本技术涉及光器件领域，具体涉及一种基于硅基awg的接收光器件。
背景技术：
1、现有的4波长低速接收光器件普遍采用awg分波，t ia芯片、阵列探测器芯片和awg芯片都粘接于pcba板上，例如申请号为202211536140的专利所公开的一种光模块awg的固定结构及光接收次模块。
2、在高速器件应用时(单波100g)，比如：400g、800g器件，现有的t ia芯片位于pcba板上，由于t ia芯片本身有厚度(大于150um)，从而使得t ia芯片与pcba板的金丝长度过长，导致高速性能不佳。
3、t ia芯片和阵列探测器芯片位于pcba板上，存在散热差的弊端，为此在pcba板上需要做特殊的散热处理，如：挖孔填铜塞树脂，增加了成本。
4、另外，awg芯片粘接在pcba板上，由于pcba板的热膨胀系数远远大于awg芯片，并且，pcba板是环氧树脂玻璃纤维板，其本身容易变形，导致awg光路容易变，低速探测器芯片的光敏面比较大(一般大于25um)，可以接受这种变形，而高速探测器芯片的光敏面普遍比较小(一般小于25um，16um、20um居多)，此时，光路容差小，从而不能接受pcba板的变形。
5、一般探测器芯片厚度是150um，awg芯片的玻璃盖板需要做到150um以下才能保证耦合效率，导致awg芯片比较脆弱。
技术实现思路
1、本实用新型所要解决的技术问题是提供一种基于硅基awg的接收光器件，以克服上述现有技术中的不足。
2、本实用新型解决上述技术问题的技术方案如下：一种基于硅基awg的接收光器件，包括：热沉，热沉上具两个高度不同的安装面，分别为第一安装面和第二安装面；第二安装面上固定t ia芯片和阵列探测器芯片，第一安装面上固定与t ia芯片等高的pcba板，pcba板和t ia芯片采用金丝键合，t ia芯片和阵列探测器芯片采用金丝键合，热沉上固定awg芯片。
3、本实用新型的有益效果是：由于pcba板和t ia芯片同高度，因此，两者之间的金丝长度变短，从而使得高频电性能提升。
4、在上述技术方案的基础上，本实用新型还可以做如下改进。
5、进一步，热沉的材质为钨铜。
6、采用上述进一步的有益效果为：
7、pcba板固定在材质为钨铜的热沉上，由于钨铜散热效果好，因此，pcba板无需做散热处理、节省了成本；
8、此外，钨铜的热膨胀系数低，光路变形小，可以使用16um光敏面的阵列探测器芯片。
9、进一步，热沉上具第三安装面，第三安装面低于第二安装面。
10、采用上述进一步的有益效果为：第三安装面低于第二安装面，使得awg芯片的玻璃盖板厚度可以增大，有利于增加awg的健壮性。
11、更进一步，awg芯片的玻璃盖板厚度为500um。
12、进一步，pcba板、t ia芯片、阵列探测器芯片以及awg芯片均粘接在热沉上。
13、进一步，awg芯片采用硅基材质。
14、采用上述进一步的有益效果为：硅的热膨胀系数大约为4*10-6/℃，钨铜的热膨胀系数大约为6*10-6/℃，由于硅基的热膨胀系数更接近钨铜，这样热应力更低、胶水粘接固定可靠性更佳。
15、进一步，awg芯片经毛细管与光纤相连，光纤与陶瓷插芯适配器相连。
16、采用上述进一步的有益效果为：经毛细管可以将裸光纤粘接在awg芯片上，从而起到固定和保护裸光纤的作用。
1.一种基于硅基awg的接收光器件，其特征在于，包括：热沉(1)，所述热沉(1)上具两个高度不同的安装面，分别为第一安装面(110)和第二安装面(120)；所述第二安装面(120)上固定tia芯片(3)和阵列探测器芯片(4)，所述第一安装面(110)上固定与tia芯片(3)等高的pcba板(2)，所述pcba板(2)和tia芯片(3)采用金丝(6)键合，所述tia芯片(3)和阵列探测器芯片(4)采用金丝(6)键合，所述热沉(1)上固定awg芯片(5)。
2.根据权利要求1所述一种基于硅基awg的接收光器件，其特征在于，所述热沉(1)的材质为钨铜。
3.根据权利要求1或2所述一种基于硅基awg的接收光器件，其特征在于，所述热沉(1)上具第三安装面(130)，所述第三安装面(130)低于所述第二安装面(120)。
4.根据权利要求3所述一种基于硅基awg的接收光器件，其特征在于，所述awg芯片(5)的玻璃盖板(510)厚度为500um。
5.根据权利要求2所述一种基于硅基awg的接收光器件，其特征在于，所述pcba板(2)、tia芯片(3)、阵列探测器芯片(4)以及awg芯片(5)均粘接在所述热沉(1)上。
6.根据权利要求5所述一种基于硅基awg的接收光器件，其特征在于，所述awg芯片(5)采用硅基材质。
7.根据权利要求1所述一种基于硅基awg的接收光器件，其特征在于，所述awg芯片(5)经毛细管(9)与光纤(7)相连，所述光纤(7)与陶瓷插芯适配器(8)相连。
