本技术涉及晶体生长，具体为一种可升降的下降法晶体生长装置。
背景技术：
1、人工晶体的生长方法主要有溶液生长法、水热生长法、助溶剂法、提拉法、坩埚下降法等，其中提拉法和坩埚下降法是制备大单晶和特定形状的单晶最常用的和最重要的一种方法，在电子学、光学等现代技术应用中所需要的单晶材料生长领域有不可动摇的主导地位。
2、根据中国专利cn209276670u所公开的一种用于下降法晶体生长的承托机构，包括下降炉，下降炉内设置有承托碗，承托碗为空心圆柱形，承托碗的一端与托杆固定相连，托杆与下降装置相连；承托碗的另一端容置有坩埚，坩埚与承托碗的间隙填充有低导热材料，下降装置可通过托杆带动坩埚在下降炉内上下移动，该实用新型的用于下降法晶体生长的承托机构结构简单，但是其坩埚不处于密封真空环境，会影响晶体生长质量，故而提出一种可升降的下降法晶体生长装置来解决上述提出的问题。
技术实现思路
1、针对现有技术的不足，本实用新型提供了一种可升降的下降法晶体生长装置，具备设备密封简单，方便抽真空等优点，解决了坩埚不处于密封真空环境，会影响晶体生长质量的问题。
2、为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：一种可升降的下降法晶体生长装置，包括底座和升降密封机构，所述底座的顶部设置有升降密封机构；
3、所述升降密封机构包括固定安装于底座顶部的双轴电机，所述双轴电机输出轴固定安装有第一锥形齿轮，所述底座顶部的左右两侧均活动安装有螺纹杆，所述螺纹杆的外表面固定安装有与第一锥形齿轮啮合的第二锥形齿轮，所述螺纹杆之间螺纹连接有底板，所述螺纹杆的顶部活动安装有连接架，所述连接架的内侧固定安装有保温罩体，所述保温罩体内部固定安装有加热板，所述底板顶部的中间固定安装有连接杆，所述连接杆的顶部固定安装有坩埚。
4、进一步，所述底座顶部的左右两侧均固定安装有固定块，所述双轴电机输出轴贯穿固定块外部并与固定块活动连接。
5、进一步，所述固定块的水平高度大于第二锥形齿轮和双轴电机的高度，所述底座顶部的正面和背面均固定安装有一端贯穿底板并与连接架固定连接的固定杆。
6、进一步，所述保温罩体的形状为圆柱形，所述固定杆与底板滑动连接。
7、进一步，所述底板的形状为凸字形，所述底板表面固定安装有与保温罩体抵接的防漏气层。
8、进一步，所述保温罩体左侧的顶部固定安装有一端贯穿并延伸至保温罩体内部的通气口，所述加热板的位置与坩埚的位置相对应。
9、进一步，所述连接杆的外表面固定安装有第一隔温板，所述保温罩体的内侧固定安装有与第一隔温板抵接的第二隔温板。
10、与现有技术相比，本申请的技术方案具备以下有益效果：
11、该可升降的下降法晶体生长装置，通过设置双轴电机、螺纹杆和底板，在将坩埚上升的同时使保温罩体进行密封，通过设置通气口，可对保温罩体进行抽真空，方便快捷的使坩埚处于全密闭的环境，可防止外界害物质对原料的影响，保证了晶体的生长质量。
1.一种可升降的下降法晶体生长装置，包括底座(1)和升降密封机构，其特征在于：所述底座(1)的顶部设置有升降密封机构；
2.根据权利要求1所述的一种可升降的下降法晶体生长装置，其特征在于：所述底座(1)顶部的左右两侧均固定安装有固定块(12)，所述双轴电机(2)输出轴贯穿固定块(12)外部并与固定块(12)活动连接。
3.根据权利要求2所述的一种可升降的下降法晶体生长装置，其特征在于：所述固定块(12)的水平高度大于第二锥形齿轮(5)和双轴电机(2)的高度，所述底座(1)顶部的正面和背面均固定安装有一端贯穿底板(6)并与连接架(7)固定连接的固定杆(13)。
4.根据权利要求3所述的一种可升降的下降法晶体生长装置，其特征在于：所述保温罩体(8)的形状为圆柱形，所述固定杆(13)与底板(6)滑动连接。
5.根据权利要求1所述的一种可升降的下降法晶体生长装置，其特征在于：所述底板(6)的形状为凸字形，所述底板(6)表面固定安装有与保温罩体(8)抵接的防漏气层(14)。
6.根据权利要求1所述的一种可升降的下降法晶体生长装置，其特征在于：所述连接杆(10)的外表面固定安装有第一隔温板(15)，所述保温罩体(8)的内侧固定安装有与第一隔温板(15)抵接的第二隔温板(16)。
7.根据权利要求1所述的一种可升降的下降法晶体生长装置，其特征在于：所述保温罩体(8)左侧的顶部固定安装有一端贯穿并延伸至保温罩体(8)内部的通气口(17)，所述加热板(9)的位置与坩埚(11)的位置相对应。
