本申请涉及工业制造领域，特别是涉及一种利用调节腔室内温度及气体分子数量的焊接方法和封装芯片。
背景技术：
1、近年来，随着芯片集成度的高度发展，芯片功耗与功耗密度也随之越来越高，伴随而来的发热问题逐渐成了限制芯片性能及寿命的主要原因。为了能够使芯片拥有良好的散热性，现有技术中常使用散热界面材料涂覆芯片表面后再粘结散热盖板。这个过程可以被称为焊接。目前，进行焊接时通常会加入助焊剂，而助焊剂中含有溶剂的挥发将导致焊接界面存在大量气泡，最终影响散热效率。
2、因此，亟需一种新的焊接方法，以解决焊接过程中的气泡问题。
技术实现思路
1、为了解决上述技术问题，本申请提供了一种利用调节腔室内温度及气体分子数量的焊接方法，以及基于该方法制备的封装芯片。该焊接方法能够实现焊接介质的高覆盖率以及低气泡率，获得优良的散热性能。
2、本申请一个方面提供一种利用调节腔室内温度及气体分子数量的焊接方法。所述焊接方法可以包括：设置待焊接的第一元件和第二元件于腔室内，其中，所述第一元件和所述第二元件使用焊接介质预连接；调整所述腔室内温度和气体分子数量，实现所述腔室内的热量变化以及所述气体分子数量的循环变化以固化所述焊接介质完成所述第一元件与所述第二元件的焊接；其中，所述热量变化导致所述腔室内的温度于上升和下降之间连续变化，所述循环变化导致所述腔室内的压力于正压和负压之间间隔变化。
3、在一些可行的实现方式中，所述腔室内的温度于上升和下降之间连续变化可以包括随时间推移所述温度先上升再下降；其中，所述温度上升过程中包括恒温阶段。
4、在一些可行的实现方式中，所述腔室内的压力于正压和负压之间间隔变化可以包括随时间推移所述压力在正压和负压之间变化。
5、在一些可行的实现方式中，当所述腔室内的压力处于负压时，所述腔室内的真空度可以为多段连续变化。
6、在一些可行的实现方式中，所述多段连续变化可以导致所述真空度持续增大后再减小；所述导致所述真空度增大的连续变化可以包括由起始真空度减小至中间真空度再增大至目标真空度。
7、在一些可行的实现方式中，所述腔室内的压力处于所述间隔变化的最末次时，可以包括维持预定的正压压力直至焊接结束。
8、在一些可行的实现方式中，所述腔室内的压力维持预定的正压压力直至焊接结束时，所述温度可以包括持续下降至焊接结束的过程。
9、在一些可行的实现方式中，当所述腔室内的压力为正压时，所述正压可以不小于2atm。
10、在一些可行的实现方式中，所述第一元件可以包括芯片，所述第二元件可以包括散热盖板，所述焊接介质可以包括助焊剂和散热界面材料。
11、本申请另一方面还提供了一种封装芯片，所述封装芯片可以由上述焊接方法制备。
12、实施本申请，具有如下有益效果：
13、本申请提供的利用调节腔室内温度及气体分子数量的焊接方法，可以通过调整所述腔室内的温度和气体分子数量实现腔室内热量和压力的有调控地变化，从而能够有效地去除焊接介质在焊接过程中产生的气泡，进而实现对元件的高覆盖率和低气泡率，提升散热效果，提高产品良率。
1.一种利用调节腔室内温度以及气体分子数量的焊接方法，其特征在于，所述焊接方法包括：
2.根据权利要求1所述的焊接方法，其特征在于，所述腔室内的温度于上升和下降之间连续变化，包括：随时间推移所述温度先上升再下降；其中，所述温度上升过程中包括恒温阶段。
3.根据权利要求1所述的焊接方法，其特征在于，所述腔室内的压力于正压和负压之间间隔变化，包括：随时间推移所述压力在正压和负压之间变化。
4.根据权利要求3所述的焊接方法，其特征在于，当所述腔室内的压力处于负压时，所述腔室内的真空度为多段连续变化。
5.根据权利要求4所述的焊接方法，其特征在于，所述多段连续变化导致所述真空度持续增大后再减小；所述导致所述真空度增大的连续变化，包括：
6.根据权利要求3所述的焊接方法，其特征在于，所述腔室内的压力处于所述间隔变化的最末次时，包括维持预定的正压压力直至焊接结束。
7.根据权利要求6所述的焊接方法，其特征在于，所述腔室内的压力维持预定的正压压力直至焊接结束时，所述温度包括持续下降至焊接结束的过程。
8.根据权利要求1所述的焊接方法，其特征在于，当所述腔室内的压力为正压时，所述正压不小于2atm。
9.根据权利要求1-8中任一项所述的焊接方法，其特征在于，所述第一元件包括芯片，所述第二元件包括散热盖板，所述焊接介质包括助焊剂和散热界面材料。
10.一种封装芯片，其特征在于，由权利要求1~9任意一项所述的利用调节腔室内温度以及气体分子数量的焊接方法制备。
