一种OLED阳极结构及其制备方法与流程

专利检索2024-12-08  31


本发明涉及oled阳极结构领域,特别是涉及一种oled阳极结构及其制备方法。


背景技术:

1、oled发光器件有顶发光和底发光之分,对顶发光(指的是光从顶部发出,一般是指阴极一侧)显示器件而言,整体有woled+cf方案和real rgb方案。rgb三色因波长不同,在anode阳极与cathode阴极之间相对厚度不同(光程差),导致出光效率不同。改善或者解决该痛点的方案之一是:增对阳极anode的顶层ito厚度,进行差异化管理。常规的anode阳极结构为叠层金属,如:ti/al/ito或ito/ag/ito等,核心的就是与有机材料接触的为导电且光透过率高的导电金属或金属氧化物、中间为高导电、高反射的金属。在同一器件中,针对rgb三色的像数pixel,不同氧化铟锡ito厚度的实现方式为多次成膜+多次图形化。

2、但是不同ito厚度的实现制备,因多次成膜、多次图形化,使得工艺复杂、成本高。因此,如何简化oled阳极结构的制备至关重要。


技术实现思路

1、本发明的目的是提供一种oled阳极结构及其制备方法,可简化oled阳极结构的制备。

2、为实现上述目的,本发明提供了如下方案:

3、一种oled阳极结构,包括:coms和设置在coms上的至少一个发光组件;所述发光组件包括:阳极、阴极和oled组件;所述阳极包括:金属层、介质层和导电层;

4、所述金属层设置在coms上表面;

5、所述金属层的上表面包括第一区域、第二区域和第三区域;所述第二区域设置在所述第一区域和所述第三区域之间;

6、所述介质层按照设定厚度和预设的材料沉积设置在所述金属层的上表面,且位于所述第二区域;

7、所述导电层沉积包裹在所述介质层的上表面,并且沉积在所述金属层上的所述第一区域和所述第三区域;

8、所述oled组件设置在所述阳极上方;所述阴极设置在所述oled组件上方。

9、可选地,所述介质层的材料为无机物或者有机物。

10、可选地,所述无机物为sin或者sio。

11、可选地,所述有机物为亚克力或者硅胶。

12、可选地,所述设定厚度是根据设定颜色光线的波长的1/8确定的。

13、一种oled阳极结构制备方法,所述方法用于制备上述所述的oled阳极结构;所述方法,包括:

14、在coms上表面进行金属pvd成膜,得到初始金属层;

15、对所述初始金属层进行工艺处理,得到金属层;

16、在所述金属层上进行成膜处理,得到初始介质层;

17、对所述初始介质层进行工艺处理以及在所述初始介质层的两端,由顶向下刻蚀至所述金属层的上方,得到第一区域和第三区域;

18、将工艺处理后的初始介质层确定为介质层;所述介质层位于第二区域;所述第一区域、所述第二区域和所述第三区域均处于所述金属层的上表面;所述第二区域设置在所述第一区域和所述第三区域之间;

19、在所述介质层的上表面沉积包裹导电层,并且沉积在所述第一区域和所述第三区域;

20、将oled组件设置在阳极上方;所述阳极包括:金属层、介质层和导电层;

21、将阴极设置在所述oled组件上方,得到oled阳极结构。

22、可选地,对所述初始金属层进行工艺处理,得到金属层,具体包括:

23、对所述初始金属层进行涂布、曝光以及显影工艺处理,得到处理金属层;

24、对所述处理金属层进行刻蚀处理,得到金属层。

25、可选地,在所述金属层上进行成膜处理,得到初始介质层,具体包括:

26、若基于无机物进行成膜处理,则采用化学气相沉积方法进行处理,得到初始介质层;

27、若基于有机物进行成膜处理,则采用涂布方法进行处理,并根据预设的固化需求进行烘烤、uv光照射或者烘烤和uv光照射并行处理的方式,进行处理,得到初始介质层。

28、根据本发明提供的具体实施例,本发明公开了以下技术效果:

29、本发明公开一种oled阳极结构及其制备方法,该结构包括:coms和设置在coms上的至少一个发光组件;发光组件包括:阳极、阴极和oled组件;阳极包括:金属层、介质层和导电层;金属层设置在coms上表面;金属层的上表面包括第一区域、第二区域和第三区域;介质层按照设定厚度和预设的材料沉积设置在所述金属层的上表面,且位于第二区域;导电层沉积包裹在介质层的上表面,并且沉积在第一区域和第三区域;oled组件设置在阳极上方;阴极设置在oled组件上方。由于介质层的厚度和材料不同,根据实际需要进行调整,可以使得oled阳极结构整体的折射率达到平衡,使得可见光的透过率得到提升,能够得到更好的改善(>90%);又由于本发明的制备工艺比较简单,无需多次成膜、多次图形化,因此,简化了oled阳极结构的制备,并且能够降低成本。



技术特征:

1.一种oled阳极结构,其特征在于,包括:coms和设置在coms上的至少一个发光组件;所述发光组件包括:阳极、阴极和oled组件;所述阳极包括:金属层、介质层和导电层;

2.根据权利要求1所述的oled阳极结构,其特征在于,所述介质层的材料为无机物或者有机物。

3.根据权利要求2所述的oled阳极结构,其特征在于,所述无机物为sin或者sio。

4.根据权利要求2所述的oled阳极结构,其特征在于,所述有机物为亚克力或者硅胶。

5.根据权利要求1所述的oled阳极结构,其特征在于,所述设定厚度是根据设定颜色光线的波长的1/8确定的。

6.一种oled阳极结构制备方法,其特征在于,所述方法用于制备权利要求1-5中任意一项所述的oled阳极结构;所述方法,包括:

7.根据权利要求6所述的oled阳极结构制备方法,其特征在于,对所述初始金属层进行工艺处理,得到金属层,具体包括:

8.根据权利要求6所述的oled阳极结构制备方法,其特征在于,在所述金属层上进行成膜处理,得到初始介质层,具体包括:


技术总结
本发明公开一种OLED阳极结构及其制备方法,涉及OLED阳极结构领域;该结构包括:COMS和设置在COMS上的至少一个发光组件;发光组件包括:阳极、阴极和OLED组件;阳极包括:金属层、介质层和导电层;金属层设置在COMS上表面;金属层的上表面包括第一区域、第二区域和第三区域;介质层按照设定厚度和预设的材料沉积设置在所述金属层的上表面,且位于第二区域;导电层沉积包裹在介质层的上表面,并且沉积在第一区域和第三区域;OLED组件设置在阳极上方;阴极设置在OLED组件上方。本发明能够简化OLED阳极结构的制备,并且降低成本。

技术研发人员:李阳,吴迪,吴远武,卢声皇,陈小童
受保护的技术使用者:湖畔光芯半导体(江苏)有限公司
技术研发日:
技术公布日:2024/5/29
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