本技术涉及一种半导体晶圆生产加工领域，尤其涉及一种腔体合腔自密封结构。
背景技术：
1、在半导体制造过程，半导体晶圆需要经过很多道工序，以满足半导体行业内的高标准。在半导体晶圆的先进制程中，晶圆的边缘要求均匀、平整、无损伤且光滑。其中，在晶圆放入腔体进行腐蚀或者其他步骤的时候，需要对其进行密封的话，常规方式中，上、下腔体的相对面上会具有密封圈，通过密封圈将合腔之后的腔体进行密封，使得半导体晶圆的处理截止能够被密封在该腔体内。
2、而在半导体晶圆生产过程中，不仅需要腐蚀腔，还需要介质(腐蚀介质或者其他介质)的存放桶、介质输送流道等。为了对存放桶密封，常规方式中，也是在存放桶的桶盖和桶体的连接处设置密封圈，介质输送流道则一般采用管状结构。
3、而在一些特殊的场合中，如果说上、下腔体的特殊设计无法采用密封圈，但是其又需要在合腔的时候密封、存放桶的桶盖和桶体的连接处无法采用密封圈，但是其又需要在关闭(合腔)的时候密封、介质输送流道不采用管状结构，采用分体结构，分体结构的连接处也无法采用密封圈，但是其又需要在连接之后密封，常规方式中，都是在其外部设置专用的密封结构，在合腔之后通过密封结构进行密封，这种方式中，结构会相对复杂，而且对于需要频繁开启的腔体、存放桶或者介质层输送流道的话，会非常的麻烦，特别是半导体晶圆腐蚀腔体，其每加工一个产品都需要腔体的一次开合，这样每一次合腔之后，都需要密封结构做一次密封动作，会影响产品的加工效率。
4、因此，如何解决上述技术问题，是本领域技术人员需要努力的方向。
技术实现思路
1、本实用新型目的是提供一种腔体合腔自密封结构，通过使用该结构，能够实现腔体合腔之后的自密封，适用于不安装密封圈的腔体，能够提高适用范围。
2、为达到上述目的，本实用新型采用的技术方案是：一种腔体合腔自密封结构，包括上腔体、下腔体，所述下腔体的顶面中部设有凸部，所述下腔体的底面中部设有凹腔，所述凸部正对所述凹腔设置；
3、所述上腔体底面外缘处设有上凹槽，所述上凹槽设置于所述凹腔的外部，所述上凹槽与所述凹腔之间构成上密封件；
4、所述下腔体的顶面外缘处设有下密封件，所述下密封件设置于所述凸部的外部，所述下密封件与所述凸部之间构成下凹槽；
5、所述上密封件正对所述下凹槽设置，所述下密封件正对所述上凹槽设置；
6、所述上腔体与所述下腔体合腔时，所述上密封件插设于所述下凹槽内，所述下密封件插设于所述上凹槽内，且所述上密封件与所述下凹槽过盈配合，所述下密封件与所述上凹槽过盈配合。
7、上述技术方案中，所述上凹槽与所述上腔体的外壁之间构成限位件；
8、和/或，所述限位件的厚度大于所述上密封件、下密封件的厚度。
9、上述技术方案中，所述凹腔的截面为圆形结构，所述凸部的截面为圆形结构或环形结构；
10、所述上凹槽、下凹槽、上密封件及下密封件的截面均为环形结构；
11、所述上凹槽设置于所述凹腔的外部，且所述上凹槽与所述凹腔同轴设置；
12、所述下密封件设置于所述凸部的外部，且所述下密封件与所述凸部同轴设置。
13、上述技术方案中，所述上腔体与所述下腔体合腔时，所述凸部与所述凹腔之间构成一腔室，所述上密封件、下密封件分别与对应所述下凹槽、上凹槽插接配合，并将所述腔室的外缘处密封。
14、上述技术方案中，所述上腔体、下腔体由前向后延伸设置，所述凹腔及凸部分别沿着所述上腔体、下腔体的延伸方向延伸设置；
15、所述上凹槽为两条，两条所述上凹槽分别平行设置于所述凹腔的左右两侧，每一所述上凹槽与所述凹腔对应侧的侧壁之间构成对应所述上密封件，每一所述上凹槽与所述上腔体对应侧外壁之间构成所述限位件；
16、所述下密封件分别为两条，两条所述下密封件分别平行设置于所述凸部的左右两侧，每一所述下密封件与所述凸部对应侧的侧壁之间构成对应所述下凹槽；
17、所述凸部两侧的下密封件及下凹槽分别正对所述凹腔两侧的上凹槽及上密封件设置。
18、上述技术方案中，所述上腔体与所述下腔体合腔时，所述凸部与所述凹腔之间构成一腔室，所述上密封件、下密封件分别与对应所述下凹槽、上凹槽插接配合，并将所述腔室的左右两侧密封。
19、上述技术方案中，所述凸部的顶面外缘处设有朝向所述上密封件方向设置的第一导向斜面，所述第一导向斜面由内至外倾斜向下设置，所述第一导向斜面的内端与所述凸部的顶面相连，所述第一导向斜面的外端与所述凸部的外侧面相连。
20、上述技术方案中，所述上密封件的底部设有朝向所述下密封件方向设置的第二导向斜面，所述第二导向斜面由内至外倾斜向上设置，所述第二导向斜面的内端与所述上密封件的底面中部相连，所述第二导向斜面的外端与所述上密封件的外侧面相连。
21、上述技术方案中，所述下密封件的顶面外缘处设有朝向所述限位件方向设置的第三导向斜面，所述第三导向斜面由内至外倾斜向下设置；
22、所述第三导向斜面的内端与所述下密封件的顶面中部相连，所述第三导向斜面的外端与所述下密封件的外侧面相连。
23、上述技术方案中，所述限位件的底面设有朝向所述下密封件方向设置的第四导向斜面，所述第四导向斜面由内至外倾斜向下设置，所述第四导向斜面的内端与所述限位件的内侧面相连，所述第四导向斜面的外端与所述限位件的底部相连。
24、由于上述技术方案运用，本实用新型与现有技术相比具有下列优点：
25、1.本实用新型中在上腔体的凹腔的外缘处设置上凹槽，使上凹槽的两侧分别构成上密封件和限位件，在下腔体凸部的两侧分别设置下密封件，使其与凸部之间构成下凹槽，上密封件正对下凹槽设置，下密封件正对上凹槽设置，在上腔体和下腔体合腔的时候，上密封件插入到下凹槽内，下密封件插入到上凹槽内，并且插接处均为过盈配合，这样能够实现合腔之后自密封，能够在难以进行密封圈安装的结构中使用，并且还能够保证合腔之后的密封性，同时合腔之后能够实现自密封，适用于频繁打开及关闭的腔体使用，与以往单独设置的密封结构相比，能够简化结构，降低成本，还能够保证产品的加工效率；
26、2.本实用新型中通过限位件的设置，还能够限制下密封件及上密封件最大形变的可能，从而增加密封处的使用稳定性和使用寿命；
27、3.本实用新型中能够适用于圆形结构的腔体或者流道，适用范围更广；
28、4.本实用新型中在凸部、上密封件、下密封件及限位件上面设有正对着对应侧连接处的导向斜面，这样在合腔的时候，通过导向斜面进行插接导向，保证合腔的顺畅性和稳定性；
29、5.本实用新型中采用上密封件插入到下凹槽内形成第一道密封，下密封件插入到上凹槽内形成第二道密封，双重密封的结构，能够有效保证的密封性能。
1.一种腔体合腔自密封结构，包括上腔体、下腔体，其特征在于：所述下腔体的顶面中部设有凸部，所述下腔体的底面中部设有凹腔，所述凸部正对所述凹腔设置；
2.根据权利要求1所述的腔体合腔自密封结构，其特征在于：所述上凹槽与所述上腔体的外壁之间构成限位件；
3.根据权利要求2所述的腔体合腔自密封结构，其特征在于：所述凹腔的截面为圆形结构，所述凸部的截面为圆形结构或环形结构；
4.根据权利要求3所述的腔体合腔自密封结构，其特征在于：所述上腔体与所述下腔体合腔时，所述凸部与所述凹腔之间构成一腔室，所述上密封件、下密封件分别与对应所述下凹槽、上凹槽插接配合，并将所述腔室的外缘处密封。
5.根据权利要求2所述的腔体合腔自密封结构，其特征在于：所述上腔体、下腔体由前向后延伸设置，所述凹腔及凸部分别沿着所述上腔体、下腔体的延伸方向延伸设置；
6.根据权利要求5所述的腔体合腔自密封结构，其特征在于：所述上腔体与所述下腔体合腔时，所述凸部与所述凹腔之间构成一腔室，所述上密封件、下密封件分别与对应所述下凹槽、上凹槽插接配合，并将所述腔室的左右两侧密封。
7.根据权利要求1所述的腔体合腔自密封结构，其特征在于：所述凸部的顶面外缘处设有朝向所述上密封件方向设置的第一导向斜面，所述第一导向斜面由内至外倾斜向下设置，所述第一导向斜面的内端与所述凸部的顶面相连，所述第一导向斜面的外端与所述凸部的外侧面相连。
8.根据权利要求1所述的腔体合腔自密封结构，其特征在于：所述上密封件的底部设有朝向所述下密封件方向设置的第二导向斜面，所述第二导向斜面由内至外倾斜向上设置，所述第二导向斜面的内端与所述上密封件的底面中部相连，所述第二导向斜面的外端与所述上密封件的外侧面相连。
9.根据权利要求2所述的腔体合腔自密封结构，其特征在于：所述下密封件的顶面外缘处设有朝向所述限位件方向设置的第三导向斜面，所述第三导向斜面由内至外倾斜向下设置；
10.根据权利要求2所述的腔体合腔自密封结构，其特征在于：所述限位件的底面设有朝向所述下密封件方向设置的第四导向斜面，所述第四导向斜面由内至外倾斜向下设置，所述第四导向斜面的内端与所述限位件的内侧面相连，所述第四导向斜面的外端与所述限位件的底部相连。
