显示面板及其重工方法、显示设备与流程

专利检索2025-02-03  4


本申请涉及显示,具体而言,本申请涉及一种显示面板及其重工方法、显示设备。


背景技术:

1、在现有显示面板的生产过程中,封装工序通常是将封装层粘贴于显示面板的显示侧。例如,对于包括micro led(light emitting diode)和mini led的微发光二极管显示面板而言,封装层通过粘结剂粘贴在微发光二极管远离衬底的一侧。

2、目前,在封装过程中,可能会出现封装层偏移设定位置、微发光二极管损坏的情况,这需要去除封装层以进行重工。但是,在封装层的去除过程中,通常需要向封装层施加较大的外力以将封装层撕扯下来,这容易导致微发光二极管、甚至是衬底的损坏,导致显示面板的良率较低。


技术实现思路

1、本申请针对现有方式的缺点,提出一种显示面板及其重工方法、显示设备,用以解决现有技术中重工过程中封装层去除容易导致微发光二极管、衬底容易损坏的技术问题。

2、第一个方面,本申请实施例提供了一种显示面板,包括:

3、衬底;

4、至少两个发光器件,阵列排布于衬底的一侧;

5、第一粘结层,至少覆盖衬底未被发光器件覆盖的区域;第一粘结层受到激发条件下的粘性,小于第一粘结层未受到激发条件下的粘性;

6、封装层,设置于第一粘结层远离衬底的一侧。

7、第二个方面,本申请实施例提供了显示设备,包括:第一个方面所提供的显示面板。

8、第三个方面,本申请实施例提供了一种显示面板的重工方法,包括:

9、将待重工显示面板中部分封装层与衬底分离,使得位于封装层和衬底之间的部分第一粘结层露出;

10、向出露的部分第一粘结层涂覆有机溶剂,第一粘结层的有机粘结剂溶解于有机溶剂,使得第一粘结层的粘性减小;

11、将封装层和衬底分离。

12、第四个个方面,本申请实施例提供了另一种显示面板的重工方法,包括:

13、向待重工显示面板中衬底远离第一粘结层的一侧照射设定波长范围的光,第一粘结层中的光引发剂在设定波长范围的光照射下引发粘结剂发生聚合反应,使得第一粘结层的粘性减小;

14、将封装层和衬底分离。

15、本申请实施例提供的技术方案带来的有益技术效果包括:

16、在本申请实施例提供的显示面板中,通过在衬底和封装层之间设置第一粘结层,且第一粘结层受到激发条件下的粘性,小于第一粘结层未受到激发条件下的粘性,从而在后续重工工序过程中,通过向第一粘结层施加激发条件,能够降低第一粘结层的粘性,有利于封装层和衬底的分离,无需使用较大外力拉扯封装层,从而能够降低衬底以及设置于衬底上的发光器件被损坏的几率,进而能够提高封装层和衬底的分离效率,能够提高重工良率,有利于降低显示面板的生产成本。

17、本申请附加的方面和优点将在下面的描述中部分给出,这些将从下面的描述中变得明显,或通过本申请的实践了解到。



技术特征:

1.一种显示面板,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述第一粘结层包括有机粘结剂;所述激发条件包括接触有机溶剂。

3.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,还包括:

4.根据权利要求3所述的显示面板,其特征在于,还包括:

5.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述第一粘结层包括粘结剂和光引发剂;

6.根据权利要求5所述的显示面板,其特征在于,所述第一粘结层远离所述衬底的一侧设置有滤光层。

7.根据权利要求6所述的显示面板,其特征在于,所述衬底中设置有导电走线,至少部分所述导电走线设置有开口,所述开口沿衬底指向封装层的方向上贯穿所述导电走线,用于透过部分所述设定波长范围的光。

8.根据权利要求5所述的显示面板,其特征在于,所述第一粘结层为吸光膜层,所述第一粘结层远离所述衬底的表面与所述衬底的垂直距离,小于或等于所述发光器件远离所述衬底的表面与所述衬底的垂直距离。

9.根据权利要求8所述的显示面板,其特征在于,还包括:

10.一种显示设备,其特征在于,包括:权利要求1-9中任一项所述的显示面板。

11.一种基于权利要求2-4中任一项所述显示面板的重工方法,其特征在于,包括:

12.一种基于权利要求5-9中任一项所述显示面板的重工方法,其特征在于,包括:


技术总结
本申请实施例提供了一种显示面板及其重工方法、显示设备。在本申请实施例提供的显示面板中,通过在衬底和封装层之间设置第一粘结层,且第一粘结层受到激发条件下的粘性,小于第一粘结层未受到激发条件下的粘性,从而在后续重工工序过程中,通过向第一粘结层施加激发条件,能够降低第一粘结层的粘性,有利于封装层和衬底的分离,无需使用较大外力拉扯封装层,从而能够降低衬底以及设置于衬底上的发光器件被损坏的几率,进而能够提高封装层和衬底的分离效率,能够提高重工良率,有利于降低显示面板的生产成本。

技术研发人员:李健,杨志富,李金鹏,李召辉,黄龙涛,张维,张腾,吴春波,张树柏,张富群,沈佳佳,程浩
受保护的技术使用者:京东方晶芯科技有限公司
技术研发日:
技术公布日:2024/5/29
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