本技术涉及igbt保护领域，特别涉及一种igbt有源钳位装置。
背景技术：
1、igbt即绝缘栅极双极型晶体管，由于它将mosfet和gtr的优点集于一身，具有输入阻抗高、速度快、热稳定性好、电压驱动电路简单、通态压降较低、耐压高及承受大电流等优点，其频率特性介于mosfet与功率晶体管之间，在现代电力电子技术中得到了越来越广泛的应用，在高频率的大、中功率应用中占据了主导地位。
2、一般在igbt应用电路中，主电路存在较大的杂散电感。igbt在关断时，集电极电流下降率很大，在杂散电感的作用下会感应出很大的电动势，与直流母线电压一起叠加在igbt两端，致使igbt集电极-发射极之间承受了很大的尖峰电压，甚至超出igbt额定的集电极-发射极耐压值，造成igbt损坏。
3、为了解决这一问题就需要在igbt上增加保护装置，钳位电路就是一种可选择方案，如专利申请号为201820777150.7的一种用于igbt过压保护的有源钳位电路，就通过复杂的电路设计实现钳位保护的目的，但是其存在电路复杂且成本高的缺陷。
4、现有技术的钳位电路具有复杂的特性，而且一般设置在igbt中的钳位电路会集成在igbt的驱动电路中或者焊接在igbt的集电极上，其集成在一起的方式对后期的更换和维修都不方便。而且现有技术的钳位电路会影响igbt检修过程中的集电极和栅极之间的电压，因有源钳位电路连接在igbt的集电极和栅极之间，对有源钳位电路参数的静态测量会因其他参数的影响，造成测量失真等。
技术实现思路
1、本实用新型的目的在于克服现有技术的不足，提供一种igbt有源钳位装置，用于至少解决现有技术中钳位电路复杂、集成在一起存在的更换检修中至少一个缺陷。
2、为了实现上述目的，本实用新型采用的技术方案为：一种igbt有源钳位装置，包括基板、钳位电路，所述钳位电路设置在基板上，在基板上设置有安装孔p1、p2，所述钳位电路设置于基板上，所述钳位电路的两端分别电连接至安装孔p1、p2。
3、所述钳位电路包括瞬态抑制二极管，瞬态抑制二极管的阴极引出端子连接至安装孔p1、阳极连接至安装孔p2。
4、所述瞬态抑制二极管包括多个，每个瞬态抑制二极管按照阴极连接另一个瞬态抑制二极管阳极的方式串联后，分别在串联后的两端瞬态抑制二极管引出阴极、阳极连接至安装孔p1、p2。
5、所述装置还包括与瞬态抑制二极管数量相对应的二极管，每个二极管并联设置在对应的瞬态抑制二极管的两端。
6、所述瞬态抑制二极管包括两个：v6、v7，v7的阴极连接至安装孔p2；v7的阳极连接至v6的阴极，v6的阳极连接至安装孔p1。
7、所述安装孔p1通过可拆卸连接的方式连接至igbt的泄放电路上。
8、所述安装孔p2通过可拆卸的方式连接在igbt的c极上。
9、所述安装孔p1通过可拆卸的方式连接至igbt饱和压降检测电路。
10、本实用新型的优点在于：解决了钳位电路复杂的缺陷，钳位电路简单可靠；钳位电路独立组成一个电路模块，在使用时通过安装孔来安装在igbt电路板上，方便拆卸维修更换等操作；集成了饱和压降检测用的二极管，方便实现igbt检测时的饱和压降的检测；封装成单独的一个电路模块，具有体积小、重量轻、装配简单、拆卸维修便利等优点。
1.一种igbt有源钳位装置，其特征在于：包括基板、钳位电路，所述钳位电路设置在基板上，在基板上设置有安装孔p1、p2，所述钳位电路的两端分别电连接至安装孔p1、p2。
2.如权利要求1所述的一种igbt有源钳位装置，其特征在于：所述钳位电路包括瞬态抑制二极管，瞬态抑制二极管的阴极引出端子连接至安装孔p1、阳极连接至安装孔p2。
3.如权利要求2所述的一种igbt有源钳位装置，其特征在于：所述瞬态抑制二极管包括多个，每个瞬态抑制二极管按照阴极连接另一个瞬态抑制二极管阳极的方式串联后，分别在串联后的两端瞬态抑制二极管引出阴极、阳极连接至安装孔p1、p2。
4.如权利要求2或3所述的一种igbt有源钳位装置，其特征在于：所述装置还包括与瞬态抑制二极管数量相对应的二极管，每个二极管并联设置在对应的瞬态抑制二极管的两端。
5.如权利要求2或3所述的一种igbt有源钳位装置，其特征在于：所述瞬态抑制二极管包括两个：v6、v7，v7的阴极连接至安装孔p2；v7的阳极连接至v6的阴极，v6的阳极连接至安装孔p1。
6.如权利要求1所述的一种igbt有源钳位装置，其特征在于：所述安装孔p1通过可拆卸连接的方式连接至igbt的泄放电路上。
7.如权利要求1所述的一种igbt有源钳位装置，其特征在于：所述安装孔p2通过可拆卸的方式连接在igbt的c极上。
8.如权利要求4所述的一种igbt有源钳位装置，其特征在于：所述安装孔p1通过可拆卸的方式连接至igbt饱和压降检测电路。
