本专利文献总体上涉及一种半导体技术，并且更具体地，涉及一种包括接合焊盘的半导体器件。
背景技术：
1、电子产品需要越来越大的容量、更高的数据处理能力，即使它们的体积越来越小。相应地，用于这些电子产品中的半导体结构(诸如半导体芯片和半导体晶圆)也要求具有薄的厚度和小的尺寸。此外，正在实施一种将多个半导体结构嵌入在一个半导体器件中的形式。
2、多个半导体结构可以使用接合焊盘彼此电连接，并且在垂直方向上被堆叠。
技术实现思路
1、本专利文献中公开的技术包括半导体器件的各种实施例，所述半导体器件能够通过使用接合焊盘形成电容器来简化制造工艺并减小面积。
2、在实施例中，一种半导体器件包括：下半导体结构，该下半导体结构包括多个第一下电极接合焊盘、多个第二下电极接合焊盘、以及将多个第一下电极接合焊盘彼此连接的下连接图案，其中下连接图案连接到第一电压；以及上半导体结构，该上半导体结构设置在下半导体结构之上并且包括多个第一上电极接合焊盘、多个第二上电极接合焊盘、以及将多个第二上电极接合焊盘彼此连接的上连接图案，其中上连接图案连接到与第一电压不同的第二电压，其中，多个第一下电极接合焊盘分别接合到多个第一上电极接合焊盘，以形成多个第一接合结构，以及多个第二下电极接合焊盘分别接合到多个第二上电极接合焊盘，以形成多个第二接合结构。
3、在另一个实施例中，一种半导体器件包括：下半导体结构和上半导体结构，下半导体结构和上半导体结构彼此堆叠，下半导体结构包括多个第一下电极接合焊盘和多个第二下电极接合焊盘，多个第一下电极接合焊盘和多个第二下电极接合焊盘以交替方式沿第一方向以规则间隔布置，上半导体结构包括多个第一上电极接合焊盘和多个第二上电极接合焊盘，多个第一上电极接合焊盘和多个第二上电极接合焊盘以交替方式沿第一方向以规则间隔布置，其中，多个第一上电极接合焊盘和多个第二上电极接合焊盘分别与多个第一下电极接合焊盘和多个第二下电极接合焊盘直接接触，其中，下连接图案将多个第一下电极接合焊盘彼此连接并且连接到第一电压；以及其中，上连接图案将多个第二上电极接合焊盘彼此连接并且连接到与第一电压不同的第二电压。
1.一种半导体器件，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：
3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一接合结构、所述第二接合结构以及所述第一接合结构与所述第二接合结构之间的绝缘材料形成电容器，
4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述下连接图案与所述多个第二下电极接合焊盘电阻断，以及
5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述多个第一接合结构与所述多个第二接合结构沿第一方向交替地布置。
6.根据权利要求5所述的半导体器件，其中，所述下连接图案包括沿所述第一方向延伸的下导电线，并且在所述多个第一下电极接合焊盘之下将所述多个第一下电极接合焊盘彼此电连接，以及
7.根据权利要求5所述的半导体器件，其中，所述多个第一接合结构沿与所述第一方向交叉的第二方向被布置成一条线，以及
8.根据权利要求5所述的半导体器件，其中，所述多个第一接合结构和所述多个第二接合结构沿与所述第一方向交叉的第二方向交替地布置。
9.根据权利要求8所述的半导体器件，其中，所述下连接图案包括沿所述第一方向和所述第二方向之一延伸的下导电线，并且在所述多个第一下电极接合焊盘之下将所述多个第一下电极接合焊盘彼此电连接，以及
10.根据权利要求5所述的半导体器件，其中，所述多个第一接合结构沿与所述第一方向交叉的第二方向以锯齿型布置，以及
11.根据权利要求10所述的半导体器件，其中，在所述第一方向上彼此相邻的所述第一接合结构和所述第二接合结构、以及在所述第二方向上与它们相邻的所述第一接合结构或所述第二接合结构分别位于虚拟等边三角形的顶点处。
12.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一下电极接合焊盘、所述第二下电极接合焊盘、所述第一上电极接合焊盘以及所述第二上电极接合焊盘中的每一个具有正方形形状。
13.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一下电极接合焊盘、所述第二下电极接合焊盘、所述第一上电极接合焊盘以及所述第二上电极接合焊盘中的每一个具有圆形形状。
14.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述下半导体结构和所述上半导体结构具有彼此重叠的芯片区域和彼此重叠的虚设区域，
15.根据权利要求14所述的半导体器件，其中，所述下半导体结构还包括集成电路，所述集成电路设置在所述下半导体结构的所述芯片区域中并且包括用于施加所述第一电压的第一电压施加图案，以及
16.根据权利要求15所述的半导体器件，其中，所述下连接图案电连接到所述第一电压施加图案，以及
17.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述下半导体结构和所述上半导体结构具有彼此重叠的芯片区域，
18.根据权利要求17所述的半导体器件，其中，通过将所述下实际接合焊盘和所述上实际接合焊盘接合而形成的结构设置在彼此相邻的第一对所述第一接合结构和所述第二接合结构与彼此相邻的第二对所述第一接合结构和所述第二接合结构之间。
19.根据权利要求17所述的半导体器件，其中，所述下半导体结构还包括：设置在所述下半导体结构的所述芯片区域中并且包括用于施加所述第一电压的第一电压施加图案的集成电路，以及
20.根据权利要求19所述的半导体器件，其中，所述下连接图案电连接到所述第一电压施加图案，以及
21.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述多个第一下电极接合焊盘和所述多个第二下电极接合焊盘中的一者的宽度不同于所述多个第一下电极接合焊盘和所述多个第二下电极接合焊盘中的另一者的宽度，以及
22.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述多个第一下电极接合焊盘和所述多个第二下电极接合焊盘中的一者的宽度不同于所述多个第一上电极接合焊盘和所述多个第二上电极接合焊盘中的一者的宽度，所述多个第一上电极接合焊盘和所述多个第二上电极接合焊盘中的所述一者对应于所述多个第一下电极接合焊盘和所述多个第二下电极接合焊盘中的所述一者。
23.一种半导体器件，包括：
