本发明涉及一种存储器元件及其制造方法，尤其涉及一种动态随机存取存储器及其制造方法。
背景技术：
1、随着科技的进步，各类电子产品皆朝向轻薄短小的趋势发展。然而，在这趋势之下，动态随机存取存储器的关键尺寸亦逐渐缩小，其导致动态随机存取存储器中的接触窗与有源区之间的接触电阻增加，进而降低可靠度。因此，如何降低接触窗与有源区之间的接触电阻，提升动态随机存取存储器的可靠度将变成相当重要的一门课题。
技术实现思路
1、本发明提供一种动态随机存取存储器及其制造方法，其可以降低电容器接触窗与有源区之间的接触电阻，提升可靠度。
2、本发明的一种动态随机存取存储器，包括衬底、多个隔离结构、多个位线结构以及接触窗。衬底具有有源区。多个隔离结构形成于衬底中，以分隔出有源区。多个位线结构设置于衬底上，且每一位线结构至少包括导电结构、绝缘盖层与间隙壁。绝缘盖层设置于导电结构上。间隙壁设置于导电结构的侧壁与绝缘盖层的侧壁上。导电结构被配置为与有源区电性连接。接触窗位于多个位线结构之间，且接触窗的至少一部分延伸至多个位线结构的一者的间隙壁的下方。
3、本发明的动态随机存取存储器的制造方法至少包括以下步骤。提供具有有源区的衬底。形成多个位线结构于衬底上。每一位线结构至少包括导电结构、绝缘盖层与间隙壁。绝缘盖层设置于导电结构上，间隙壁设置于导电结构的侧壁与绝缘盖层的侧壁上，导电结构被配置为与有源区电性连接。相邻位线结构之间形成有凹槽，凹槽暴露出部分有源区。进行氧化工艺，以使暴露出的有源区形成氧化层。移除氧化层，以使凹槽朝间隙壁的下方延伸形成接触窗开口。于接触窗开口中形成接触窗。
4、基于上述，本发明通过局部地氧化接触窗开口所暴露出的有源区并移除所形成的氧化层，可提升接触窗开口暴露出有源区的面积，如此一来，可以提升后续形成于接触窗开口内的接触窗与有源区之间的接触面积，进而可以降低接触窗与有源区之间的接触电阻，提升动态随机存取存储器的可靠度。
1.一种动态随机存取存储器，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的动态随机存取存储器，其特征在于，所述接触窗嵌入所述衬底内。
3.根据权利要求1所述的动态随机存取存储器，其特征在于，所述接触窗直接接触所述间隙壁的侧壁及所述间隙壁的所述下方的至少一部分。
4.根据权利要求1所述的动态随机存取存储器，其特征在于，所述接触窗具有第一底面与第二底面，所述第一底面与所述有源区接触，所述第二底面与所述隔离结构接触，且所述第二底面高于所述第一底面。
5.根据权利要求1所述的动态随机存取存储器，其特征在于，所述接触窗包括第一部分与第二部分，所述第一部分形成于所述第二部分上，所述第一部分的材料与所述第二部分的材料不同。
6.根据权利要求1所述的动态随机存取存储器，其特征在于，所述多个隔离结构的一者的边缘位于所述接触窗内。
7.根据权利要求1所述的动态随机存取存储器，其特征在于，所述多个位线结构中的另一者还包括绝缘层，所述绝缘层位于所述导电结构与所述衬底之间，且所述接触窗的至少一部分延伸至所述多个位线结构的所述另一者的所述间隙壁的下方。
8.一种动态随机存取存储器的制造方法，其特征在于，包括：
9.根据权利要求8所述的动态随机存取存储器的制造方法，其特征在于，形成所述凹槽的步骤还包括进行回蚀刻工艺，以加大所述凹槽的深度。
10.根据权利要求8所述的动态随机存取存储器的制造方法，其特征在于，所述间隙壁的所述下方具有隔离结构，所述接触窗开口暴露出部分所述隔离结构。
11.根据权利要求8所述的动态随机存取存储器的制造方法，其特征在于，所述接触窗开口的底面具有阶梯状的剖面。
12.根据权利要求8所述的动态随机存取存储器的制造方法，其特征在于，所述接触窗开口具有第一宽度、第二宽度与第三宽度，所述第一宽度距离所述衬底最远，所述第三宽度距离所述衬底最近，所述第二宽度位于所述第一宽度与所述第三宽度之间，且所述第二宽度大于所述第一宽度与所述第三宽度。
13.根据权利要求8所述的动态随机存取存储器的制造方法，其特征在于，所述多个位线结构中的一者还包括绝缘层，所述绝缘层位于所述导电结构与所述衬底之间，且所述接触窗开口朝所述多个位线结构中的所述一者下方延伸。
