本申请涉及光伏电池，具体地讲，涉及一种太阳能电池、光伏组件。
背景技术：
1、随着太阳能电池技术的不断发展，金属接触区域的复合损失成为制约太阳能电池转换效率进一步提高的重要因素之一。为了提高太阳能电池的转换速率，常通过钝化接触来对太阳能电池进行钝化，以降低太阳能电池体内和表面的复合。常用的钝化接触电池有隧穿氧化层钝化接触(tunnel oxide passivated contact，topcon)电池。现有电池的钝化结构能够实现良好的钝化效果，但是，现有钝化结构的晶界缺陷密度较高，提升太阳能电池的转换效率有限。
2、因此，如何进一步提升钝化接触电池的光电转换效率成为光伏产业急需解决的问题。
技术实现思路
1、鉴于此，本申请提出一种太阳能电池、光伏组件，该太阳能电池能够降低电阻率，提升转换效率。
2、第一方面，本申请实施例提供一种太阳能电池，包括：
3、提供半导体衬底，所述半导体衬底具有相对的第一表面和第二表面；
4、设置在所述半导体衬底的第二表面的第一氧化层、第一掺杂导电层、第二氧化层和第二掺杂导电层，所述第一氧化层位于所述半导体衬底与所述第一掺杂导电层之间，所述第二氧化层位于所述第一掺杂导电层和第二掺杂导电层之间，所述第一掺杂导电层包括多晶硅，所述第二掺杂导电层包括多晶硅、微晶硅和非晶硅中的至少两种；
5、位于所述半导体衬底的第一表面的第一钝化层，穿过所述第一钝化层与所述半导体衬底形成电连接的第一电极；
6、位于所述第二掺杂导电层表面的第二钝化层，穿过所述第二钝化层、第二掺杂导电层与所述第一掺杂导电层形成电连接的第二电极。
7、第二方面，本申请实施例提供一种光伏组件，所述光伏组件包括第一方面所述的太阳能电池。
8、本申请的技术方案至少具有以下有益的效果：
9、本申请的太阳能电池包括层叠设置的第一氧化层、第一掺杂导电层、第二氧化层和第二掺杂导电层，本申请包括两层的氧化层和两层的掺杂导电层，且氧化层和掺杂导电层交替层叠设置，形成两组的钝化接触结构，第一掺杂导电层包括多晶硅，第二掺杂导电层包括多晶硅、微晶硅和非晶硅中的至少两种，相比于两种材质以上混合形成的第二掺杂导电层，单一多晶硅材质的第一掺杂导电层更靠近半导体衬底，多晶硅的第一掺杂导电层具有更高的电迁移率，能够降低载流子的传输阻力，同时能够改善电池的经由陷阱的复合(srh复合)，提升电池的转换效率。而且，第二电极与第一掺杂导电层电连接，第一掺杂导电层和第二电极之间设置第二氧化层和多晶硅、微晶硅和非晶硅中的至少两种的第二掺杂导电层，其能够使得载流子以隧穿的方式穿过，具有较小的势垒宽度，同时能够降低势垒高度，使得载流子不需要很高的能量就可以越过势垒，进而可以降低第二电极-半导体间的肖特基势垒高度，从而改善接触电阻率，提升太阳能电池的转换效率。
1.一种太阳能电池，其特征在于，所述太阳能电池包括：
2.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述太阳能电池还包括：
3.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一氧化层的厚度为1nm～2nm；和/或所述第二氧化层的厚度为0.5nm～1.5nm。
4.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一氧化层的致密度大于所述第二氧化层的致密度。
5.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一掺杂导电层为多晶硅，所述第二掺杂导电层包括多晶硅、微晶硅和非晶硅中的至少两种。
6.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一掺杂导电层的晶界缺陷密度小于所述第二掺杂导电层的晶界缺陷密度。
7.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一掺杂导电层的平均晶粒度大于所述第二掺杂导电层的平均晶粒度。
8.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一掺杂导电层的厚度为10nm～50nm；和/或所述第二掺杂导电层的厚度为20nm～100nm。
9.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一氧化层的材质包括硅的氧化物、铝的氧化物、钼的氧化物和铪的氧化物中的至少一种；和/或所述第二氧化层的材质包括硅的氧化物、铝的氧化物、钼的氧化物和铪的氧化物中的至少一种。
10.一种光伏组件，其特征在于，所述光伏组件包括盖板、封装材料层和太阳能电池串，所述太阳能电池串包括根据权利要求1～9任一项所述的太阳能电池。
