本公开涉及光电子制造，特别涉及一种提升亮度的发光二极管。
背景技术：
1、发光二极管(light emitting diode，简称：led)作为光电子产业中极具影响力的新产品，具有体积小、使用寿命长、颜色丰富多彩、能耗低等特点，广泛应用于照明、显示屏、信号灯、背光源、玩具等领域。
2、相关技术中，发光二极管包括：外延层、透明导电层和电极。透明导电层层叠在外延层的表面上，电极位于透明导电层的表面，电极通过透明导电层与外延层的半导体层电性连接。对于倒装发光二极管，外延层的远离电极的一侧为出光侧，外延层发出的光线会经电极反射回出光侧，以提升亮度。
3、然而，光线在反射的过程会被透明导电层吸收，因此在外延层的表面设置透明导电层会影响外延层的出光亮度，降低发光二极管的发光效果。
技术实现思路
1、本公开实施例提供了一种提升亮度的发光二极管及其制备方法，能改善透明导电层吸光的问题，提升发光二极管的发光效果。所述技术方案如下：
2、一方面，本公开实施例提供了一种发光二极管，所述发光二极管包括：外延层、透明导电层、绝缘层和金属反射层；所述透明导电层位于所述外延层的表面上，所述透明导电层具有露出所述外延层的多个第一通孔，所述绝缘层位于所述透明导电层的远离所述外延层的表面上，且通过所述第一通孔与所述外延层相连；所述绝缘层具有露出所述透明导电层的多个第二通孔，所述金属反射层位于所述绝缘层的远离所述外延层的表面上，且通过所述第二通孔与所述透明导电层相连。
3、可选地，所述第一通孔在所述外延层的表面上的正投影位于所述第二通孔在所述外延层的表面上的正投影之外。
4、可选地，所述第一通孔的直径为4μm至8μm；在第一方向上，任意两个所述第一通孔之间的距离为12μm至25μm；在垂直于所述第一方向上的第二方向上，任意两个所述第一通孔之间的距离为30μm至60μm。
5、可选地，所述第二通孔的直径为4μm至8μm；在所述第一方向上，任意两个所述第二通孔之间的距离为12μm至25μm；在所述第二方向上，任意两个所述第二通孔之间的距离为30μm至60μm。
6、可选地，所述第一通孔在所述外延层的表面上的正投影，以及所述第二通孔在所述外延层的表面上的正投影，在所述第二方向上，间隔分布；在所述第二方向上，至少一个所述第一通孔在所述外延层的表面上的正投影，于其相邻的所述第二通孔在所述外延层的表面上的正投影，之间的距离为15μm至25μm。
7、可选地，所述金属反射层包括依次层叠的ag层、第一ni层、第一tiw层、第二ni层和第二tiw层；或者，所述金属反射层包括依次层叠的ag层、ni层、tiw层、第一ti层、pt层和第二ti层；或者，所述金属反射层包括依次层叠的ag层、ni层、第一pt层、第一ti层、第二pt层和第二ti层。
8、可选地，所述绝缘层包括氧化硅层；或者，所述绝缘层包括交替层叠的多个氧化硅层和多个氧化钛层。
9、可选地，所述绝缘层的厚度为3000埃至6000埃。
10、可选地，所述透明导电层的厚度为100埃至300埃。
11、可选地，第一钝化层为氧化硅层或分布式布拉格反射镜层；第二钝化层为氧化硅层或分布式布拉格反射镜层。
12、本公开实施例提供的技术方案带来的有益效果至少包括：
13、本公开实施例提供的发光二极管的透明导电层位于外延层的表面上，且透明导电层具有露出外延层的多个第一通孔，绝缘层覆盖在透明导电层的远离外延层的表面上，且延伸至第一通孔内并与外延层相连。在绝缘层上还设有露出透明导电层的第二通孔，金属反射层覆盖在绝缘层上，且延伸至第二通孔内并与透明导电层相连。这样就使得金属反射层能通过第二通孔与透明导电层电性连接，即让金属反射层能与外延层电性连接，以便于后续通电后，电流通过金属反射层、透明导电层扩展至外延层，实现发光二极管发光。
14、由于透明导电层上开设有多个第一通孔，这样能减少透明导电层的面积，因此能降低透明导电层对光的吸收；并且，绝缘层的透光率要高于透明导电层的透光率，从而确保绝缘层不会吸收大量光线，降低透明导电层所在的膜层对光线的吸收。同时，在透明导电层和金属反射层之间还设置有绝缘层，绝缘层用于阻挡电流向下直接注入，让金属反射层注入的电流能横向扩展至透明导电层的各个位置，从而提升发光效果；并且，还利用金属反射层中金属的反射特性，能增强光的反射，让外延层发出的光更多地反射回发光二极管的出光面，从而提升发光二极管的亮度。
1.一种发光二极管，其特征在于，所述发光二极管包括：外延层(20)、透明导电层(30)、绝缘层(40)和金属反射层(50)；
2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述第一通孔(31)在所述外延层(20)的表面上的正投影位于所述第二通孔(41)在所述外延层(20)的表面上的正投影之外。
3.根据权利要求2所述的发光二极管，其特征在于，所述第一通孔(31)的直径为4μm至8μm；在第一方向上，任意两个所述第一通孔(31)之间的距离为12μm至25μm；在垂直于所述第一方向上的第二方向上，任意两个所述第一通孔(31)之间的距离为30μm至60μm。
4.根据权利要求3所述的发光二极管，其特征在于，所述第二通孔(41)的直径为4μm至8μm；在所述第一方向上，任意两个所述第二通孔(41)之间的距离为12μm至25μm；在所述第二方向上，任意两个所述第二通孔(41)之间的距离为30μm至60μm。
5.根据权利要求4所述的发光二极管，其特征在于，所述第一通孔(31)在所述外延层(20)的表面上的正投影，以及所述第二通孔(41)在所述外延层(20)的表面上的正投影，在所述第二方向上，间隔分布；在所述第二方向上，至少一个所述第一通孔(31)在所述外延层(20)的表面上的正投影，于其相邻的所述第二通孔(41)在所述外延层(20)的表面上的正投影，之间的距离为15μm至25μm。
6.根据权利要求1至5任一项所述的发光二极管，其特征在于，所述金属反射层(50)包括依次层叠的ag层、第一ni层、第一tiw层、第二ni层和第二tiw层；或者，
7.根据权利要求1至5任一项所述的发光二极管，其特征在于，所述绝缘层(40)包括氧化硅层；或者，所述绝缘层(40)包括交替层叠的多个氧化硅层和多个氧化钛层。
8.根据权利要求7所述的发光二极管，其特征在于，所述绝缘层(40)的厚度为3000埃至6000埃。
9.根据权利要求1至5任一项所述的发光二极管，其特征在于，所述透明导电层(30)的厚度为100埃至300埃。
10.根据权利要求1至5任一项所述的发光二极管，其特征在于，第一钝化层(71)为氧化硅层或分布式布拉格反射镜层；
