本发明涉及电子电路，尤其涉及一种温升保护电路及功率开关芯片。
背景技术：
1、功率开关芯片通过控制内部的功率管（mosfet管）的导通向负载电路提供电流、电压通路。当负载电路发生短路或过流故障时，功率管需要承担较大的功率，导致功率管的结温迅速升高，进而导致功率管发生过热损坏。
2、现有技术中，常见的功率开关芯片温升保护方案中，在功率开关芯片的功率管附近，设置第一温度传感器，检测功率管的温度；在离功率管较远的位置设置第二温度传感器。当功率管的温度迅速升高时，第一温度传感器的输出电压迅速变化。由于第二温度传感器与功率管的距离较远，故短时间内的输出电压的变化幅度较小。通过检测第一温度传感器的输出电压与第二温度传感器的输出电压的差值确定温度差值，当温度差值大于一定阈值时关闭功率管，以保护功率管。当温度差值小于一定阈值时，功率管继续工作。
3、现有的用于功率开关芯片的温升保护电路，通常需要设置至少两个温度传感器才能够实现温度保护功能。
技术实现思路
1、本发明的目的在于提供一种温升保护电路，采用一个温度传感器实现对功率开关芯片中的功率管进行温升保护。
2、第一方面，本发明提供了一种温升保护电路，包括：温度传感单元、第一开关单元、第一阻抗单元、第一电流源、平滑滤波单元、比较单元以及控制单元；其中：所述温度传感单元，适于检测功率开关芯片中功率管的实时温度，并输出表征所述实时温度的第一电信号；所述第一开关单元，其控制端与所述温度传感单元的第一端耦接，其第一端输入电源电压，其第二端与所述第一阻抗单元的第一端耦接；所述第一阻抗单元，其第一端与所述比较单元的第一输入端耦接，其第二端与所述第一电流源的第一端、所述平滑滤波单元的第一端耦接；所述第一电流源的第二端接地；所述平滑滤波单元，适于对所述第一电信号进行平滑滤波处理，平滑滤波处理后得到的平滑滤波电信号输入至所述比较单元的第二输入端；所述比较单元，其输出端输出比较结果至所述控制单元；所述控制单元，适于基于所述比较结果，输出控制信号至所述功率管的控制端以控制所述功率管的通断状态。
3、通过温度传感单元检测功率开关芯片中的功率管的实时温度，并将表征实时温度的第一电信号输出至平滑滤波电路，得到平滑滤波电信号。通过第一比较单元对平滑滤波电信号与第一电阻的第一端的电信号（也即温度传感单元的第一端的电信号）进行比较，向控制单元输出比较结果。控制单元基于比较结果，确定控制功率管导通或断开的逻辑，进而生成相应的控制信号并输出至功率管的控制端，控制功率管的通断状态，从而采用一个温度传感单元即可实现对功率管的温升保护。
4、可选的，所述平滑滤波单元包括无源滤波器或有源滤波器。
5、可选的，所述无源滤波器包括rc滤波器，所述rc滤波器包括滤波电阻以及滤波电容。
6、可选的，所述滤波电阻，其第一端与所述第一阻抗单元的第二端耦接，其第二端与所述滤波电容的第一端耦接；所述滤波电容，其第二端接地。
7、可选的，温升保护电路还包括：第二开关单元以及第二电流源，其中：所述第二开关单元，其第一端输入所述电源电压，其第二端与所述第二电流源的第一端耦接，其控制端与所述温度传感单元的第二端耦接；所述第二电流源，其第二端接地。
8、可选的，所述滤波电阻，其第一端与所述第一阻抗单元的第二端耦接，其第二端与所述滤波电容的第一端耦接；所述滤波电容，其第二端与所述第二开关单元的第二端耦接。
9、可选的，所述第二开关单元包括第二nmos管，所述第二nmos管的漏极为所述第二开关单元的第一端，所述第二nmos管的栅极为所述第二开关单元的控制端，所述第二nmos管的源极为所述第二开关单元的第二端。
10、可选的，所述温度传感单元包括二极管，所述二极管的压降与所述功率管的温度线性负相关。
11、可选的，所述第一开关单元包括第一nmos管，所述第一nmos管的漏极为所述第一开关单元的第一端，所述第一nmos管的栅极为所述第一开关单元的控制端，所述第一nmos管的源极为所述第一开关单元的第二端。
12、第二方面，本发明还提供了一种功率开关芯片，包括上述任一种所述的温升保护电路。
1.一种温升保护电路，其特征在于，包括：温度传感单元、第一开关单元、第一阻抗单元、第一电流源、平滑滤波单元、比较单元、第二开关单元、第二电流源以及控制单元；其中：
2.如权利要求1所述的温升保护电路，其特征在于，所述平滑滤波单元包括无源滤波器或有源滤波器。
3.如权利要求2所述的温升保护电路，其特征在于，所述无源滤波器包括rc滤波器，所述rc滤波器包括滤波电阻以及滤波电容。
4.如权利要求3所述的温升保护电路，其特征在于，所述滤波电阻，其第一端与所述第一阻抗单元的第二端耦接，其第二端与所述滤波电容的第一端耦接；
5.如权利要求4所述的温升保护电路，其特征在于，所述滤波电阻，其第一端与所述第一阻抗单元的第二端耦接，其第二端与所述滤波电容的第一端耦接；
6.如权利要求1所述的温升保护电路，其特征在于，所述第二开关单元包括第二nmos管，所述第二nmos管的漏极为所述第二开关单元的第一端，所述第二nmos管的栅极为所述第二开关单元的控制端，所述第二nmos管的源极为所述第二开关单元的第二端。
7.如权利要求1~6任一项所述的温升保护电路，其特征在于，所述温度传感单元包括二极管，所述二极管的压降与所述功率管的温度线性负相关。
8.如权利要求7所述的温升保护电路，其特征在于，所述第一开关单元包括第一nmos管，所述第一nmos管的漏极为所述第一开关单元的第一端，所述第一nmos管的栅极为所述第一开关单元的控制端，所述第一nmos管的源极为所述第一开关单元的第二端。
9.一种功率开关芯片，其特征在于，包括如权利要求1~8任一项所述的温升保护电路。
