本发明涉及半导体制造，具体涉及一种改善套刻精度的方法。
背景技术：
1、随着技术节点推进，线宽减小，产品的光刻工艺窗口也大幅减小，同时由于设计规则更加具有挑战性，对套刻精度(overlay，ovl)的要求也越来越高，ovl的好坏已经直接影响到器件的性能和产品的良率，因此ovl提升一直以来是光刻面临的主要挑战之一。
2、ovl与晶圆背的表面粗糙度相关。如图1所示，曝光机在负载晶圆，晶圆被夹紧(clamp)在晶圆承载平台时，晶圆与晶圆承载平台产生摩擦，会产生剪切力，如果在clamp期间，应力不能释放，晶圆与晶圆承载平台紧密贴合会导致晶圆片无法正常铺展开，套刻精度(overlay)变差，产生“8”形状曝光误差(overlay residual)，而该曝光误差非线性，不可补偿。因此，如何通过改变晶圆背的表面粗糙度，从而提升ovl是目前亟需解决的问题。
技术实现思路
1、有鉴于此，本发明提供一种改善套刻精度的方法，用以改变晶圆背表面的粗糙度。
2、本发明提供一种改善套刻精度的方法，包括以下步骤：
3、步骤一、提供晶圆；
4、步骤二、对所述晶圆的正面和背面都进行hmds预处理；
5、步骤三、涂布光刻胶并进行曝光、显影。
6、优选地，步骤一中所述晶圆的材料为硅。
7、优选地，步骤二中所述hmds预处理采用气相沉积法。
8、优选地，步骤二包括以下步骤：
9、步骤s1，利用机械手臂将所述晶圆送至hmds烘箱的支撑梢上；
10、步骤s2，控制所述支撑梢上升，使所述晶圆背面露出；
11、步骤s3，控制所述hmds烘箱的腔盘下降与所述hmds烘箱的加热板形成密闭空间；
12、步骤s4，抽气及通n2使腔内形成负压；
13、步骤s5，抽气及通hmds蒸气，hmds与所述晶圆正面和背面形成键结；
14、步骤s6，抽气及通n2將腔内残余的hmds带走；
15、步骤s7，破真空后，将所述腔盘和所述支撑梢上升；
16、步骤s8，利用所述机械手臂将所述晶圆移走。
17、优选地，步骤三中所述曝光用的曝光机的晶圆承载平台表面粗糙。
18、优选地，步骤三中所述显影包括去除所述晶圆背面的hmds。
19、本发明利用经过hmds处理晶圆表面的粗糙度会改变，改变了现有工艺中对晶圆进行hmds预处理只处理正面的方式，通过对晶圆的正面和背面都进行hmds预处理，使得晶圆背面变得粗糙，在晶圆承载平台负载晶圆时，不会发生应力无法释放、晶圆形变，避免因应力不能释放的原因导致曝光后ovl异常的发生，实现了改善套刻精度。
1.一种改善套刻精度的方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的改善套刻精度的方法，其特征在于，步骤一中所述晶圆的材料为硅。
3.根据权利要求1所述的改善套刻精度的方法，其特征在于，步骤二中所述hmds预处理采用气相沉积法。
4.根据权利要求1所述的改善套刻精度的方法，其特征在于，步骤二包括以下步骤：
5.根据权利要求1所述的改善套刻精度的方法，其特征在于，步骤三中所述曝光用的曝光机的晶圆承载平台表面粗糙。
6.根据权利要求1所述的改善套刻精度的方法，其特征在于，步骤三中所述显影包括去除所述晶圆背面的hmds。
