本发明属于半导体，具体涉及一种快速二极管的制备方法。
背景技术：
1、快速二极管主要包括肖特基二极管和快恢复二极管，其工作原理与普通二极管相同，其反向恢复时间可达到ns级别，主要应用于高频整流电路、高频开关电源、高频阻容吸收电路、逆变电路等。
2、现有常规快速二极管的生产工艺流程为：装配-烧结-清洗-压塑-切筋-电镀-测试包装。其中，装配是指将芯片固定在框架的框架基板上，进而得到产品框架。烧结、清洗、压塑是指依次对产品框架进行烧结处理、清洗处理和环氧树脂压塑处理。如图4所示，切筋是指切除中间引脚8（该中间引脚8位于左引脚5与右引脚4之间）以及连接在左引脚5上和右引脚4上的连接筋9，使左右引脚保持独立，图4示出了现有框架需要切除的中间引脚8和连接筋9。但该生产工艺在切除中间引脚后会导致切断处的断面裸露在塑封体外，这将导致产品的性能下降，如产生电流漏电，影响产品的性能和质量。
3、上述现有常规快速二极管在使用时，为了保证其具有良好的散热性以及能够较好地绝缘，通常需在快速二极管和散热器之间额外陶瓷绝缘片进行绝缘、散热。为此，在实际应用时就需要通过螺丝将陶瓷绝缘片和快速二极管同时固定于散热器上，但在安装过程中，若扭矩过大容易导致快陶瓷绝缘片受到破坏，如陶瓷绝缘片破裂，从而影响产品的可靠性和使用寿命。并且，由于需要单独安装陶瓷绝缘片，因此还导致其安装效率较低，材料成本高。
4、另外，为了解决上述散热问题，公开号为cn218896641u的专利文献公开了一种低热阻碳化硅二极管，其通过铜框架底部裸露在环氧树脂塑封外侧的部分进行底部的散热，通过绝缘导热棒底部与散热脚的接触，使得散热脚传递给绝缘导热棒，加速铜框架的散热，防止热量累积。虽然该专利也具有较好的散热效果，但相较于本专利通过内置dbc陶瓷覆铜板的结构来说，由于其需要在绝缘陶瓷板中部开散热孔，且还需要另外设置绝缘导热棒，因而导致其结构复杂，成本较高，同时还不利于芯片的有效安装，还不适用于常规半导体器件。
5、为此，亟需研发一种既能提升快速二极管产品性能和质量，又能提升散热效果、结构强度及安装效率的新技术。
技术实现思路
1、本发明的目的在于克服现有技术存在的上述技术问题，提供了一种快速二极管的制备方法，该方法通过将现在切筋工序分两次进行，能够使中间引脚的断面完全隐藏在塑封体内，提升了产品的性能和质量。同时，该方法在装配工序中引入了内置dbc陶瓷覆铜板，不仅使产品具有良好的导热性能、绝缘性能和散热性，还提升了产品的结构强度和安装效率。
2、为实现上述目的，本发明采用的技术方案如下：
3、一种快速二极管的制备方法，其特征在于：包括装配-烧结-清洗-第一次切筋-压塑-电镀-第二次切筋-测试包装；其中，
4、所述的装配是指：将dbc陶瓷覆铜板固定在框架的框架基板上，将芯片固定在dbc陶瓷覆铜板上，将左连接片固定在框架的左引脚与dbc陶瓷覆铜板上，使芯片的负极通过左连接片与左引脚连通，将右连接片固定在框架的右引脚与芯片上，使芯片的正极通过右连接片与右引脚连通，固定完成后得到产品框架；
5、所述的第一次切筋是指：切除产品框架中的中间引脚；
6、所述的压塑是指：使用环氧树脂塑封产品框架，并使中间引脚的断面包裹在环氧树脂内；
7、所述的第二次切筋是指：切除连接在左引脚和右引脚上的连接筋，使左引脚和右引脚保持独立，切除后即得到完整的快速二极管产品。
8、所述的装配工序中，dbc陶瓷覆铜板与框架基板之间采用锡膏固定，芯片与dbc陶瓷覆铜板之间采用锡膏固定，左连接片与左引脚之间和左连接片与dbc陶瓷覆铜板之间均采用锡膏固定，右连接片与右引脚之间和右连接片与芯片之间均采用锡膏固定。
9、所述的烧结是指：采用360℃±30℃的烧结工艺使产品框架上的所有锡膏熔化，完成焊接工作。
10、所述的清洗是指：采用超声波清洗去除烧结后产品框架表面残留的助焊剂和锡珠。
11、所述的电镀是指：采用电镀工艺使压塑后的产品框架表面镀锡。
12、所述的测试包装是指：对快速二极管进行参数测试，若测试合格则包装入库，若测试不合格则返修。
13、采用本发明的优点在于：
14、本发明相较于现有技术主要有两个关键改进点，第一改进点是装配工序中在框架的框架基板与芯片之间增加了dbc陶瓷覆铜板，第二改进点是将切除中间筋和切除连接筋划分为两个工序并分别排列在压塑工序前后。其中，
15、基于上述第一改进点，其优点之一是：dbc陶瓷覆铜板能够为产品提供良好的机械支撑和保护作用，有利于增强产品的结构稳定性，同时避免了外部安装陶瓷绝缘片容易损坏的技术问题。其优点之二是：dbc陶瓷覆铜板能够将芯片与框架基板进行绝缘并形成内置式绝缘散热结构，保证了产品良好的导热性能、绝缘性能和散热性能。其优点之三是：实际安装时不需要另外单独安装dbc陶瓷覆铜板，有利于提高安装效率。
16、基于上述第二改进点，其优点在于能够使中间引脚的断面完全隐藏在塑封体内，因而有利于提升产品的性能和质量。
1.一种快速二极管的制备方法，其特征在于：包括装配-烧结-清洗-第一次切筋-压塑-电镀-第二次切筋-测试包装；其中，
2.根据权利要求1所述的一种快速二极管的制备方法，其特征在于：所述的装配工序中，dbc陶瓷覆铜板（6）与框架基板（1）之间采用锡膏固定，芯片（2）与dbc陶瓷覆铜板（6）之间采用锡膏固定，左连接片（7）与左引脚（5）之间和左连接片（7）与dbc陶瓷覆铜板（6）之间均采用锡膏固定，右连接片（3）与右引脚（4）之间和右连接片（3）与芯片（2）之间均采用锡膏固定。
3.根据权利要求2所述的一种快速二极管的制备方法，其特征在于：所述的烧结是指：采用360℃±30℃的烧结工艺使产品框架上的所有锡膏熔化，完成焊接工作。
4.根据权利要求3所述的一种快速二极管的制备方法，其特征在于：所述的清洗是指：采用超声波清洗去除烧结后产品框架表面残留的助焊剂和锡珠。
5.根据权利要求1-4中任一项所述的一种快速二极管的制备方法，其特征在于：所述的电镀是指：采用电镀工艺使压塑后的产品框架表面镀锡。
6.根据权利要求1-4中任一项所述的一种快速二极管的制备方法，其特征在于：所述的测试包装是指：对快速二极管进行参数测试，若测试合格则包装入库，若测试不合格则返修。
