本发明的示例性实施方式涉及测量方法和测量系统。
背景技术：
1、专利文献1公开了一种方法，用于求取配置在由边缘环包围的区域内的测量器的中心位置相对于该区域的中心位置的错位(偏离)量。
2、现有技术文献
3、专利文献
4、专利文献1：日本特开2019-96757号公报
技术实现思路
1、发明要解决的技术问题
2、本发明提供一种使用测量器来测量测量器与边缘环之间的静电电容(静电容量)的技术。
3、解决问题的技术手段
4、在一个示例性实施方式中，提供一种在处理系统的腔室内获取表示测量器与边缘环之间的静电电容的测量值的测量方法。处理系统具有工艺组件、输送装置和控制部。工艺组件具有提供腔室的腔室主体。工艺组件具有设置在腔室内的载置台。载置台之上能够载置测量器。输送装置向腔室内输送测量器。控制部控制输送装置的动作。测量器包括基座基片和多个传感器电极。基座基片呈圆盘状。多个传感器电极被设置于基座基片。该方法包括使边缘环保持于载置台的工序(也可以称为步骤)。该方法包括将测量器输送到载置台上由边缘环包围的区域的工序。该方法包括利用输送到区域的内侧的测量器获取表示测量器与具有导电性膜的边缘环之间的静电电容的多个测量值的工序。保持于载置台的边缘环具有边缘环主体和组成与边缘环主体不同的导电性膜，导电性膜形成于边缘环主体的表面的至少一部分。
5、发明效果
6、根据一个示例性实施方式的测量器，能够测量测量器与边缘环之间的静电电容。
1.一种测量方法，在处理系统的腔室内获取表示测量器与边缘环之间的静电电容的测量值，其中，
2.根据权利要求1所述的测量方法，其中，
3.根据权利要求1或2所述的测量方法，其中，
4.根据权利要求1～3中任一项所述的测量方法，其中，
5.根据权利要求1～4中任一项所述的测量方法，其中，
6.根据权利要求5所述的测量方法，其中，
7.根据权利要求6所述的测量方法，其中，
8.根据权利要求7所述的测量方法，其中，
9.根据权利要求7或8所述的测量方法，其中，还包括：
10.根据权利要求7～9中任一项所述的测量方法，其中，还包括：
11.根据权利要求1～10中任一项所述的测量方法，其中，
12.根据权利要求1～11中任一项所述的测量方法，其中，还包括：
13.根据权利要求1～12中任一项所述的测量方法，其中，
14.一种测量系统，其在处理系统的腔室内获取表示测量器与边缘环之间的静电电容的测量值，其中，
