本发明涉及半导体，尤其是涉及一种半导体器件结构。
背景技术：
1、在射频前端电路中，射频开关是必不可少的元件之一。射频开关可用于将天线电连接到rf系统的发射路径或接收路径，从而允许多个部件接入天线。通常情况下，射频开关可通过多个晶体管(如场效应晶体管(fet))堆栈配置组成。当射频开关处于断开(off)状态时，可被认为充当关于地的分流“高”阻抗。这种断开堆栈的射频开关一般将呈现电容和阻抗。随着移动通信技术的发展，出现了多种通信标准并存的局面，因此，需要集成多个模式和不同频段的射频功率放大器，并通过射频开关电路选择所需的射频功率放大器，来建立射频信号的接收和发射通道，以实现在不同的通信网络之间进行切换。
2、然而，射频开关关闭时，发现位于堆栈前列的部分mos管的偏压(vds)较高，例如前列两级mos管或者前列三级mos管甚至更多级mos管，明显高于后面的其余级的mos管的偏压(vds)，甚至出现从前列到后列的偏压均依次降低的情况，导致所有mos管的偏压不均匀。从而在对射频开关电路增加电压时，可能出现前列若干级mos管击穿的情况。
技术实现思路
1、本发明的目的在于提供一种半导体器件结构，可以降低位于堆栈前列的部分mos管的偏压，使得堆栈中所有mos管的偏压均匀，减少mos管击穿的几率。
2、为了达到上述目的，本发明提供了一种半导体器件结构，包括：
3、m个多叉指mos管结构，从信号输入端开始依次为第一级多叉指mos管结构到第m级多叉指mos管结构，将位于前列的若干所述多叉指mos管结构作为第一类多叉指mos管结构，其余多叉指mos管结构作为第二类多叉指mos管结构；
4、第一氧化层，位于所有所述mos管结构上；
5、第一金属层，位于所述第一氧化层上，所述第一金属层包括多个间隔的金属线，所述金属线之间露出所述第一氧化层，每个所述多叉指mos管结构均对应两根金属线，源极和漏极均通过接触孔分别和一个金属线连通，所有所述多叉指mos管结构中，所述第一类多叉指mos管结构的两根金属线的距离小于第二类多叉指mos管结构的两根金属线的距离。
6、可选的，在所述的半导体器件结构中，还包括：半导体基底，多个所述mos管结构均部分形成在所述半导体基底的表面，部分形成在所述半导体基底的内部。
7、可选的，在所述的半导体器件结构中，所述半导体基底包括：
8、衬底；
9、富陷阱层，位于所述衬底的表面；
10、第二氧化层，位于所述富陷阱层的表面，多个所述多叉指mos管结构均部分形成在所述第二氧化层的表面，部分形成在所述第二氧化层的内部。
11、可选的，在所述的半导体器件结构中，每一类多叉指mos管结构均包括至少一个多叉指mos管结构。
12、可选的，在所述的半导体器件结构中，将位于前列的两级所述多叉指mos管结构作为第一类多叉指mos管结构。
13、可选的，在所述的半导体器件结构中，第一类多叉指mos管结构的两个金属线之间的距离相同。
14、可选的，在所述的半导体器件结构中，所述第一类多叉指mos管结构的两个金属线之间的距离为0.1μm～0.2μm。
15、可选的，在所述的半导体器件结构中，第二类多叉指mos管结构的两个金属线之间的距离相同。
16、可选的，在所述的半导体器件结构中，所述第二类多叉指mos管结构的两个金属线之间的距离为0.2μm～0.3μm。
17、可选的，在所述的半导体器件结构中，所述第一类多叉指mos管结构的两个金属线之间的寄生电容大于第二mos管结构的两个金属线之间的寄生电容。
18、在本发明提供的半导体器件结构中，包括：m个多叉指mos管结构，从信号输入端开始依次为第一级多叉指mos管结构到第m级多叉指mos管结构，将位于前列的若干级多叉指mos管结构作为第一类多叉指mos管结构，其余多叉指mos管结构作为第二类多叉指mos管结构；第一氧化层，位于所有mos管结构上；第一金属层，位于第一氧化层上，第一金属层包括多个间隔的金属线，金属线之间露出第一氧化层，每个mos管结构均对应两根金属线，源极和漏极均通过接触孔分别和一个金属线连通，所有多叉指mos管结构中，第一类多叉指mos管结构的两根金属线的距离小于第二类多叉指mos管结构的两根金属线的距离。本发明的第一类多叉指mos管结构的两根金属线的距离小于第二类多叉指mos管结构的两根金属线的距离，可以使得第一类mos管结构的两根金属线的距离小于第二类mos管结构的两根金属线的距离，导致了第一类多叉指mos管结构的两个金属线之间的寄生电容大于第二类多叉指mos管结构的两个金属线之间的寄生电容。从而降低了位于堆栈前列的部分级数mos管的偏压，使得堆栈中所有mos管的偏压变得均匀了，减少了mos管击穿的风险。
1.一种半导体器件结构，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的半导体器件结构，其特征在于，还包括：半导体基底，多个所述多叉指mos管结构均部分形成在所述半导体基底的表面，部分形成在所述半导体基底的内部。
3.如权利要求2所述的半导体器件结构，其特征在于，所述半导体基底包括：
4.如权利要求1所述的半导体器件结构，其特征在于，每一类多叉指mos管结构均包括至少一个多叉指mos管结构。
5.如权利要求1所述的半导体器件结构，其特征在于，将位于前列的两级所述多叉指mos管结构作为第一类多叉指mos管结构。
6.如权利要求1所述的半导体器件结构，其特征在于，第一类多叉指mos管结构的金属线之间的间距相同。
7.如权利要求1所述的半导体器件结构，其特征在于，所述第一类多叉指mos管结构的金属线之间的距离为0.1μm～0.2μm。
8.如权利要求1所述的半导体器件结构，其特征在于，第二类多叉指mos管结构的金属线之间的距离相同。
9.如权利要求1所述的半导体器件结构，其特征在于，所述第二类多叉指mos管结构的金属线之间的距离为0.2μm～0.3μm。
10.如权利要求1所述的半导体器件结构，其特征在于，所述第一类多叉指mos管结构的金属线之间的寄生电容大于第二类多叉指mos管结构的金属线之间的寄生电容。
