本技术涉及igbt功率模块，尤其是一种防掉落花篮。
背景技术：
1、igbt(insulated gate bipolar transistor)绝缘栅双极性晶体管模块是由双极型三极管和绝缘栅型场效应管组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，其凭借输入阻抗大、驱动功率小、控制电路简单、开关损耗小、通断速度快、工作频率高等特点，在新能源领域中的应用越来越广泛。
2、igbt功率模块封装、测试时需要花篮进行上下料及周转，在搬运过程中有掉落风险。
3、为此，我们提出一种防掉落花篮。
技术实现思路
1、本申请人针对上述现有生产技术中的缺点，提供一种防掉落花篮，从而通过调节限位挡块的高度，来调整挡块的位置，挡块处于滑槽和放置槽的交汇区域，挡块挡住igbt功率模块，防止igbt功率模块因倾斜或颠簸掉落。
2、本实用新型所采用的技术方案如下：
3、一种防掉落花篮，包括：
4、框架；
5、放置板，设置有两块，两块放置板对称设置在框架内，放置板一侧的两端均设置有滑槽，放置板还设置有多条放置槽，用于放置igbt功率模块，放置槽与滑槽连通；
6、限位挡块，能够升降的设置在滑槽内，限位挡块包括滑板，滑板上设置有多个一体成型设置的挡块；
7、其中，相邻两个放置槽之间设置有一个跨越滑槽的连接块，一个放置槽底部到其下方第一个连接块顶部的距离大于挡块的宽度；挡块处于放置槽和滑槽的交汇区域时，通过挡块挡住igbt功率模块。
8、其进一步特征在于：
9、所述框架包括顶板、底板和两个侧板，顶板顶部设置有把手，顶板顶部还设置有限位孔。
10、所述滑槽一端与放置板的底部并不贯穿，滑槽另一端贯穿放置板顶部，放置槽的两端分别贯穿放置板的两侧。
11、所述滑板顶部一体成型设置有按压头，按压头活动设置在限位孔内。
12、所述放置板上设置有安装槽，连接块通过安装槽安装在放置板上。
13、所述滑板底部设置有凹槽，凹槽内设置有弹簧，弹簧另一端与滑槽底部接触。
14、所述滑板底部还设置有限位钉，底板顶部设置有限位块，限位块上设置有限位槽，限位钉穿过限位槽。
15、本实用新型的有益效果如下：
16、本实用新型结构紧凑、合理，操作方便，向下按压按压头，按压头带动滑板和挡块向下移动，使得挡块移动到刚才挡住的放置槽下方，向放置槽内放置或拿出igbt功率模块，松开按压头，滑板在弹簧的弹力作用下向上运动，滑板带动挡块、按压头和限位钉向上运动，在限位钉和限位块接触后，滑板停止运动，挡块处于滑槽和放置槽的交汇区域，挡块挡住igbt功率模块，防止igbt功率模块因倾斜或颠簸掉落。
17、同时，本实用新型还具备如下优点：
18、(1)滑板底部设置有限位钉，底板顶部设置有限位块，限位块上设置有限位槽，限位钉穿过限位槽，在限位钉和限位块接触后，滑板停止运动，此时挡块处于滑槽和放置槽的交汇区域，挡块能够挡住igbt功率模块。
19、(2)放置槽底部到其下方第一个连接块顶部的距离大于挡块的宽度，在按压按压头后，按压头带动滑板和挡块向下运动，挡块运动到下方第一个连接块顶部处，此时挡块处于刚才挡住的放置槽的下方，挡块不再起到阻挡作用。
1.一种防掉落花篮，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的一种防掉落花篮，其特征在于：所述框架(1)包括顶板(101)、底板(102)和两个侧板(103)，顶板(101)顶部设置有把手(1011)，顶板(101)顶部还设置有限位孔(1012)。
3.如权利要求1所述的一种防掉落花篮，其特征在于：所述滑槽(201)一端与放置板(2)的底部并不贯穿，滑槽(201)另一端贯穿放置板(2)顶部，放置槽(202)的两端分别贯穿放置板(2)的两侧。
4.如权利要求2所述的一种防掉落花篮，其特征在于：所述滑板(301)顶部一体成型设置有按压头(303)，按压头(303)活动设置在限位孔(1012)内。
5.如权利要求1所述的一种防掉落花篮，其特征在于：所述放置板(2)上设置有安装槽(203)，连接块(204)通过安装槽(203)安装在放置板(2)上。
6.如权利要求2所述的一种防掉落花篮，其特征在于：所述滑板(301)底部设置有凹槽(3011)，凹槽(3011)内设置有弹簧(4)，弹簧(4)另一端与滑槽(201)底部接触。
7.如权利要求6所述的一种防掉落花篮，其特征在于：所述滑板(301)底部还设置有限位钉(304)，底板(102)顶部设置有限位块(1021)，限位块(1021)上设置有限位槽(1022)，限位钉(304)穿过限位槽(1022)。
