本公开涉及一种例如使用有机半导体材料的有机半导体膜、包括有机半导体膜的光电转换元件和成像装置。
背景技术：
1、例如，专利文献1公开了一种有机光电转换元件的制造方法，其中通过控制基板温度经过成膜来控制光电转换层的取向性。
2、引用文献列表
3、专利文献
4、专利文献1：日本未审查专利申请公开第2008-258421号
技术实现思路
1、顺便提及，对于使用有机半导体膜的光电转换元件，希望具有改进的量子效率和改进的响应速度。
2、希望提供一种能够改进量子效率和响应速度的有机半导体膜、光电转换元件和成像装置。
3、根据本公开实施方案的有机半导体膜包含具有结晶性的有机半导体材料，其中所述有机半导体膜具有载流子传输性，并且在xrd光谱中的15°以上且30°以下的衍射角(2θ)范围内具有三个结晶峰。
4、根据本公开实施方案的光电转换元件，包括第一电极；与第一电极相对配置的第二电极；和设置在第一电极和第二电极之间的光电转换层，其中根据本公开实施方案的有机光电转换膜被设置作为光电转换层。
5、根据本公开实施方案的成像装置包括多个像素，每个像素包括设有一个或多个光电转换部的成像元件，其中根据本公开实施方案的光电转换元件被设置作为一个或多个光电转换部。
6、在根据本公开各实施方案的有机半导体膜、光电转换元件和成像装置中，具有结晶性的有机半导体材料被包含，获得了载流子传输性，并且在xrd光谱中的15°以上且30°以下的衍射角(2θ)范围内获得了三个结晶峰。这样提高了在厚度方向上的载流子传输性。
1.一种有机半导体膜，包含具有结晶性的有机半导体材料，其中
2.根据权利要求1所述的有机半导体膜，其中
3.根据权利要求2所述的有机半导体膜，其中第一结晶峰与第二结晶峰和第三结晶峰中的每一个之间的强度比大于2。
4.根据权利要求2所述的有机半导体膜，其中相对于第一晶峰的峰强度，第一结晶峰、第二结晶峰和第三结晶峰的残渣成分的强度比小于1。
5.根据权利要求1所述的有机半导体膜，还包含具有电子传输性的第一有机半导体材料。
6.根据权利要求5所述的有机半导体膜，包含作为所述有机半导体材料的第二有机半导体材料，其中
7.根据权利要求6所述的有机半导体膜，包含作为所述有机半导体材料的对预定波长带的光具有吸收峰的第三有机半导体材料。
8.根据权利要求7所述的有机半导体膜，其中第一有机半导体材料的lumo能级为4.0ev以上且5.0ev以下。
9.根据权利要求7所述的有机半导体膜，其中第二有机半导体材料的homo能级为5.0ev以上且6.0ev以下。
10.根据权利要求6所述的有机半导体膜，其中第一有机半导体材料与第二有机半导体材料之间的组成比大于1。
11.根据权利要求1所述的有机半导体膜，其中所述有机半导体材料相对于面内方向而水平取向。
12.根据权利要求5所述的有机半导体膜，其中第一有机半导体材料包括富勒烯或富勒烯衍生物。
13.根据权利要求1所述的有机半导体膜，其中
14.一种光电转换元件，包括：
15.根据权利要求14所述的光电转换元件，其中第一电极包括彼此独立的多个电极。
16.根据权利要求15所述的光电转换元件，其中所述多个电极各自被单独地施加电压。
17.一种包括多个像素的成像装置，每个像素包括设有一个或多个光电转换部的成像元件，
18.根据权利要求17所述的成像装置，其中所述成像元件还包括执行与所述一个或多个光电转换部不同的波长带的光电转换的一个或多个光电转换区域。
19.根据权利要求18所述的成像装置，其中
20.根据权利要求19所述的成像装置，其中在所述半导体基板的与所述光入射面相对侧的面上形成多层配线层。
