本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种晶圆的切割方法。
背景技术：
1、目前，半导体切割方法普遍是通过机械加工来实现。例如，晶圆的切割工艺流程需要将晶圆底部打磨减薄，然后用旋转的磨轮刀具对晶圆进行切割。在切割的过程中，很容易造成晶圆半导体的内应力从而造成型变。但无论是机械磨底减薄还是正面的机械切割，都会造成较大的内应力，内应力使半导体产生型变，例如，常规的切割产生的型变高达1.6μm-2.0μm。过大的型变将使坏品率增大，不利于生产需要。
2、因此，亟待提供一种改进的晶圆切割方法以克服以上缺陷。
技术实现思路
1、本发明的目的在于提供一种改进的晶圆的切割方法，大大降低晶圆切割时产生的应力，从而减少半导体的型变，提高产品的良品率。
2、为实现上述目的，本发明晶圆的切割方法，包括以下步骤：
3、向晶圆的正面照射激光光束，使所述正面形成第一切割通道；以及
4、在晶圆的所述正面覆盖保护膜，在晶圆的背面进行蚀刻形成第二切割通道；
5、其中，所述第二切割通道的深度大于所述第一切割通道的深度，所述第一切割通道和所述第二切割通道相连通以切割分离所述晶圆。
6、与现有技术相比，本发明首先对晶圆的正面采用激光光束进行切割，接着对晶圆的背面进行蚀刻，其中蚀刻的深度大于激光切割深度，使得正面切割和背面切割后，实现晶圆的分割。激光切割和蚀刻切割相结合，取代传统的机械磨轮切割或研磨，将大大降低被切割体产生的应力，从而减少晶圆内的半导体部件，如芯片的型变，进而降低芯片的坏品率。
7、较佳地，所述激光光束的波长为532nm。
8、较佳地，所述激光光束的脉冲宽度为550-750ps，频率为2500-3000khz，单个聚焦光点的能量为45-500μj。
9、较佳地，所述激光光束为线偏振态。
10、较佳地，所述第一切割通道的深度为0.40-0.50mm。所述第二切割通道的深度为1.5-1.8mm。
11、较佳地，所述蚀刻的工艺条件包括：采用cf4、chf3和o2混合气体，控制腔室温度为18-20℃，腔室压强为50 -70mtorr，源功率为2500-2800w，偏置功率为60-80w。
12、较佳地，所述混合气体的总流量为1200-1250sccm，其中cf4、chf3和o2的体积比为5：4：1。
13、较佳地，所述保护膜为uv胶。
1.一种晶圆的切割方法，其特征在于包括以下步骤：
2.如权利要求1所述的晶圆的切割方法，其特征在于：所述激光光束的波长为532nm。
3.如权利要求1所述的晶圆的切割方法，其特征在于：所述激光光束的脉冲宽度为550-750ps，频率为2500-3000khz，单个聚焦光点的能量为45-500μj。
4.如权利要求1所述的晶圆的切割方法，其特征在于：所述激光光束为线偏振态。
5.如权利要求1所述的晶圆的切割方法，其特征在于：所述第一切割通道的深度为0.40-0.50mm。
6.如权利要求1所述的晶圆的切割方法，其特征在于，所述蚀刻的工艺条件包括：采用cf4、chf3和o2混合气体，控制腔室温度为18-20℃，腔室压强为50-70mtorr，源功率为2500-2800w，偏置功率为60-80w。
7.权利要求6所述的晶圆的切割方法，其特征在于：所述混合气体的总流量为1200-1250sccm，其中cf4、chf3和o2的体积比为5：4：1。
8.如权利要求1所述的晶圆的切割方法，其特征在于：所述第二切割通道的深度为1.5-1.8mm。
9.如权利要求1所述的晶圆的切割方法，其特征在于：所述保护膜为uv胶。
