本发明涉及变压器，尤其涉及一种应用在全桥llc电路的高绝缘高变比高频变压器。
背景技术：
1、随着功率器件击穿电压，如mosfet的漏源击穿电压(bvdss)，igbt的集电极与发射极的bvces等越来越高，由传统的650v电压，提高到6500v及更高电压。为了精准测量功率器件的击穿电压，要求测试设备的输出电压做到比功率器件的击穿电压更高。
2、传统的工频升压变压器可以将输入的220v通过高变比(副边匝数ns：原边匝数np)升到更高的电压，但是传统的工频变压器体积大、效率低、测试设备的体积大。普通的高频变压器，如pq磁芯变压器、ee磁芯变压器、高压包变压器中存在原副边绝缘等级不够、副边同一绕组之间绝缘不够，安全性较低。
技术实现思路
1、有鉴于此，有必要提供一种应用在全桥llc电路的高绝缘高变比高频变压器，用以解决现有的高压测试设备的体积较大和安全性较低的问题。
2、为了解决上述问题，本发明提供一种应用在全桥llc电路的高绝缘高变比高频变压器，包括：
3、非晶磁环、骨架内环、骨架外环和多个挡墙；
4、所述骨架内环与所述非晶磁环的内表面贴合，所述骨架外环与所述非晶磁环的外表面贴合；
5、所述挡墙上设置有矩形缺口；
6、所述挡墙通过所述矩形缺口分别与所述骨架外环、所述骨架内环以及所述非晶磁环连接；
7、所述挡墙、所述非晶磁环、所述骨架内环、所述骨架外环之间形成多个槽。
8、在一种可能的实现方式中，所述矩形缺口的第一表面与所述骨架外环贴合；
9、所述矩形缺口的第二表面与所述骨架内环贴合；
10、所述矩形缺口的第三表面与所述非晶磁环贴合。
11、在一种可能的实现方式中，所述矩形缺口的第一边长为所述非晶磁环的厚度、所述骨架内环的厚度与所述骨架外环的厚度之和；
12、所述矩形缺口的第二边长与所述骨架内环、所述非晶磁环和所述骨架外环的宽度均相同。
13、在一种可能的实现方式中，所述骨架内环、所述非晶磁环和所述骨架外环的宽度均相同；
14、所述非晶磁环的内径与所述骨架内环的外径相同；
15、所述非晶磁环的外径与所述骨架外环的内径相同。
16、在一种可能的实现方式中，所述挡墙的分布方式为均匀分布。
17、在一种可能的实现方式中，所述挡墙的形状为凹字形。
18、在一种可能的实现方式中，所述骨架内环和所述骨架外环分别通过压紧的方式与所述非晶磁环固定；
19、所述挡墙通过压紧的方式分别与所述非晶磁环、所述骨架内环和所述骨架外环固定。
20、在一种可能的实现方式中，所述骨架外环和所述骨架内环的材质为铁氟龙。
21、在一种可能的实现方式中，所述挡墙的材质为铁氟龙。
22、本发明的有益效果是：本发明提供的应用在全桥llc电路的高绝缘高变比高频变压器，包括非晶磁环、骨架内环、骨架外环和多个挡墙。骨架内环与非晶磁环的内表面贴合，骨架外环与非晶磁环的外表面贴合，骨架内环与骨架外环中间的腔体形成一个圆环，刚好放入非晶磁环，该设置方式可以不受任何磁环的绝缘耐压限制，提高了变压器的隔离电压等级，以及挡墙通过矩形缺口分别与骨架外环、骨架内环以及非晶磁环连接，即在骨架外环、骨架内环和非晶磁环上都增加了凸起的挡墙，挡墙、非晶磁环、骨架内环、骨架外环之间形成多个槽，用于将副边的绕线分成多个槽，可以降低同一个绕组首尾电压，从而保证副边线圈线路之间的绝缘电压等级，安全性更高，并且可以应用在高压测试设备内替换传统的工频变压器，减小了高压测试设备的体积。
1.一种应用在全桥llc电路的高绝缘高变比高频变压器，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的应用在全桥llc电路的高绝缘高变比高频变压器，其特征在于，
3.根据权利要求2所述的应用在全桥llc电路的高绝缘高变比高频变压器，其特征在于，
4.根据权利要求1所述的应用在全桥llc电路的高绝缘高变比高频变压器，其特征在于，
5.根据权利要求1所述的应用在全桥llc电路的高绝缘高变比高频变压器，其特征在于，
6.根据权利要求1所述的应用在全桥llc电路的高绝缘高变比高频变压器，其特征在于，
7.根据权利要求1所述的应用在全桥llc电路的高绝缘高变比高频变压器，其特征在于，
8.根据权利要求1所述的应用在全桥llc电路的高绝缘高变比高频变压器，其特征在于，
9.根据权利要求1所述的应用在全桥llc电路的高绝缘高变比高频变压器，其特征在于，
10.根据权利要求1所述的应用在全桥llc电路的高绝缘高变比高频变压器，其特征在于，
