本发明涉及一种铜箔结构，尤其是涉及一种经表面处理后的铜箔结构与其制造方法。
背景技术：
1、铜箔本身容易氧化生成氧化铜，进而影响导电性。现行技术是在铜箔上再含浸金属或有机抗氧化剂来进行表面处理，以避免铜面氧化。
2、然而，铜箔的表面处理也会对铜箔的应用造成限制。举例来说，在锂电池中，阴极可以依序由“铜箔-抗氧化层-电极材料”所构成。此时，若抗氧化层过厚，将使得电极材料与铜箔之间电阻上升，进而影响电极的活性与电池循环维持率；若抗氧化层太薄，将可能会影响其抗氧化能力，不利于电池加工的信赖性。因此，开发一种新的抗氧化层来兼具其抗氧化力且不影响铜箔导电性，是目前业界努力的目标。
技术实现思路
1、本发明是针对一种铜箔结构及其制造方法，该铜箔经表面处理后，可有避免铜面氧化并避免电阻上升。
2、本发明的铜箔结构包括铜箔层以及导电有机抗氧化层。导电有机抗氧化层设置于铜箔层上。导电有机抗氧化层包括有机抗氧化物与导电高分子。
3、在本发明的一实施例中，上述的铜箔结构更包括金属抗氧化层。金属抗氧化层设置于铜箔层与导电有机抗氧化层之间。
4、在本发明的一实施例中，上述的铜箔结构更包括金属抗氧化层。金属抗氧化层设置于铜箔层上，且导电有机抗氧化层位于铜箔层与金属抗氧化层之间。
5、在本发明的一实施例中，上述的导电高分子选自聚苯胺(polyaniline；pani)、聚吡咯(polypyrrole；ppy)、聚噻吩(polythiophene；pt)以及聚苯硫醚(polyphenylenesulfide；pps)之中的至少一者。
6、在本发明的一实施例中，以上述的导电有机抗氧化层的总重量计，导电高分子的含量为0.01重量％至5重量％。
7、在本发明的一实施例中，上述的导电有机抗氧化层更包括樟脑磺酸(camphorsulfonic acid；csa)，且导电高分子与樟脑磺酸的含量比为1：0.25至1：4。
8、在本发明的一实施例中，上述的有机抗氧化物选自2-巯基苯并恶唑(2-mercaptobenzoxazole；mbo)、苯并三唑(benzotriazole)、4-羧酸基苯并三唑(4-carboxybenzotriazole)、5-胺基四唑(5-aminotetrazole)以及3-胺基三唑(triazol-3-amine)之中的至少一者。
9、在本发明的一实施例中，以上述的导电有机抗氧化层的总重量计，有机抗氧化物的含量为95重量％至99.9重量％。
10、本发明的铜箔结构的制造方法包括以下步骤。提供铜箔层提供铜箔层。接着，形成导电有机抗氧化层于铜箔层上，其中导电有机抗氧化层包括有机抗氧化物与导电高分子。
11、在本发明的一实施例中，上述的导电有机抗氧化层更包括樟脑磺酸，且形成导电有机抗氧化层于铜箔层上的方法包括以下步骤。混合樟脑磺酸与导电高分子，得到樟脑磺酸掺杂导电高分子。接着，混合樟脑磺酸掺杂导电高分子与有机抗氧化物，得到导电有机抗氧化溶液。然后，将导电有机抗氧化溶液涂布于铜箔上，以形成导电有机抗氧化层。
12、基于上述，本发明藉由添加导电高分子于有机抗氧化层中，以形成具有导电性的导电有机抗氧化层。如此一来，除了可防止铜箔的表面氧化外，更同时具有避免电阻值上升的效果。
1.一种铜箔结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的铜箔结构，其特征在于，还包括：
3.根据权利要求1所述的铜箔结构，其特征在于，还包括：
4.根据权利要求1所述的铜箔结构，其特征在于，所述导电高分子选自聚苯胺、聚吡咯、聚噻吩以及聚苯硫醚之中的至少一者。
5.根据权利要求1所述的铜箔结构，其特征在于，以所述导电有机抗氧化层的总重量计，所述导电高分子的含量为0.01重量％至5重量％。
6.根据权利要求1所述的铜箔结构，其特征在于，所述导电有机抗氧化层更包括樟脑磺酸，且所述导电高分子与所述樟脑磺酸的含量比为1：0.25至1：4。
7.根据权利要求1所述的铜箔结构，其特征在于，所述有机抗氧化物选自2-巯基苯并恶唑、苯并三唑、4-羧酸基苯并三唑、5-胺基四唑以及3-胺基三唑之中的至少一者。
8.根据权利要求1所述的铜箔结构，其特征在于，以所述导电有机抗氧化层的总重量计，所述有机抗氧化物的含量为95重量％至99.9重量％。
9.一种铜箔结构的制造方法，其特征在于，包括：
10.根据权利要求9所述的制造方法，其特征在于，所述导电有机抗氧化层更包括樟脑磺酸，且形成所述导电有机抗氧化层于所述铜箔层上的方法包括：
