶圆加工质量而言非常重要的一点。
技术实现思路
1、鉴于以上所述现有技术的缺点，本公开的目的在于提供进气装置及半导体处理设备，解决相关技术中的问题。
2、本公开第一方面提供一种进气装置，装设于半导体处理设备的反应腔；所述进气装置包括：座体，可拆卸地设于所述反应腔，且至少部分位于所述反应腔内，设有安装腔；所述安装腔的壁面形成向反应腔内延伸至出气端的导气面，所述导气面为外凸面；气体输送件，可分离地设于所述安装腔，设有连通外部及所述安装腔的反应气体的输气通道，且与所述安装腔的壁面之间间隙形成出气通道；其中，在附壁效应下，所述反应气体被沿所述导气面所确定的气流路径引导，所述气流路径确定所述进气装置对反应腔的进气角度。
3、在第一方面的实施例中，所述导气面为凸曲面。
4、在第一方面的实施例中，所述安装腔沿一轴线的轴向延伸，所述轴线沿相对所述反应腔的一个远近方向延伸，所述气体输送件可活动地设于所述安装腔内。
5、在第一方面的实施例中，所述气体输送件可沿所述轴向运动地设于所述安装腔；和/或，所述气体输送件可绕所述轴线进行周向旋转地设于所述安装腔。
6、在第一方面的实施例中，所述气体输送件包括：内部形成的气腔，其靠近反应腔外的一端连通至外部；通气孔，布置成从所述气腔穿透所述气体输送件的壳壁并连通所述出气通道。
7、在第一方面的实施例中，所述出气端的位置可调，以令所述进气角度可调。
8、在第一方面的实施例中，所述座体包括：设有所述出气端的活动部，所述活动部活动连接在所述座体，其活动时带动所述出气端。
9、在第一方面的实施例中，所述活动部可转动和/或平移的设置。
10、在第一方面的实施例中，所述活动部在活动后维持所述导气面表面平滑。
11、本公开第二方面提供一种半导体处理设备，包括：反应腔；以及如第一方面中任一项所述的进气装置，装设于所述反应腔。
12、如上所述，本公开实施例中提供一种进气装置，装设于半导体处理设备的反应腔；所述进气装置包括：座体，可拆卸地设于所述反应腔，且至少部分位于所述反应腔内，设有安装腔；所述安装腔的壁面形成向反应腔内延伸至出气端的导气面，所述导气面为外凸面；气体输送件，可分离地设于所述安装腔，设有连通外部及所述安装腔的反应气体的输气通道，且与所述安装腔的壁面之间间隙形成出气通道；其中，在附壁效应下，所述反应气体被沿所述导气面所确定的气流路径引导，所述气流路径确定所述进气装置对反应腔的进气角度。通过更换不同曲度导气面的座体，或者导气面活动可调等，可根据反应腔实际情况进行选择对进气角度进行调节，以达到更好的晶圆反应处理均匀度。
1.一种进气装置，其特征在于，装设于半导体处理设备的反应腔；所述进气装置包括：
2.根据权利要求1所述的进气装置，其特征在于，所述导气面为凸曲面。
3.根据权利要求1所述的进气装置，其特征在于，所述安装腔沿一轴线的轴向延伸，所述轴线沿相对所述反应腔的一个远近方向延伸，所述气体输送件可活动地设于所述安装腔内。
4.根据权利要求3所述的进气装置，其特征在于，所述气体输送件可沿所述轴向运动地设于所述安装腔；和/或，所述气体输送件可绕所述轴线进行周向旋转地设于所述安装腔。
5.根据权利要求1所述的进气装置，其特征在于，所述气体输送件包括：
6.根据权利要求1所述的进气装置，其特征在于，所述出气端的位置可调，以令所述进气角度可调。
7.根据权利要求1所述的进气装置，其特征在于，所述座体包括：设有所述出气端的活动部，所述活动部活动连接在所述座体，其活动时带动所述出气端。
8.根据权利要求7所述的进气装置，其特征在于，所述活动部可转动和/或平移的设置。
9.根据权利要求7所述的进气装置，其特征在于，所述活动部在活动后维持所述导气面表面平滑。
10.一种半导体处理设备，其特征在于，包括：反应腔；以及如权利要求1至9中任一项所述的进气装置，装设于所述反应腔。
