导电性基板的制造方法及导电性基板与流程

1.本发明涉及一种具有由导电性细线构成的网格图案的导电性基板的制造方法及导电性基板，尤其涉及一种多次施加镀覆反应液并限制了每一次镀覆反应液的接触时间的导电性基板的制造方法及导电性基板。


背景技术：

2.近年来，作为用于触摸面板的触摸传感器，采用由金属细线构成的金属网格传感器。金属网格传感器中，触摸电极由金属细线构成，并且具有与ito(indium tin oxide：氧化铟锡)等导电性金属氧化物相比电阻低及具有柔性等的特征。
3.以往的金属网格传感器中，金属细线的线宽为3～5μm，表面电阻值为30～50ω/
□
，但是在线宽为3μm以上时，发生显示面板的透射率降低及通过显示面板的显示像素图案和网格图案的图案干涉产生的莫尔纹，导致显示画质降低。
4.已知针对该问题，通过使金属细线的线宽变细，具体而言，通过设为1.5μm以下，与线宽为3～5μm时相比，能够实现透射率的提高和莫尔纹强度的降低。
5.但是，另一方面，随着金属细线的细线化，发生触摸电极的表面电阻值上升，在触摸电极变得比规定的电阻值高的影响下，作为触摸传感器的功能降低。即，为了兼顾提高画质和保持触摸传感器的功能，需要将触摸电极的金属线宽进行细线化的同时保持触摸电极的电阻值。
6.使触摸电极的金属细线的线宽变细，即等于减少有助于导电的金属量。为了降低通过金属量减少而上升的电阻值，需要在保持金属量不变的状态下提高金属细线中的金属的密度、或者在线宽的外观上不被识别为粗的范围内提高金属量。
7.作为采取后者措施时的一种方式，优选对金属细线的非电解镀覆处理。
8.通常，在触摸传感器的电极图案中具有条纹状的多个导电网格电极和配置于相邻的导电的网格电极之间的非导电的虚拟网格图案。镀覆处理大致分为电解电镀处理和非电解镀覆处理，但是如触摸传感器那样具有非导电的虚拟网格电极的金属图案的情况下，无法与虚拟网格电极采取电导通，因此不容易应用电解电镀处理。为了使镀覆处理后的导电网格与虚拟网格的外观一致，非电解镀覆处理是合适的。
9.作为对导电性材料进行非电解镀覆处理的制造方法，已知有专利文献1。在专利文献1中记载了一种导电性材料的制造方法，其为使用在支撑体上含有至少1层卤化银乳剂层的导电性材料前体制造的导电性材料的制造方法，使用含有作用于构成卤化银乳剂层的粘合剂的酶的含酶处理液对导电性材料前体进行处理，然后进行镀覆处理。
10.在专利文献2中记载了一种导电性图案制造方法，其中，对支撑体、在支撑体上的至少一个面形成的基底层及在基底层上具有抗蚀剂图案的导电性图案前体的抗蚀剂图案开口部至少进行非电解银镀覆处理，该导电性图案制造方法中，在非电解银镀覆处理时，导电性图案前体以直线状输送，输送上游侧距离地面的高度比输送下游侧高，并且导电性图案前体的输送角度相对于与作为水平面的地面平行的方向为20度以上且90度以下，将氨性
硝酸银溶液施加到输送上游侧的表面侧，将还原剂溶液施加到输送下游侧的表面侧。
11.在专利文献3中记载了一种镀覆装置，其中，在具有镀覆预处理线路和镀覆线路的镀覆装置中，镀覆线路具有多个镀覆槽，在所期望的镀覆槽中设置有镀覆液容纳槽。在专利文献3中，能够形成多个组合的镀覆膜。并且，在同一个槽中更换镀覆液时，各镀覆液彼此不会混入，还能够大幅减少管理镀覆液及维护镀覆槽、镀覆用设备等的劳力。
12.现有技术文献
13.专利文献
14.专利文献1：日本专利第4895536号公报
15.专利文献2：日本特开2017-182991号公报
16.专利文献3：日本特开2004-107798号公报


技术实现要素：

17.发明要解决的技术课题
18.在针对画面尺寸为10英寸以上的触摸面板，制作响应性优异的相对应的触摸传感器的情况下，通常对网格电极的电阻要求网格图案的表面电阻值为30ω/
□
以下。
19.本发明人等参考专利文献1的导电性材料的制造方法，尝试了由金属细线构成的网格图案的开口率成为98.0％以上的区域中的网格电极的低电阻化。此时，在专利文献1中，非电解铜镀覆处理的处理条件为镀覆液温度高达70℃并且浸渍时间长达10分钟，因此认为在专利文献1的处理条件下工业生产率差。因此，切换到相对低温且所需的镀覆处理时间短即可的非电解银镀覆处理。其结果已知，由金属细线构成的网格图案的开口率为98.0％以上时，若进行镀覆处理直至网格图案的表面电阻值达到30ω/
□
以下，则在镀覆液中引起银粒子的析出，银粒子附着于本来应透明的网格图案内的开口部，由此导致透射率降低。
20.另一方面，在网格图案内的开口部上的附着不显著的范围内停止镀覆反应的情况下，无法使网格图案的表面电阻值达到30ω/
□
以下。
21.根据专利文献2的导电性图案制造方法，在由金属细线构成的网格图案的开口率达到98.0％以上的区域中尝试追加试验的结果，在开口率的方面，无法使表面电阻值达到30ω/
□
以下。并且，能够确认到，在为了延长非电解镀覆处理的时间而降低输送速度的情况下，能够局部使表面电阻值达到30ω/
□
以下。然而，发现了如下问题：在其他位置表面电阻值超过30ω/
□
，在样品面内表面电阻值的偏差变大。推断这是因为：通过延长非电解银镀覆处理的时间而析出银附着于抗蚀剂图案上，通过进行对附着于抗蚀剂图案上的析出银的镀覆反应而使对开口部的银镀覆反应减少，在样品面内的网格图案的镀覆进展中产生了差异。
22.专利文献3的镀覆装置中记载了将镀覆槽配置于多种线路上的镀覆处理方法，能够进行将镀覆处理分为多次的处理。尝试将专利文献3的镀覆装置应用于非电解银镀覆处理的结果，开始处理之后立即能够获得低电阻并且网格图案内的开口部的透射率高的网格图案。然而，随着处理时间经过而在镀覆槽内开始析出银粒子，处理后半部分的网格图案为网格图案内的开口部的透射率显著降低的结果。
23.本发明的目的在于解决基于前述以往技术的问题，并提供一种导电性基板的制造
方法及导电性基板，该导电性基板具有网格图案，该网格图案的开口率高，表面电阻值低且表面电阻值的偏差小，网格图案内的开口部的透射率高。
24.用于解决技术课题的手段
25.为了解决上述课题，本发明提供一种导电性基板的制造方法，其包括：在支撑体上形成用于形成由导电性细线构成的网格图案的图案前体的工序；及对图案前体施加多次镀覆反应液，并实施镀覆处理的工序，在实施镀覆处理的工序中，对图案前体施加镀覆反应液时，每一次图案前体与镀覆反应液的接触时间小于60秒。
26.优选，在实施镀覆处理的工序中，通过非接触涂布方式将镀覆反应液施加到图案前体。
27.优选，在实施镀覆处理的工序中，悬浮输送形成有图案前体的支撑体，并实施镀覆处理。
28.优选，形成图案前体的工序包括：在支撑体的表面的至少一个面形成包含卤化银和2种以上的粘合剂的感光性卤化银乳剂层的工序；对卤化银乳剂层实施形成网格图案的图案曝光及显影处理而形成含银层的工序；及对含银层实施去除2种以上的粘合剂中的至少1种粘合剂的粘合剂减少处理的工序，实施镀覆处理的工序中，对实施粘合剂减少处理而获得的图案前体的含银层施加多次镀覆反应液。
29.优选，支撑体是透明的。
30.并且，本发明提供一种导电性基板，其具有：支撑体；及网格图案，配置于支撑体上且由导电性细线构成，网格图案的开口率为98％以上，并且表面电阻值为30ω/
□
以下，在支撑体上网格图案内的开口部的透射率为92％以上。
31.优选，导电性细线含有金属和高分子。
32.优选，高分子为除了明胶以外的高分子。
33.优选，导电性细线的线宽为0.5～3.0μm。
34.优选，导电性细线中所包含的金属具有粒子状形状。
35.优选，导电性细线中所包含的金属为包含镍、钴、铜、银及金的组中的至少1种。
36.发明效果
37.根据本发明，能够获得一种具有网格图案的导电性基板，该网格图案的开口率高，表面电阻值低且表面电阻值的偏差小，网格图案内的开口部的透射率高。
附图说明
38.图1是表示本发明的实施方式的导电性基板的一例的示意图。
39.图2是表示本发明的实施方式的导电性基板的导电性细线的一例的示意性剖视图。
40.图3是表示本发明的实施方式的具有导电性图案的触摸传感器的一例的示意性俯视图。
41.图4是表示发明的实施方式的具有导电性图案的触摸传感器的一例的示意性剖视图。
42.图5是表示本发明的实施方式的镀覆处理装置的示意图。
43.图6是表示本发明的实施方式的镀覆处理装置的非接触涂布部的示意图。
44.图7是表示本发明的实施方式的图案前体的一例的示意性俯视图。
45.图8是表示本发明的实施方式的图案前体的一例的示意性剖视图。
46.图9是表示本发明的实施方式的具有导电性图案的触摸传感器图案的一例的示意性俯视图。
47.图10是表示本发明的实施方式的具有导电性图案的触摸传感器图案的另一例的示意性俯视图。
具体实施方式
48.以下，根据附图中所示的优选实施方式，对本发明的导电性基板的制造方法及导电性基板详细地进行说明。
49.另外，以下说明的图是用于说明本发明的示例，本发明并不限定于以下所示的图。
50.另外，以下表示数值范围的“～”包括记载于两侧的数值。例如，ε为数值α～数值β是指ε的范围为包括数值α和数值β的范围，若用数学符号表示，则为α≤ε≤β。
51.只要无特别记载，则“平行”及“正交”等角度包括该技术领域中通常容许的误差范围。
52.并且，光是指活化光线或放射线。只要无特别说明，则本说明书中的“曝光”不仅包括基于汞灯、以准分子激光为代表的远紫外线、x射线、euv光等的曝光，基于电子束、离子束等粒子射线的描绘也包括在曝光中。
53.并且，“(甲基)丙烯酸酯”表示丙烯酸酯及甲基丙烯酸酯这两者或其中任一个，“(甲基)丙烯酸”表示丙烯酸及甲基丙烯酸这两者或其中任一个。
54.另外，只要无特别说明，则透明表示对可见光是透明的。只要无特别说明，则将在波长为380～780nm的可见光波长区域中透光率为92％以上称为透明。
55.关于透光率，使用jis(日本工业标准)k 7375：2008中所规定的“塑料-总透光率及总光线反射率的求出方法”来测定。
56.(导电性基板)
57.图1是表示本发明的实施方式的导电性基板的一例的示意图，图2是表示本发明的实施方式的导电性基板的导电性细线的一例的示意性剖视图。
58.图1中所示的导电性基板10中，配置有支撑体12和在支撑体12上形成的由导电性细线13构成的网格图案14。
59.网格图案14的开口率为98％以上，并且表面电阻值为30ω/
□
以下。在导电性基板10中，网格图案14为图案部。在导电性基板10中，在支撑体12上网格图案14内的开口部15的透射率为92％以上。
60.《导电性细线》
61.如图2所示，导电性细线13包含高分子16和多种金属18。在导电性细线13中，多种金属18通常分散在高分子16中。
62.高分子16的种类并无特别限制，能够使用公知的高分子。其中，作为高分子16，优选后述的特定高分子。特定高分子为除了明胶以外的高分子、即与明胶不同的高分子，将在后面进行说明。
63.导电性细线13中所包含的金属18为确保导电性细线的导电性的部分。金属可以在
高分子中离散存在，也可以凝聚存在。导电性细线13中所包含的金属18并无特别限定，优选为包含镍(金属镍)、钴、铜(金属铜)、银(金属银)及金(金属金)的组中的至少1种。或者，优选它们中的2种以上的混合物，更优选银、铜或其混合物，进一步优选银。多种金属优选全部由银构成。通过将金属全部由银构成而使导电性细线的断线故障的发生降低。
64.关于金属18，在图2中具有粒子状形状，但是金属18的形状并不限定于粒子状，例如，可以是熔接而在一部分或整体上结合等的形态。
65.对于导电性细线的金属，能够通过扫描型电子显微镜来观察导电性细线的截面，并能够确定形状等。
66.作为基于上述扫描型电子显微镜的测定方法，首先，为了对导电性细线的表面施加导电性，对导电性细线的表面进行碳蒸镀，并利用扫描型电子显微镜(hitachi high-technolog ies corporation制造的s-5200型sem)观察表面形态，由此能够观察导电性细线内部的金属存在的区域。另外，关于观察条件，在二次电子模式下以加速电压:10kv进行。
67.此时，关于导电性细线的截面的观察，利用扫描型电子显微镜，选择带有高分子与金属粒子的对比度的加速电压。更具体而言，作为导电性细线的截面的观察方法，利用切片机切削导电性细线的截面之后，为了施加导电性，对暴露的截面进行碳蒸镀，并利用扫描型电子显微镜(hitachi high-technologies corporation制造的s-5200型sem)观察截面。另外，关于观察条件，在反射电子模式下以加速电压：5kv进行。
68.＜网格图案＞
69.导电性细线13所构成的网格图案14是指包括由交叉的导电性细线13构成的多个正方形开口部15(网格)的形状。开口部15为被导电性细线13包围的区域，存在于网格图案14内。在图1中，开口部15具有菱形形状，但是可以是其他形状。开口部15例如优选组合正三角形、等腰三角形及直角三角形等三角形、正方形、矩形、平行四边形、梯形等四边形、(正)六边形、(正)八边形等(正)n边形、圆、椭圆及星形等而成的几何图形。并且，开口部15的一边的形状除了直线状以外，也可以设为弯曲形状，还可以设为圆弧状。在设为圆弧状的情况下，例如，可以对于对置的两边，设为向外凸出的圆弧状，对于另外对置的两边，设为向内凸出的圆弧状。并且，也可以将各边的形状设为向外凸出的圆弧和向内凸出的圆弧连续的波浪线形状。当然，可以将各边的形状设为正弦曲线。
70.[开口率]
[0071]
开口部15的一边的长度wd并无特别限制，但是优选1500μm以下，更优选1300μm以下，进一步优选1000μm以下，更进一步优选400μm以下，优选5μm以上，更优选30μm以上，进一步优选80μm以上。在开口部的边的长度在上述范围内的情况下，还能够进一步良好地保持透明性，将导电性基板安装于显示装置的前表面时，能够无违和感地视觉辨认显示。
[0072]
从可见光透射率的观点出发，网格图案的开口率为98％以上，优选99.0％以上，更优选99.3％以上。上限并无特别限制，但是可举出小于100％。
[0073]
开口率为网格图案14区域中的除了具有导电性细线13的区域以外的支撑体上的区域占整体的比例。即，在支撑体表面上，在网格图案14内开口部15所占的比例。
[0074]
关于开口率，能够如下测定。首先，对于导电性基板，获取5个包括网格图案的支撑体图像。关于5个支撑体图像，只要在支撑体中的获取位置不同，则大小可以相同，也可以不同。
[0075]
在各支撑体图像中，确定导电性细线。测定所确定的导电性细线的线宽和开口部的一边的长度wd。由此，能够获得导电性细线的面积。能够根据支撑体图像的支撑体面积和导电性细线的面积，通过开口部的比率(％)＝{(支撑体图像的面积-导电性细线的面积)/支撑体图像面积}
×
100求出各支撑体图像中的开口部的比率。对于5个支撑体图像，分别求出开口部的比率，将5个开口部的比率的平均值作为开口率。
[0076]
[表面电阻值]
[0077]
对于网格图案，要求表面电阻值为30ω/
□
以下。其中，从将网格图案用作触摸面板时的操作性的观点出发，优选为20ω/
□
以下，更优选为15ω/
□
以下，进一步优选为10ω/
□
以下。下限并无特别限制，但优选为1ω/
□
以上。
[0078]
关于表面电阻值，能够使用四探针法来测定。首先，在距离15mm的位置将外侧的2个探针抵接于导电性细线而流动恒定电流i，在外侧2个探针的直线上且内侧测定4个探針成为相等间隔的内侧2个点位置上的2个点之间的电位差的测定值v。使用下述式计算此时的网格图案的表面电阻值ρs(ω/
□
)。在下述式中，ln2为2的自然对数。
[0079]
ρs＝(π/ln2)
·
(v/i)
[0080]
[透射率]
[0081]
网格图案14内的开口部15的透射率为92％以上。
[0082]
若网格图案内的开口部的透射率为92％以上，则在将触摸传感器作为触摸面板时，不会损害显示图像的的亮度。
[0083]
网格图案内的开口部的透射率能够如下测定。
[0084]
首先，包括导电性细线在内测定网格图案的总透光率。测定导电性细线的线宽和开口部的一边的长度wd。根据网格图案内的开口部的一边的长度和导电性细线的线宽，计算图案遮蔽率％和图案开口率％(＝100％-图案遮蔽率％)。通过将所测定的网格图案的总透光率的测定值除以图案开口率的值，能够计算网格图案内的开口部的透射率。另外，有时还将网格图案内的开口部简称为开口部。
[0085]
在1个产品范围内设定5处以上的总透光率测定部位，根据各部位的总透光率测定值和各测定部位的网格图案内的开口率计算各测定部位的网格图案内的开口部的透射率，根据各部位的网格图案内的开口部的透射率的结果求出其平均值，作为1个产品范围内的网格图案内的开口部的透射率。在检查辊样品的每一个产品的网格图案内的开口部的透射率的偏差的情况下，在辊样品全长中的首部、中央、尾部的范围内提取各范围内的5个以上且相同数量的产品范围(例如从首部范围中提取6个产品范围，从中央范围中提取6个产品范围，从尾部范围中提取6个产品)，在各产品范围内测定上述网格图案内的开口部的透射率，计算各产品范围的网格图案内的开口部的透射率的平均值、标准偏差、变动系数(＝标准偏差
÷
平均值)。
[0086]
[导电性细线的线宽和导电性细线的厚度]
[0087]
导电线细线13的线宽w及导电性细线13的厚度t分别是指存在金属18的部分的宽度及厚度。
[0088]
从开口率及难以视觉辨认的均衡的观点出发，导电性细线的线宽w优选为0.5～3.0μm。其中，从开口率高，难以视觉辨认导电性细线的观点出发，线宽w优选为2.0μm以下，更优选为1.5μm以下，进一步优选为1.0μm以下。下限并无特别限制，但是优选0.5μm以上。
[0089]
导电性细线的厚度并无特别限制，但是从导电性的观点出发，优选为0.5～3.0μm，厚度更优选为1.0～2.0μm。
[0090]
关于上述导电性细线13的线宽w，使用扫描型电子显微镜选择相当于1个导电性细线的线宽的任意5个部位，将相当于5个部位的线宽的算术平均值作为线宽w。
[0091]
并且，关于上述导电性细线13的厚度，使用扫描型电子显微镜选择相当于1个导电性细线的厚度的任意5个部位，将相当于5个部位的厚度的部分的算术平均值作为厚度。
[0092]
(触摸传感器)
[0093]
图3是表示本发明的实施方式的具有导电性图案的触摸传感器的一例的示意性俯视图，图4是表示发明的实施方式的具有导电性图案的触摸传感器的一例的示意性剖视图。另外，在图3及图4中，对与图1及图2相同的结构物标注相同符号，并省略其详细说明。
[0094]
图3中所示的触摸传感器20例如具有多个第1检测电极22和多个第2检测电极26。由多个第1检测电极22和多个第2检测电极26构成检测手指等的接触的检测部27。另外，检测部27为触摸传感器20的输入区域，还称为有源区域。
[0095]
第1检测电极22和第2检测电极26中，导电性细线30配置成网格图案状。第1检测电极22具有由导电性细线30构成的网格图案14a，第2检测电极26具有由导电性细线30构成的网格图案14a。网格图案14a与网格图案14b为相同结构。
[0096]
多个第1检测电极22为相互平行地沿着x方向延伸的带状电极，并且在彼此在与x方向正交的y方向上隔着间隔23且彼此在y方向上电绝缘的状态下设置于支撑体12的表面12a上。多个第2检测电极26为相互平行地沿着y方向延伸的带状电极，并且在彼此在x方向上隔着间隔23且彼此在x方向上电绝缘的状态下设置于支撑体12的背面12b上。虽然多个第1检测电极22与多个第2检测电极26正交设置，但是通过支撑体12相互电绝缘。
[0097]
另外，第1检测电极22及第2检测电极26中的间隔23与第1检测电极22或第2检测电极26分开，并且是未电连接的区域。因此，如上所述，多个第1检测电极22为彼此在y方向上电绝缘的状态，多个第2检测电极26为彼此在x方向上电绝缘的状态。
[0098]
检测部27中的第1检测电极22及第2检测电极26的数量并无特别限定，根据触摸传感器的大小等适当确定，通常为多个。
[0099]
取出配线部24为负责对第1检测电极22及第2检测电极26施加电压等收发电信号的作用的部件。取出配线部24的一端与第1检测电极22或第2检测电极26电连接。在作为另一端的末端部24b设置有外部连接端子28。柔性电路板29与外部连接端子28连接。
[0100]
取出配线部24由多个取出线25构成。取出线25的一端分别与上述第1检测电极22或第2检测电极26电连接。取出线25的另一端一并与1个外部连接端子28电连接。多个取出线25的另一端为取出配线部24的末端部24b。另外，取出配线部24的取出线25的数量与电连接的检测电极的数量相同。
[0101]
并且，通过合并为1个外部连接端子28，能够使连接的柔性电路板29成为1个，能够降低成本，并且能够减小空间。
[0102]
在图3中所示的触摸传感器20中，取出配线部24与第1检测电极22的x方向的端部电连接，取出配线部24与第2检测电极26的y方向的一个端部电连接，相对于第1检测电极22从2个方向引绕取出配线部24。另外，优选第1检测电极22和取出配线部24构成为一体。优选第2检测电极26和取出配线部24构成为一体。此时，第1检测电极22和取出配线部24优选一
并形成。第2检测电极26和取出配线部24优选一并形成。
[0103]
在触摸传感器20中，如图4所示，在支撑体12的表面12a设置有构成第1检测电极22的多个导电性细线30。设置有覆盖多个导电性细线30的绝缘层32。在支撑体12的背面12b设置有构成第2检测电极26的多个导电性细线30。设置有覆盖多个导电性细线30的绝缘层32。
[0104]
网格图案14a和网格图案14b均为与上述网格图案14相同的结构，开口率为98％以上，并且表面电阻值为30ω/
□
以下。在网格图案14a和网格图案14b中，由导电性细线30构成开口部31。开口部31为与上述开口部15相同的结构，因此省略开口部31的详细说明。网格图案14a内的开口部31和网格图案14b内的开口部31的透射率分别为92％以上。
[0105]
＜导电性细线＞
[0106]
导电性细线30为与上述导电性细线13相同的结构，导电性细线30的线宽w及厚度t也与上述导电性细线13相同，因此省略其详细说明。
[0107]
＜绝缘层＞
[0108]
绝缘层32具有电绝缘性。并且，优选能够与其他部件等稳定地固定。绝缘层的结构并无特别限定。作为绝缘层，例如，能够使用光学透明的粘合剂(oca，optical clear adhesive：光学透明胶)及uv(ultra violet：紫外线)固化树脂等光学透明树脂(ocr，optical clear resin)。并且，绝缘层32可以局部中空。并且，在将导电性基板用作触摸传感器，例如配置于具备显示图像等显示物的显示面的图像显示模块上的情况下，要求绝缘层32进一步透明。
[0109]
(导电性基板的制造方法)
[0110]
导电性基板的制造方法包括：在支撑体上形成用于形成由导电性细线构成的网格图案的图案前体的工序；及对图案前体施加多次镀覆反应液，实施镀覆处理的工序。在实施镀覆处理的工序中，对图案前体施加镀覆反应液时，每一次图案前体与镀覆反应液的接触时间小于60秒。
[0111]
导电性基板10中，通过镀覆处理形成导电性细线而形成网格图案14。在镀覆处理之前，如上所述那样制作图案前体，如上所述那样对图案前体实施镀覆处理。由此，总是成为基于新的镀覆反应液进行的镀覆反应，并且限制镀覆反应液的接触时间，在析出到网格图案内的开口部之前停止镀覆反应，由此能够不损害透射率而进行镀覆反应。对于不足的镀覆量，通过进行多次镀覆处理，能够获得所期望的镀覆量。
[0112]
关于图案前体的形成方法，若为可获得能够进行用于形成由导电性细线构成的网格图案的镀覆处理的图案前体的方法，则并无特别限定。例如，可举出如下方法：使用在支撑体上层叠有基底层、感光性抗蚀剂层的感光性抗蚀剂材料，对感光性抗蚀剂层进行形成网格图案的图案曝光之后，进行显影而形成抗蚀剂图像来形成图案前体。此时，对图案前体的抗蚀剂图像实施非电解镀覆处理而使金属定位在未被抗蚀剂图像包覆的基底层上，然后，去除抗蚀剂图像而形成网格图案。
[0113]
并且，形成图案前体的工序优选包括：在支撑体的表面的至少一个面形成包含卤化银和2种以上的粘合剂的感光性卤化银乳剂层的工序；对卤化银乳剂层实施形成网格图案的图案曝光及显影处理而形成含银层的工序；及对含银层实施去除2种以上的粘合剂中的至少1种粘合剂的粘合剂减少处理的工序。此时，在镀覆处理中，对实施粘合剂减少处理而获得的图案前体的含银层施加多次镀覆反应液。
[0114]
另外，在曝光及显影之后进行粘合剂减少处理之后的含银层中，以网格图案状形成有显影银图案。通过镀覆处理由显影银图案形成网格图案。
[0115]
在镀覆处理中，优选通过非接触涂布方式将镀覆反应液施加到图案前体的含银层。并且，在镀覆处理中，优选悬浮输送形成有图案前体的支撑体，并实施镀覆处理。
[0116]
对含银层进行粘合剂减少处理之后，一边悬浮输送支撑体，一边实施通过非接触涂布方式将镀覆反应液施加到支撑体的含银层的非电解镀覆处理而形成导电性细线，由此能够获得电阻小的、低电阻的导电性细线。
[0117]
另外，对于图案前体的制造方法，将在后面详细地进行说明。
[0118]
接着，对实施镀覆处理的镀覆处理装置进行说明。
[0119]
(镀覆处理装置)
[0120]
图5是表示本发明的实施方式的镀覆处理装置的示意图，图6是表示本发明的实施方式的镀覆处理装置的非接触涂布部的示意图。
[0121]
图5中所示的镀覆处理装置40为对于被悬浮输送的具有图案前体(未图示)的支撑体12通过非接触涂布方式将镀覆反应液施加到支撑体12的图案前体(未图示)的装置，并且对含银层(未图示)施加镀覆反应液。镀覆处理装置40为辊对辊输送方式的装置，例如具有4个回转部、4个非接触涂布部44、4个镀覆处理部45及4个镀覆停止部。
[0122]
在镀覆处理装置40中，经由第4镀覆停止部46d，完成镀覆处理。在第4镀覆停止部46d的上方设置有悬浮输送部42，被悬浮输送而从镀覆处理装置40输送，转移到后续工序。例如，如后述，在镀覆处理之后实施平滑处理及加热处理等。
[0123]
镀覆处理装置40不是使支撑体通过存储在容器内的镀覆反应液中而进行镀覆处理的装置。在镀覆处理装置40中，具有4个镀覆处理部45，通过进行多次镀覆处理，能够对整个支撑体12均匀地实施镀覆处理，能够减小导电性图案的电阻的偏差，进而能够保持支撑体12的透射性，因此优选。并且，通过进行多次镀覆处理，能够获得所期望的镀覆量，能够减小网格图案的表面电阻值，还将进行多次镀覆处理称为多级镀覆处理。
[0124]
在多级镀覆处理中，可以使第1次镀覆处理中所使用的镀覆反应液的组成及处理条件(反应液温度、镀覆反应液的涂布量、图案前体与镀覆反应液的接触时间等)与第2次以后的镀覆处理中所使用的镀覆反应液的组成及处理条件分别相同，并且，根据目的，可以使第2次以后的镀覆处理中所使用的镀覆反应液的组成及处理条件不同。即使在多级镀覆处理成为3次以上的镀覆处理的情况下，各镀覆处理中的镀覆反应液的组成及处理条件可以各自相同，也可以各自不同。
[0125]
在镀覆处理装置40中，第1回转部43a、第2回转部43b、第3回转部43c及第4回转部43d全部为相同结构，因此仅对第1回转部43a进行说明。并且，第1镀覆停止部46a、第2镀覆停止部46b、第3镀覆停止部46c及第4镀覆停止部46d全部为相同结构，因此仅对第1镀覆停止部46a进行说明。
[0126]
镀覆处理装置40中，从支撑体12设置于下方的进入侧起在支撑体12的输送路径上配置有悬浮输送支撑体12的悬浮输送部42。镀覆处理装置40具有改变支撑体12的朝向的第1回转部43a。第1回转部43a例如由沿着支撑体12的输送方向dd平行配置的2个悬浮输送部42构成。在第1回转部43a中，通过配置于输送方向dd的下游侧的悬浮输送部42，支撑体12向下转向。
[0127]
在第1回转部43a的下方设置有第1镀覆停止部46a。在第1回转部43a与第1镀覆停止部46a之间设置有非接触涂布部44。第1回转部43a与第1镀覆停止部46a之间的区间为镀覆处理部45。
[0128]
非接触涂布部44通过非接触涂布方式对支撑体12施加镀覆反应液q。所施加的镀覆反应液q沿着支撑体12的面向镀覆停止部移动。在此期间，进行镀覆。通过设为非接触涂布方式，每一次镀覆处理均能够利用新的镀覆反应液，从而能够获得健全的导电性细线。
[0129]
以与支撑体12的各面相对面的方式配置有非接触涂布部44。由此，能够同时对支撑体12的两面进行镀覆处理。对于非接触涂布部44，将在后面详细地进行说明。
[0130]
在第1镀覆停止部46a的内部储存有镀覆停止液49。在第1镀覆停止部46a的内部设置有在镀覆停止液49中悬浮输送支撑体12的悬浮输送部47。通过悬浮输送部47，支撑体12向上转向而被悬浮输送。
[0131]
在第1回转部43a与第1镀覆停止部46a之间的镀覆处理部45中，进行镀覆处理，在第1镀覆停止部46a中停止镀覆处理。
[0132]
对于悬浮输送部42的结构，只要能够悬浮输送具有图案前体的支撑体12，则并无特别限定，但是例如可使用空气转向杆。并且，对于在镀覆停止液49中悬浮输送的悬浮输送部47的结构，只要能够在液中悬浮输送支撑体12，则并无特别限定，但是例如可使用液中的转向杆。
[0133]
基于悬浮输送部42及悬浮输送部47的支撑体悬浮量并无特别限定，但是通常在1～2mm的范围内。
[0134]
并且，在第1镀覆停止部46a中，在悬浮输送部47的输送方向dd的下游侧且镀覆停止液49的液面的上方设置有用于从支撑体12去除镀覆停止液49的去除部48。
[0135]
在第1镀覆停止部46a的上方配置有悬浮输送部42，在悬浮输送部42的上方设置有第2回转部43b。在第2回转部43b的下方设置有第2镀覆停止部46b。在第2回转部43b与第2镀覆停止部46b之间以与支撑体12的各面相对面的方式设置有非接触涂布部44。第2回转部43b与第2镀覆停止部46b之间的区间为镀覆处理部45。在镀覆处理部45中，进行镀覆处理，在第2镀覆停止部46b中停止镀覆处理。
[0136]
在第2镀覆停止部46b的上方配置有悬浮输送部42，在悬浮输送部42的上方设置有第3回转部43c。在第3回转部43c的下方设置有第3镀覆停止部46c。在第3回转部43c与第3镀覆停止部46c之间以与支撑体12的各面相对面的方式设置有非接触涂布部44。第3回转部43c与第3镀覆停止部46c之间的区间为镀覆处理部45。在镀覆处理部45中，进行镀覆处理，在第3镀覆停止部46c中停止镀覆处理。
[0137]
在第3镀覆停止部46c的上方配置有悬浮输送部42，在悬浮输送部42的上方设置有第4回转部43d。在第4回转部43d的下方设置有第4镀覆停止部46d。在第4回转部43d与第4镀覆停止部46d之间以与支撑体12的各面相对面的方式设置有非接触涂布部44。第4回转部43d与第4镀覆停止部46d之间的区间为镀覆处理部45。在镀覆处理部45中，进行镀覆处理，在第4镀覆停止部46d中停止镀覆处理。作为镀覆停止液49，只要能够停止基于镀覆反应液的镀覆处理，则并无特别限定。对于镀覆停止液，例如能够使用通过依次添加适量的硫酸氢钠来将ph调整为小于8.0的水溶液。并且，作为镀覆停止液，还能够使用纯水。从停止镀覆反应的观点出发，优选将从镀覆处理部45流入镀覆停止部46的镀覆反应液充分稀释或在镀覆
反应液和镀覆停止液混合之后将ph调整为小于8.0。
[0138]
镀覆处理装置40具有4个镀覆处理部45，并且为对图案前体施加4次镀覆反应液的装置。在各镀覆处理部45中，图案前体与镀覆反应液的接触时间小于60秒。即，镀覆处理、每一次图案前体与镀覆反应液的接触时间小于60秒。若接触时间小于60秒，则可抑制构成网格图案的导电性细线以外的镀覆析出，能够使导电性细线的线宽变细，并且能够抑制没有导电性细线的网格图案内的开口部的透射率的降低。由此，网格图案的开口率为98.0％以上，并且网格图案的表面电阻值为30ω/
□
以下，而且能够获得网格图案内的开口部的透射率为92％以上的导电性基板。并且，可抑制构成网格图案的导电性细线以外的镀覆析出，还能够抑制网格图案的表面电阻值的偏差。
[0139]
另外，即使进行1次镀覆处理，由于接触时间为60秒以上，也会发生导电性细线以外的镀覆析出，也会发生网格图案内的开口部的透射率的降低或网格图案的表面电阻值的偏差。因此，镀覆处理需要进行多次并且将每一次接触时间设为小于60秒。
[0140]
另外，在镀覆处理中，多次只要是2次以上即可。镀覆处理的次数的上限并无特别限制，但是从生产管理的观点出发，优选6次以下。
[0141]
接触时间为从施加镀覆反应液至到达镀覆停止部的镀覆停止液为止的时间。
[0142]
如上所述，接触时间为从将镀覆反应液施加到图案前体的时刻开始的时间，能够使用时钟进行测定。若预先调整镀覆处理部45的距离和输送时间，利用非接触涂布部44施加镀覆反应液之后，使到达镀覆停止液的时间小于60秒，则仅通过利用非接触涂布部44施加镀覆反应液，就能够省略管理接触时间。
[0143]
另外，接触时间的下限并无特别限制，但是优选10秒以上，更优选25秒以上。
[0144]
在镀覆处理中，在将支撑体输送一定时间的途中，在支撑体面上进行对网格图案的镀覆反应，从涂布镀覆反应液起经过一定时间之后将支撑体浸渍于充满停止镀覆反应的镀覆停止液的镀覆停止部。关于镀覆反应液，反应速度越快，则越优选，优选使用调整了镀覆的反应速度以在从施加镀覆反应液至到达镀覆反应停止液为止的期间不会在网格图案内的开口部发生银粒子的析出的镀覆反应液。
[0145]
去除部48例如喷射气体而从支撑体12去除镀覆停止液49、或者抽吸气体而从支撑体12去除镀覆停止液49。对于去除部48，只要能够喷射或抽吸气体，则其结构并无特别限定，例如，可使用气刀。
[0146]
如图6所示，非接触涂布部44例如具有第1喷嘴50和第2喷嘴52。第1喷嘴50与供给管53连接，泵54和罐55与供给管53连接。在罐55中储存有第1镀覆反应液qa，通过泵54，将第1镀覆反应液qa从第1喷嘴50施加到支撑体12的表面12a。第1喷嘴50对支撑体均匀地喷射第1镀覆反应液qa。
[0147]
第2喷嘴52与供给管53连接，泵54和罐56与供给管53连接。在罐56中储存有第2镀覆反应液qb，通过泵54，将第2镀覆反应液qb从第2喷嘴52施加到支撑体12的表面12a。第2喷嘴52对支撑体均匀地喷射第2镀覆反应液qb。
[0148]
利用第1镀覆反应液qa和第2镀覆反应液qb进行镀覆处理。另外，将第1镀覆反应液qa和第2镀覆反应液qb统称为镀覆反应液q。镀覆反应液并不限定于使用2种，也可以是1种，也可以是3种以上。
[0149]
关于非接触涂布部44，只要能够通过非接触涂布方式将镀覆反应液施加到支撑体
12，则并无特别限定，能够利用喷墨方式、帘涂方式、辊涂方式、双流体喷雾方式、棒涂方式及滴注方式等非接触方式的部件。
[0150]
在图6中，为了对非接触涂布部44的结构具体地进行说明，示出了与支撑体12的表面12a相对面的非接触涂布部44，但是还能够与支撑体12的背面12b相对面而配置非接触涂布部44。
[0151]
由在曝光及显影之后进行粘合剂减少处理之后的含银层构成的显影银图案是脆弱的。因此，在进行粘合剂减少处理之后，在使用了平整辊的辊输送中损坏或剥离等，无法获得良好的导电性细线，发生电阻的上升或电阻值的偏差。然而，通过利用悬浮输送和非接触涂布方式的镀覆反应液的施加，能够抑制对由进行粘合剂减少处理之后的含银层构成的显影银图案的损伤或剥离，因此能够抑制导电性图案的电阻的上升而获得抗导电性细线，并且还能够减小电阻值的偏差。
[0152]
而且，通过使用如图5所示的辊对辊输送方式的镀覆处理装置40，能够连续进行镀覆处理，因此可获得高生产率。并且，在镀覆处理装置40中，镀覆反应液不会与悬浮输送部等输送部件直接接触，因此可抑制输送部件上的镀覆析出，无需进行镀覆析出物的定期去除作业，不停止镀覆处理装置而能够连续进行镀覆处理。
[0153]
在图5中，使非接触涂布部44与支撑体12的各面相对面，夹着支撑体12配置了2个，但是非接触涂布部44只要配置于镀覆处理的面即可，若镀覆处理的面为支撑体12的一个面，则只要与一个面相对面而配置非接触涂布部44即可。并且，将非接触涂布部44设为相对于支撑体12的1个面配置1个的结构，但是并不限定于此，可以沿着回转部与镀覆停止部之间的区间配置多个。
[0154]
并且，优选回转部与镀覆停止部之间的区间是垂直的，以便镀覆反应液不会移动到支撑体12的另一个面。通过使上述区间垂直，镀覆反应液容易移动到下方的镀覆停止部侧，可抑制与另一个面的镀覆反应液混合，能够进行正常的镀覆处理。
[0155]
在镀覆处理装置40中，设置了悬浮输送部42，但是并不限定于此，在图案前体不会因使用了平整辊的输送而受损伤，不会对网格图案造成影响的结构的情况下，还能够使用平整辊输送来代替悬浮输送。
[0156]
并且，设置了非接触涂布部44，但是并不限定于此，在即使使用刷子等涂布镀覆反应液q，图案前体也不会受损伤，也不会对网格图案造成影响的结构的情况下，能够使用刷子等进行涂布来代替非接触涂布部44。
[0157]
图7是表示本发明的实施方式的图案前体的一例的示意性俯视图，图8是表示本发明的实施方式的图案前体的一例的示意性剖视图。另外，在图7及图8中，对与图1及图2相同的结构物标注相同符号，并省略其详细说明。
[0158]
图5中所示的镀覆处理装置40为辊对辊输送方式的装置，因此如图7所示，形成有图案前体61的支撑体12为长尺寸的带状形态。
[0159]
在支撑体12的表面12a及背面12b，隔着间隙部62反复设置有图案形成区域60。例如，在支撑体12的输送方向dd上交替地设置有图案形成区域60和间隙部62。例如，多个图案形成区域60均全等，多个图案形成区域60处于相互电绝缘的状态。间隙部62是指支撑体12的输送方向dd上的图案形成区域60与图案形成区域60之间的区域。在多个图案形成区域60分别形成有图案前体61。
[0160]
间隙部62为用于在图案前体61的形成中提高输送等的处理性的区域。对于间隙部62，若未形成图案前体61，则作为结构，并无特别限定。在间隙部62例如形成有对准标记或辅助支撑体12的输送的用于调整厚度的图案等各种图案。并且，间隙部62可以是未形成任何的支撑体12本身。
[0161]
在图7中，间隙部62在支撑体12的输送方向dd上的长度ls全部比支撑体12的输送方向dd上的图案形成区域60的图案长度lp长。即，为lp＜ls，但是并不限定于此。另外，还将间隙部62在支撑体12的输送方向上的长度ls称为图案间隔ls。
[0162]
接着，对于导电性基板的制造方法，列举使用了包含卤化银的感光性卤化银乳剂层的图案前体进行说明。导电性基板的制造方法包括具有上述含银层的图案前体的制造工序。对于图案前体的制造工序的各工序，只要能够制造图案前体，则并无特别限制，但是从生产率优异的观点出发，优选依序包括后述的工序a～工序e的导电性基板的制造方法。以下，对各工序进行详细叙述。
[0163]
＜工序a＞
[0164]
工序a为在支撑体上形成包含卤化银和2种以上的粘合剂的感光性卤化银乳剂层(以下，还称为“感光性层”。)的工序。
[0165]
上述2种以上的粘合剂例如为明胶和与明胶不同的高分子(以下，还称为“特定高分子”。)。
[0166]
首先，对工序a中所使用的材料及部件进行详细叙述，然后，对工序a的步骤进行详细叙述。
[0167]
(支撑体)
[0168]
关于支撑体，只要能够支撑感光性层及导电性细线，则其种类并无特别限制，可举出塑料基板及玻璃基板，优选塑料基板。
[0169]
支撑体的厚度并无特别限制，通常为25～500μm。另外，在应用于触摸面板时，将支撑体表面用作触摸面的情况下，支撑体的厚度可以超过500μm。
[0170]
并且，由于如上述镀覆处理装置40(参考图5)那样回转而输送，因此支撑体优选具有柔性的柔性基材。
[0171]
在此，柔性基材是指能够折弯的基材，具体而言为即使以2mm的折弯曲率半径折弯也不会发生破裂的基材。柔性基材具有能够形成三维形状的加工性。
[0172]
作为构成支撑体的材料，优选聚对苯二甲酸乙二酯(pet)(258℃)、聚环烯烃(134℃)、聚碳酸酯(250℃)、丙烯酸薄膜(128℃)、聚萘二甲酸乙二醇酯(269℃)、聚乙烯(135℃)、聚丙烯(163℃)、聚苯乙烯(230℃)、聚氯乙烯(180℃)、聚偏二氯乙烯(212℃)及三乙酰纤维素(290℃)等熔点约为290℃以下的树脂，更优选pet、聚环烯烃及聚碳酸酯。另外，()内的数值为熔点或玻璃化转变温度。
[0173]
对支撑体要求透射性，总透光率为92％以上。关于总透光率，使用jis(日本工业标准)k 7375：2008中所规定的“塑料-总透光率及总光线反射率的求出方法”来测定。
[0174]
可以在支撑体的表面上配置有底涂层。
[0175]
底涂层优选包含后述的特定高分子。若使用该底涂层，则后述的导电性细线对支撑体的密合性进一步提高。
[0176]
底涂层的形成方法并无特别限制，例如，可举出如下方法：将包含特定高分子的底
涂层形成用组合物涂布于支撑体上，并根据需要实施加热处理。根据需要，在底涂层形成用组合物中可以包含溶剂。溶剂的种类并无特别限制，可例示后述的感光性层形成用组合物中所使用的溶剂。并且，作为包含特定高分子的底涂层形成用组合物，可以使用包含特定高分子的粒子的胶乳。
[0177]
底涂层的厚度并无特别限制，从导电层对支撑体的密合性更优异的观点出发，优选0.02～0.3μm，更优选0.03～0.2μm。
[0178]
(卤化银)
[0179]
卤化银中所包含的卤素原子可以是氯原子、溴原子、碘原子及氟原子中的任一个，也可以是它们的组合。例如，优选以氯化银、溴化银或碘化银作为主体的卤化银，更优选以氯化银或溴化银作为主体的卤化银。另外，还可优选使用氯溴化银、碘氯溴化银或碘溴化银。
[0180]
在此，例如，“以氯化银为主体的卤化银”是指在卤化银组成中总卤化物离子中所占的氯化物离子的摩尔分数为50％以上的卤化银。以该氯化银为主体的卤化银除了氯化物离子以外，还可以包含溴化物离子和/或碘化物离子。
[0181]
卤化银通常为固体粒子状，卤化银的平均粒径以球当量直径计优选10～1000nm，更优选10～200nm，从在湿热环境下导电性细线的电阻值的变化更小的观点出发，进一步优选50～150nm。
[0182]
另外，球当量直径是指具有相同体积的球形粒子的直径。
[0183]
用作上述卤化银的平均粒径的“球当量直径”为平均值，并且通过测定100个卤化银的球当量直径，并将它们进行算术平均而获得。
[0184]
卤化银的粒子的形状并无特别限制，例如，可举出球状、立方体状、平板状(六边平板状、三角形平板状、四边形平板状等)、八面体状及十四面体状等形状。
[0185]
(明胶)
[0186]
明胶的种类并无特别限制，例如，可举出石灰处理明胶及酸处理明胶。并且，可以使用明胶的水解物、明胶的酶分解物、以及用氨基和/或羧基改性的明胶(邻苯二甲酰化明胶及乙酰化明胶)等。
[0187]
(与明胶不同的高分子)
[0188]
在感光性层中包含与明胶不同的高分子。通过在感光性层中包含该特定高分子，由感光性层形成的导电性细线的强度更优异。
[0189]
关于特定高分子的种类，只要与明胶不同，则并无特别限制，优选不会被后述的分解明胶的蛋白水解酶或氧化剂分解的高分子。
[0190]
作为特定高分子，可举出疏水性高分子(非水溶性高分子)，例如，可举出选自包含(甲基)丙烯酸系树脂、苯乙烯系树脂、乙烯基系树脂、聚烯烃系树脂、聚酯系树脂、聚氨酯系树脂、聚酰胺系树脂、聚碳酸酯系树脂、聚二烯系树脂、环氧系树脂、硅酮系树脂、纤维素系聚合物及壳聚糖系聚合物的组中的至少任一个树脂或包含构成这些树脂的单体的共聚物等。
[0191]
并且，特定高分子优选具有与后述的交联剂进行反应的反应性基团。
[0192]
特定高分子优选为粒子状。即，感光性层优选包含特定高分子的粒子。
[0193]
作为特定高分子，优选由以下通式(1)表示的高分子(共聚物)。
[0194]
通式(1)：-(a)
x-(b)
y-(c)
z-(d)
w-[0195]
另外，通式(1)中，a、b、c及d分别表示由下述通式(a)至(d)表示的重复单元。
[0196]
[化学式1]
[0197]
a：b：
[0198]
c：d：
[0199]
r1表示甲基或卤素原子，优选甲基、氯原子或溴原子。p表示0～2的整数，优选0或1，更优选0。
[0200]
r2表示甲基或乙基，优选甲基。
[0201]
r3表示氢原子或甲基，优选氢原子。l表示2价的连结基团，优选由下述通式(2)表示的基团。
[0202]
通式(2)：-(co-x1)r-x
2-[0203]
通式(2)中，x1表示氧原子或-nr
30-。在此，r
30
表示氢原子、烷基、芳基或酰基，且分别可以具有取代基(例如，卤素原子、硝基及羟基)。作为r
30
，优选氢原子、碳原子数1～10的烷基(例如，甲基、乙基、正丁基及正辛基)或酰基(例如，乙酰基及苯甲酰基)。作为x1，优选氧原子或-nh-。
[0204]
x2表示亚烷基、亚芳基、亚烷基亚芳基、亚芳基亚烷基或亚烷基亚芳基亚烷基，可以在这些基团的中途插入-o-、-s-、-co-、-coo-、-nh-、-so
2-、-n(r
31
)-或-n(r
31
)so
2-等。r
31
表示碳原子数1～6的直链状或支链状烷基。作为x2，优选二亚甲基、三亚甲基、四亚甲基、邻亚苯基、间亚苯基、对亚苯基、-ch2ch2ococh2ch
2-或-ch2ch2oco(c6h4)-等。
[0205]
r表示0或1。
[0206]
q表示0或1，优选0。
[0207]
r4表示烷基、烯基或炔基，优选碳原子数5～50的烷基，更优选碳原子数5～30的烷基，进一步优选碳原子数5～20的烷基。
[0208]
r5表示氢原子、甲基、乙基、卤素原子或-ch2coor6，优选氢原子、甲基、卤素原子或-ch2coor6，更优选氢原子、甲基或-ch2coor6，进一步优选氢原子。
[0209]
r6表示氢原子或碳原子数1～80的烷基，可以与r4相同，也可以不同，r6的碳原子数优选1～70，更优选1～60。
[0210]
通式(1)中，x、y、z及w表示各重复单元的摩尔比率。
[0211]
x为3～60摩尔％，优选3～50摩尔％，更优选3～40摩尔％。
[0212]
y为30～96摩尔％，优选35～95摩尔％，更优选40～90摩尔％。
[0213]
z为0.5～25摩尔％，优选0.5～20摩尔％，更优选1～20摩尔％。
[0214]
w为0.5～40摩尔％，优选0.5～30摩尔％。
[0215]
通式(1)中，优选x为3～40摩尔％、y为40～90摩尔％、z为0.5～20摩尔％、w为0.5～10摩尔％的情况。
[0216]
作为由通式(1)表示的高分子，优选由下述通式(2)表示的高分子。
[0217]
[化学式2]
[0218][0219]
通式(2)中，x、y、z及w如上述定义。
[0220]
由通式(1)表示的高分子可以包含除了由上述通式(a)至(d)表示的重复单元以外的其他重复单元。
[0221]
作为用于形成其他重复单元的单体，例如，可举出丙烯酸酯类、甲基丙烯酸酯类、乙烯基酯类、烯烃类、巴豆酸酯类、衣康酸二酯类、马来酸二酯类、富马酸二酯类、丙烯酰胺类、不饱和羧酸类、烯丙基化合物、乙烯基醚类、乙烯基酮类、乙烯基杂环化合物、缩水甘油酯类及不饱和腈类。作为这些单体，也记载于日本专利第3754745号公报的0010～0022段中。从疏水性的观点出发，优选丙烯酸酯类或甲基丙烯酸酯类，更优选甲基丙烯酸羟烷基酯或丙烯酸羟烷基酯。
[0222]
由通式(1)表示的高分子优选包含由通式(e)表示的重复单元。
[0223]
[化学式3]
[0224]
e：
[0225]
上述式中，le表示亚烷基，优选碳原子数1～10的亚烷基，更优选碳原子数2～6的亚烷基，进一步优选碳原子数2～4的亚烷基。
[0226]
作为由通式(1)表示的高分子，尤其优选由下述通式(3)表示的高分子。
[0227]
[化学式4]
[0228][0229]
上述式中，a1、b1、c1、d1及e1表示各重复单元的摩尔比率，a1表示3～60(摩尔％)，b1表示30～95(摩尔％)，c1表示0.5～25(摩尔％)，d1表示0.5～40(摩尔％)，e1表示1～10
(摩尔％)。
[0230]
a1的优选范围与上述x的优选范围相同，b1的优选范围与上述y的优选范围相同，c1的优选范围与上述z的优选范围相同，d1的优选范围与上述w的优选范围相同。
[0231]
e1为1～10摩尔％，优选2～9摩尔％，更优选2～8摩尔％。
[0232]
特定高分子例如能够参考日本专利第3305459号公报及日本专利第3754745号公报等而合成。
[0233]
特定高分子的重均分子量并无特别限制，优选1000～1000000，更优选2000～750000，进一步优选3000～500000。
[0234]
根据需要，在感光性层中可以包含除了上述的材料以外的其他材料。
[0235]
例如，可举出用于卤化银的稳定化及高灵敏度化的铑化合物及铱化合物等属于8族及9族的金属化合物。或者，还可举出如特开2009-004348号公报的0220～0241段中所记载的抗静电剂、造核促进剂、光谱增感色素、表面活性剂、防雾剂、硬膜剂、防黑点剂、氧化还原化合物、单次甲基化合物及二羟基苯类。而且，在感光性层中可以包含物理显影核。
[0236]
并且，在感光性层中可以包含用于使上述特定高分子彼此交联的交联剂。通过包含交联剂，进行特定高分子彼此之间的交联，分解去除了明胶时也可保持导电层中的金属银彼此的连结。
[0237]
(工序a的步骤)
[0238]
在工序a中形成包含上述成分的感光性层的方法并无特别限制，但是从生产率的观点出发，优选在支撑体上接触包含卤化银、明胶及特定高分子的感光性层形成用组合物，并在支撑体上形成感光性层的方法。
[0239]
以下，对该方法中所使用的感光性层形成用组合物的形态进行详细叙述，然后，对工序的步骤进行详细叙述。
[0240]
(感光性层形成用组合物中所包含的材料)
[0241]
在感光性层形成用组合物中包含上述的卤化银、明胶及特定高分子。另外，根据需要，特定高分子可以以粒子状的形态包含在感光性层形成用组合物中。
[0242]
根据需要，在感光性层形成用组合物中可以包含溶剂。
[0243]
作为溶剂，可举出水、有机溶剂(例如，醇类、酮类、酰胺类、亚砜类、酯类及醚类)、离子性液体及它们的混合溶剂。
[0244]
使感光性层形成用组合物与支撑体接触的方法并无特别限制，例如，可举出将感光性层形成用组合物涂布于支撑体上的方法及将支撑体浸渍于感光性层形成用组合物中的方法等。
[0245]
另外，上述处理之后，根据需要，可以实施干燥处理。
[0246]
(含卤化银的感光性层)
[0247]
在通过上述步骤形成的感光性层中包含卤化银和2种以上的粘合剂(例如，明胶和特定高分子)。
[0248]
感光性层中的卤化银的含量并无特别限制，从导电性细线的导电性更优异的观点出发，以银换算计优选3.0～20.0g/m2，更优选5.0～15.0g/m2。
[0249]
银换算是指换算成卤化银全部被还原而生成的银的质量。
[0250]
在感光性层中包含特定高分子的情况下，感光性层中的特定高分子的含量并无特
别限制，从导电性细线的导电性更优异的观点出发，优选0.04～2.0g/m2，更优选0.08～0.40g/m2，进一步优选0.10～0.40g/m2。
[0251]
＜工序b＞
[0252]
工序b为如下工序：对感光性层进行图案曝光之后，进行显影处理，形成包含金属银和2种以上的粘合剂(例如，明胶和特定高分子)的细线状的含银层。
[0253]
通过对感光性层实施图案曝光处理，在曝光区域中形成潜像。
[0254]
关于图案曝光，例如，为了获得由后述的导电性细线构成的网格图案，可举出经由具有网格状的开口图案的掩模而曝光的方法及扫描激光束而曝光成网格状的方法。
[0255]
曝光时所使用的光的种类并无特别限制，只要能够在卤化银上形成潜像即可，例如，可举出可见光线、紫外线及x射线。
[0256]
通过对经曝光的感光性层实施显影处理，在曝光区域(形成了潜像的区域)中析出金属银。
[0257]
显影处理的方法并无特别限制，例如，可举出用于银盐照片薄膜、印相纸、印刷制版用薄膜及光掩模用乳胶掩模的公知的方法。
[0258]
在显影处理中，通常使用显影液。显影液的种类并无特别限制，例如，可举出pq(phenidone hydroquinone：菲尼酮对苯二酚)显影液、mq(metolhydroquinone：米吐尔对苯二酚)显影液及maa(米吐尔抗坏血酸)显影液。
[0259]
本工序还可以具有为了去除未曝光部分的卤化银并使其稳定化而进行的定影处理。
[0260]
关于定影处理，与显影同时实施和/或在显影之后实施。定影处理的方法并无特别限制，例如，可举出用于银盐照片薄膜、印相纸、印刷制版用薄膜及光掩模用乳胶掩模的方法。
[0261]
在定影处理中，通常使用定影液。定影液的种类并无特别限制，例如，可举出“照片的化学”(笹井著，照片工业出版社)p321中所记载的定影液。
[0262]
通过实施上述处理，可形成包含金属银和2种以上的粘合剂(例如，明胶和特定高分子)的细线状的含银层。
[0263]
作为调整含银层的宽度的方法，例如，可举出调整曝光时所使用的掩模的开口宽度的方法。例如，能够通过将掩模的开口宽度设为1.0μm以上且小于5.0μm来调整曝光区域。
[0264]
并且，在曝光时使用掩模的情况下，还能够通过调整曝光量来调整所形成的含银层的宽度。例如，在掩模的开口宽度比目标含银层的宽度窄的情况下，能够通过使曝光量比通常增加来调整形成潜像的区域的宽度。即，能够通过曝光量来调整导电性细线的线宽。
[0265]
而且，在使用激光束的情况下，能够通过调整激光束的聚光范围和/或扫描范围来调整曝光区域。
[0266]
含银层的宽度优选1.0μm以上且小于5.0μm，从难以视觉辨认所形成的导电性细线的观点出发，更优选3.0μm以下，进一步优选1.5μm以下。
[0267]
另外，通过上述步骤获得的含银层为细线状，含银层的宽度是指与细线状的含银层延伸的方向正交的方向上的含银层的长度(宽度)。
[0268]
＜工序c＞
[0269]
工序c为对工序b中所获得的含银层实施加热处理的工序。通过实施本工序，进行
含银层中的粘合剂(例如，特定高分子)之间的熔接，从而含银层的强度得到提高。
[0270]
加热处理的方法并无特别限制，可举出使含银层与过热蒸汽接触的方法及使用调温装置(例如，加热器)对含银层进行加热的方法，优选使含银层与过热蒸汽接触的方法。
[0271]
作为过热蒸汽，可以是过热水蒸汽，也可以是在过热水蒸汽中混合其他气体而得的蒸汽。
[0272]
过热蒸汽与含银层的接触时间并无特别限制，优选10～70秒钟。
[0273]
过热蒸汽的供给量优选500～600g/m3，过热蒸汽的温度在1个大气压下优选100～160℃(优选为100～120℃)。
[0274]
作为使用调温装置对含银层进行加热的方法中的加热条件，优选在100～200℃(优选为100～150℃)下加热1～240分钟(优选为60～150分钟)的条件。
[0275]
＜工序d＞
[0276]
工序d为实施去除工序c中所获得的含银层中的2种以上的粘合剂(例如，明胶和特定高分子)中的至少1种粘合剂的粘合剂减少处理的工序。在作为2种以上的粘合剂使用了明胶和特定高分子的情况下，通过实施本工序，从含银层中去除作为粘合剂的1种的明胶，在含银层中形成空间。作为粘合剂减少处理，可根据欲去除的粘合剂的种类来选择最佳方法，但是在去除明胶的情况下，如后述，优选次氯酸处理或酶处理。
[0277]
以下，对去除明胶的方法进行详细叙述。
[0278]
若通过粘合剂减少处理，明胶被去除，则含银层变脆弱，容易损坏，因此优选在悬浮输送支撑体的状态下对含银层实施粘合剂减少处理。
[0279]
去除明胶的方法并无特别限制，例如，可举出使用蛋白水解酶的方法(以下，还称为“方法1”。)及使用氧化剂来分解去除明胶的方法(以下，还称为“方法2”。)。
[0280]
作为在方法1中使用的蛋白水解酶，可举出能够水解明胶等蛋白质的植物性或动物性酶中公知的酶。
[0281]
作为蛋白水解酶，例如，可举出胃蛋白酶、凝乳酶、胰蛋白酶、糜蛋白酶、组织蛋白酶、木瓜蛋白酶、无花果蛋白酶、凝血酶、肾素、胶原蛋白酶、菠罗蛋白酶及细菌蛋白酶，优选胰蛋白酶、木瓜蛋白酶、无花果蛋白酶或细菌蛋白酶。
[0282]
作为方法1中的步骤，只要是使含银层与上述蛋白水解酶接触的方法即可，例如，可举出使含银层与包含蛋白水解酶的处理液(以下，还称为“酶液”。)接触的方法。作为接触方法，可举出将含银层浸渍于酶液中的方法及在含银层上涂布酶液的方法。在粘合剂减少处理中，使用上述蛋白水解酶的处理为酶处理。
[0283]
酶液中的蛋白水解酶的含量并无特别限制，从容易控制明胶的分解去除程度的观点出发，相对于酶液总量，优选0.05～20质量％，更优选0.5～10质量％。
[0284]
在酶液中除了上述蛋白水解酶以外，通常还包含水。
[0285]
根据需要，在酶液中可以包含其他添加剂(例如，ph缓冲剂、抗菌性化合物、润湿剂及防腐剂)。
[0286]
关于酶液的ph，以最大限度地获得酶的作用的方式进行选择，但是通常，优选5～9。
[0287]
酶液的温度优选酶的作用提高的温度，具体而言优选25～45℃。
[0288]
另外，根据需要，可以在使用酶液进行的处理之后，实施用热水清洗所获得的含银
层的清洗处理。
[0289]
清洗方法并无特别限制，优选使含银层与热水接触的方法，例如，可举出将含银层浸渍于热水中的方法及在含银层上涂布热水的方法。
[0290]
热水的温度可根据所使用的蛋白水解酶的种类来适当地选择最佳的温度，从生产率的观点出发，优选20～80℃，更优选40～60℃。
[0291]
热水与含银层的接触时间(清洗时间)并无特别限制，从生产率的观点出发，优选1～600秒钟，更优选30～360秒钟。
[0292]
作为方法2中所使用的氧化剂，只要是能够分解明胶的氧化剂即可，优选标准电极电位为+1.5v以上的氧化剂。另外，在此，标准电极电位是指氧化剂在水溶液中对标准氢电极的标准电极电位(25℃，e0)。
[0293]
作为上述氧化剂，例如，可举出过硫酸、过碳酸、过磷酸、次过氯酸、过乙酸、间氯过苯甲酸、双氧水、过氯酸、过碘酸、高锰酸钾、过硫酸铵、臭氧、次氯酸或其盐等，但是从生产率、经济性的观点出发，优选双氧水(标准电极电位：1.76v)、次氯酸或其盐，更优选次氯酸钠。
[0294]
作为方法2中的步骤，只要是使含银层与上述氧化剂接触的方法即可，例如，可举出使含银层与包含氧化剂的处理液(以下，还称为“氧化剂液”。)接触的方法。作为接触方法，可举出将含银层浸渍于氧化剂液中的方法及在含银层上涂布氧化剂液的方法。在粘合剂减少处理中，作为上述氧化剂使用次氯酸的处理为次氯酸处理。
[0295]
氧化剂液中所包含的溶剂的种类并无特别限制，可举出水及有机溶剂。
[0296]
＜工序e＞
[0297]
工序e为对工序d中所获得的含银层实施镀覆处理而获得导电性细线的工序。通过实施本工序，在通过去除明胶而形成的空间形成填充有金属(镀覆金属)的导电性细线。
[0298]
在镀覆处理中使用非电解镀覆(化学还原镀覆或置换镀覆)。作为非电解镀覆，可使用公知的非电解镀覆技术。
[0299]
作为非电解镀覆处理，例如，可举出非电解银镀覆处理、非电解铜镀覆处理、非电解镍镀覆处理及非电解钴镀覆处理。从导电性细线的导电性更优异的观点出发，作为非电解镀覆处理，优选为非电解铜镀覆处理及非电解银镀覆处理中的至少1个处理，更优选非电解银镀覆处理。
[0300]
在镀覆处理中使用的镀覆反应液中所包含的成分并无特别限制，但是通常，除了溶剂(例如，水)以外，还主要包含1.镀覆用金属离子、2.还原剂、3.提高金属离子的稳定性的添加剂(稳定剂)、4.ph调节剂。在该镀覆浴中除了这些以外，还可以包含镀覆浴的稳定剂等公知的添加剂。
[0301]
镀覆反应液中所包含的镀覆用金属离子的种类能够根据欲析出的金属种类来适当地选择，例如，可举出银离子、铜离子、镍离子及钴离子。
[0302]
上述镀覆处理中所使用的镀覆反应液可以分为包含不同组成的多个镀覆反应液，并将各镀覆反应液分别施加到图案前体。并且，可以将分为多个的镀覆反应液在施加到图案前体之前进行混合，并将混合的镀覆反应液施加到图案前体。
[0303]
将镀覆反应液分为包含不同组成的2个镀覆反应液时，优选分为含有镀覆金属的金属离子的镀覆反应液1和包含具有还原镀覆金属离子的作用的还原剂的镀覆反应液2。通
过将镀覆反应液分为上述镀覆反应液1和镀覆反应液2，在施加各镀覆反应液的线路(镀覆反应液的储存罐、送液配管、涂布机)内，不会产生不期望的镀覆反应，各镀覆反应液的经时稳定性优异。
[0304]
在将镀覆反应液1和镀覆反应液2分别施加到图案前体时，可以在将镀覆反应液1施加到图案前体之后，施加镀覆反应液2，并且，也可以在将镀覆反应液2施加到图案前体之后，接着施加镀覆反应液1。对于将镀覆反应液1施加到图案前体与将镀覆反应液2施加到图案前体的时间间隔、镀覆反应液的施加量、支撑体的输送速度等，优选以可获得所期望的镀覆反应速度的方式确定。
[0305]
对于上述镀覆处理的步骤，例如，只要能够一边悬浮输送支撑体，一边通过非接触涂布方式对图案前体施加多次镀覆反应液，则并无特别限定。在镀覆处理中，例如使用上述镀覆处理装置40(参考图5)。
[0306]
关于图案前体与镀覆反应液的接触时间，从不降低透射率而形成导电性细线的观点出发，每一次镀覆处理小于60秒。在镀覆处理装置40中，能够根据上述接触时间来设定镀覆处理部45(参考图5)的距离和支撑体12的输送速度。将镀覆反应液分为多个时的图案前体与镀覆反应液的接触时间为从混合有含有镀覆金属离子的液和包含还原剂的液的镀覆液与图案前体接触至图案前体到达镀覆停止液为止的时间。
[0307]
＜工序f＞
[0308]
本发明的导电性基板的制造方法中，在工序e之后，可以具有对工序e中所获得的导电性细线进一步实施平滑处理的工序f。
[0309]
通过实施本工序，可获得导电性更优异的导电性细线。
[0310]
平滑处理的方法并无特别限制，例如，优选使形成有导电性细线的长尺寸的支撑体在加压下通过至少一对辊之间的压延处理工序。以下，将使用了压延辊的平滑处理称为压延处理。
[0311]
作为压延处理中所使用的辊，可举出塑料辊及金属辊，从防褶的观点出发，优选塑料辊。
[0312]
辊之间的压力并无特别限制，优选2mpa以上，更优选4mpa以上，优选120mpa以下。另外，关于辊之间的压力，能够使用fujifilm corporation制造的prescale(高压用)来测定。
[0313]
平滑处理的温度并无特别限制，优选10～100℃，更优选10～50℃。
[0314]
＜工序g＞
[0315]
本发明的导电性基板的制造方法中，在工序f之后，还可以具有对工序f中所获得的导电性细线实施加热处理的工序g。通过实施本工序，可获得导电性更优异的导电性细线。
[0316]
对导电性细线实施加热处理的方法并无特别限制，可举出在工序c中叙述的方法。
[0317]
＜工序h＞
[0318]
本发明的导电性基板的制造方法中，在工序a之前，可以具有在支撑体上形成包含明胶及特定高分子的不含卤化银层的工序h。通过实施本工序，在支撑体与含卤化银的感光性层之间形成不含卤化银层。该不含卤化银层发挥所谓的防光晕层的作用的同时有助于提高导电层与支撑体的密合性。
[0319]
在不含卤化银层中包含上述的明胶和特定高分子。另一方面，在不含卤化银层中不含卤化银。
[0320]
不含卤化银层中的特定高分子的质量与明胶的质量之比(特定高分子的质量/明胶的质量)并无特别限制，优选0.1～5.0，更优选1.0～3.0。
[0321]
不含卤化银层中的特定高分子的含量并无特别限制，通常为0.03g/m2以上，从导电性细线的密合性更优异的观点出发，优选1.0g/m2以上。上限并无特别限制，但是通常为1.63g/m2以下。
[0322]
不含卤化银层的形成方法并无特别限制，例如，可举出将含有明胶和特定高分子的层形成用组合物涂布于支撑体上，并根据需要实施加热处理的方法。
[0323]
根据需要，在层形成用组合物中可以包含溶剂。关于溶剂的种类，可例示上述的感光性层形成用组合物中所使用的溶剂。
[0324]
不含卤化银层的厚度并无特别限制，通常为0.05μm以上，从导电性细线的密合性更优异的观点出发，优选超过1.0μm，更优选1.5μm以上。上限并无特别限制，但是优选为小于3.0μm。
[0325]
＜工序i＞
[0326]
本发明的导电性基板的制造方法中，在工序a之后且工序b之前，可以具有在含卤化银的感光性层上形成包含明胶和特定高分子的保护层的工序i。通过设置保护层，能够防止感光性层的擦伤及改善力学特性。
[0327]
保护层中的特定高分子的质量与明胶的质量之比(特定高分子的质量/明胶的质量)并无特别限制，优选超过0且2.0以下，更优选超过0且1.0以下。
[0328]
并且，保护层中的特定高分子的含量并无特别限制，优选超过0g/m2且0.3g/m2以下，更优选0.005～0.1g/m2。
[0329]
保护层的形成方法并无特别限制，例如，可举出将包含明胶和特定高分子的保护层形成用组合物涂布于含卤化银的感光性层上，并根据需要实施加热处理的方法。
[0330]
根据需要，在保护层形成用组合物中可以包含溶剂。关于溶剂的种类，可例示上述的感光性层形成用组合物中所使用的溶剂。
[0331]
保护层的厚度并无特别限制，优选0.03～0.3μm，更优选0.075～0.20μm。
[0332]
另外，关于上述的工序h、工序a及工序i，可以通过同时重层涂布来同时实施。
[0333]
在导电性基板的制造方法中，能够在支撑体的两面形成以下所示的网格图案。此时，优选在支撑体的两面同时形成图案前体。在此，同时形成设置于支撑体的两面的图案前体，是指通过相同的工序在相同的定时形成各面的图案前体。在支撑体的表面形成图案前体之后，在支撑体的背面形成图案前体不包含在上述同时的含义中。
[0334]
＜触摸传感器的制造方法＞
[0335]
关于触摸传感器，除了曝光图案不同以外，以与上述导电性基板的制造方法相同的方式制造。
[0336]
并且，触摸传感器中，例如在支撑体的不同的面正交配置检测电极。因此，在触摸传感器中，网格图案在支撑体的一个面和另一个面不同。例如，在支撑体的两面同时形成网格图案。
[0337]
在此，同时形成是指通过相同的工序在相同的定时形成各面的网格图案，在支撑
体的表面形成网格图案之后，在支撑体的背面形成网格图案不包含在上述同时形成的含义中。
[0338]
图9是表示本发明的实施方式的具有导电性图案的触摸传感器图案的一例的示意性俯视图，图10是表示本发明的实施方式的具有导电性图案的触摸传感器图案的另一例的示意性俯视图。另外，在图9及图10中，对与图1及图2相同的结构物标注相同符号，并省略其详细说明。
[0339]
将图9中所示的网格图案14c形成于图案形成区域60的图案前体61。在网格图案14c中，在y方向上隔着间隔配置有多个沿着y方向延伸的带状检测电极图案70。检测电极图案70相当于第2检测电极26。并且，在检测电极图案70的y方向的一个端部配置有分别电连接有取出线73的取出配线部72。取出配线部72相当于取出配线部24，取出线73相当于取出线25。
[0340]
将图10中所示的网格图案14d形成于图案形成区域60的图案前体61。在网格图案14d中，在y方向上隔着间隔配置有多个沿着x方向延伸的带状检测电极图案74。检测电极图案74相当于第1检测电极22。并且，在检测电极图案74的y方向的两个端部配置有分别电连接有取出线77的取出配线部76。取出配线部76相当于取出配线部24，取出线77相当于取出线25。
[0341]
以沿着y方向延伸的带状检测电极图案70与沿着y方向延伸的带状检测电极图案74正交的方式对位并同时在图8中所示的支撑体12的表面12a的图案形成区域60形成图9中所示的网格图案14c，在支撑体12的背面12b的图案形成区域60形成图10中所示的网格图案14d。由此，能够获得图3中所示的触摸传感器20。
[0342]
如此，能够在支撑体12的表面12a和背面12b同时形成不同的导电性图案。并且，除了触摸传感器以外，还能够在支撑体的两面同时形成具有各种功能的导电性图案。
[0343]
＜用途＞
[0344]
导电性基板能够应用于各种用途，除了上述触摸传感器以外，还能够应用于半导体芯片、各种电气配线板、fpc(flexible printed circuits：柔性电路板)、cof(chip on film：覆晶薄膜)、tab(tape automated bonding：卷带自动结合)、天线、多层配线基板及母板等各种用途。其中，本发明的导电性基板优选用于触摸面板(静电电容式触摸面板)。
[0345]
在将本发明的导电性基板用于触摸传感器的情况下，如上所述，导电性细线能够作为检测电极而有效地发挥作用。
[0346]
本发明基本上是以上述方式构成的。以上，对本发明的导电性基板的制造方法及导电性基板详细地进行了说明，但是本发明并不限定于上述实施方式，在不脱离本发明的主旨的范围内，当然可以进行各种改进或变更。
[0347]
实施例
[0348]
以下，列举实施例来对本发明的特征进行进一步具体的说明。关于以下的实施例中所示的材料、试剂、物质量及其比例及操作等，只要不脱离本发明的主旨，则能够进行适当变更。因此，本发明的范围并不限定于以下实施例。
[0349]
在本实施例中，关于实施例1～实施例18及比较例1～比较例12，作为评价项目对网格图案内的开口部的透射率的平均值、网格图案的表面电阻值的平均及网格图案的表面电阻值的变动系数进行了评价。
[0350]
以下，对实施例1～实施例18及比较例1～比较例12进行说明。实施例1～实施例9及比较例1～比较例6中，将抗蚀剂感光材料作为图案前体。实施例10～实施例18及比较例7～比较例12中，将具有卤化银乳剂层的卤化银感光材料作为图案前体。关于实施例1～实施例18及比较例1～比较例12的结构，示于下述表1及表2中。
[0351]
《实施例1》
[0352]
(导电性图案前体1的制作)
[0353]
作为支撑体，使用了在支撑体两面具有含有聚乙烯醇的易粘接层的厚度为38μm的聚对苯二甲酸乙二酯薄膜(总透光率为92％)。薄膜宽度设为500mm，薄膜长度设为1000m。制备下述所示的组成的硫化钯溶胶，使用硫化钯溶胶制作了下述所示的基底层1的涂布液。在涂布装置中，使用直径为60mm、斜线角度为45
°
、线数为90线/英寸、槽深度为110μm的斜线凹版辊进行反向旋转，并且使用具有以轻微接触进行涂布的涂布头的涂布装置，在具有上述易粘接层的聚对苯二甲酸乙二酯薄膜的易粘接层上涂布基底层1的涂布液，并使其干燥，卷取成辊状，然后在40℃的加热库中加热了1周。
[0354]
(硫化钯溶胶的制备)
[0355]
a液
[0356]
氯化钯
ꢀꢀꢀꢀ
5g
[0357]
盐酸
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
48g
[0358]
蒸馏水
ꢀꢀꢀꢀ
1000g
[0359]
b液
[0360]
硫化钠
ꢀꢀꢀꢀ
8.6g
[0361]
蒸馏水
ꢀꢀꢀꢀ
1000g
[0362]
将a液和b液一边搅拌一边混合，30分钟之后通过填充有离子交换树脂的管柱而获得了硫化钯溶胶。
[0363]
(基底层1的涂布液/每1m2)pva217(kuraray co.,ltd.制造的聚乙烯醇，皂化度为88％，聚合度为1700)12mg taipol nps-436(taiko oil chem.co.,ltd.制造的表面活性剂)12mg 1n.氢氧化钠110mg戊二醛18mg上述硫化钯溶胶0.4mg
[0364]
在以上述方式形成的基底层1上，使用上述涂布装置涂布含有甲酚酚醛清漆树脂及萘醌二叠氮磺酸酯的醌二叠氮系正型感光性液态抗蚀剂，在90℃下干燥2分钟并卷取成辊状，从而获得了在支撑体的两面设置有干燥膜厚为1.5μm的感光性抗蚀剂层的辊状的感光性材料1。
[0365]
(具有抗蚀剂图案开口部的导电性图案前体1的制作)
[0366]
使用辊对辊型曝光装置对所获得的感光性材料1进行了曝光。辊对辊型曝光装置包括辊状的感光性材料1的放卷部、曝光部、辊状的感光性材料1的卷取部。对于掩模，使用外形为800mm
×
960mm、有效曝光宽度为500mm
×
800mm的钠玻璃掩模，隔着1.5mm的间隔绘制了32条由掩模线宽为1.2μm、线间隔为460μm的格子图案构成的宽度为8mm
×
长度为200mm的条纹状的网格图案。在上述条纹状的网格图案之间绘制具有宽度为1.5mm
×
长度为200mm的断线部的网格图案，以使上述条纹状的网格图案彼此不会电连接，将除了图像部以外全部作为遮光部的用于掩模。
[0367]
使超高压汞灯的发光通过由透射红外线区域的电介质多层膜构成的凹面镜(分色
镜)聚光并通过复眼透镜之后，使其通过凹面镜光学系统而制成模似平行光的光源用于曝光。将一个曝光单元与下一个曝光单元的间隔设为800mm，通过对感光材料进行基于掩模1和掩模2的双面同时密合曝光，反复进行感光材料的间歇输送和掩模曝光来实施该曝光。
[0368]
使用辊对辊型显影装置对曝光后的辊状的感光性材料1进行了显影。辊对辊型显影装置具有辊状的感光性材料1的放卷部、显影槽、水洗槽、气刀、干燥机及卷取部。在显影槽以及水洗槽中使用喷淋喷嘴喷淋了显影液及水洗水。对于显影液，使用了1％碳酸钠水溶液。将显影液的温度设为30℃、将显影时间设为30秒而进行显影处理，获得了具有抗蚀剂图案开口部的辊状的导电性图案前体1。抗蚀剂图案开口部的抗蚀剂层被完全去除，暴露了基底层。
[0369]
(镀覆处理)
[0370]
对于导电性图案前体1，以喷雾方式将以下所示的组成的镀覆反应液a和镀覆反应液b均匀地喷涂于悬浮输送中的支撑体表面(镀覆反应液a液:镀覆反应液b液＝1:1，液温度：30℃，涂布量：60cc/m2)。
[0371]
实施例1中将接触时间设为30秒，因此涂布镀覆反应液之后，经过30秒之后，使导电性图案前体1通过储存有通过依次添加适量的亚硫酸氢钠来将ph调整为小于8.0的水溶液的水洗槽中10秒钟。
[0372]
用气刀对从水洗槽出来的附着于导电性图案前体1的支撑体的表面的水洗液进行了脱水。将上述镀覆反应液的喷涂和水洗的处理共进行了3次。
[0373]
接着，使其通过热水槽(液温：50℃)90秒钟，清洗了导电性图案前体1。接着，用气刀对从水洗槽出来的附着于导电性图案前体1的支撑体的表面的水洗液进行了脱水。
[0374]
(镀覆反应液a的组成)
[0375][0376]
(镀覆反应液b的组成)
[0377][0378]
(抗蚀剂层剥离)
[0379]
镀覆处理之后，接着，使用剥离装置，进行了导电性图案前体1的感光性抗蚀剂层的剥离处理。剥离装置依次具有导电性图案前体的放卷部、剥离槽、水洗槽、除液用气刀、干燥机及导电性图案的卷取部。在剥离槽以及水洗槽中使用喷淋喷嘴喷淋了剥离液及水洗
水。对于剥离液使用5％氢氧化钠水溶液，将剥离液温度设为30℃、将剥离时间设为60秒而进行剥离处理，从而获得了辊状的导电性图案1的长度为1000m的辊样品。在实施例1中，网格图案的导电性细线的线宽为1.5μm，网格图案的开口率为99.1％，网格图案内的开口部的透射率的平均值为92.3％。
[0380]
＜实施例2～实施例9＞
[0381]
实施例2中，将接触时间设为55秒、将镀覆处理次数设为2次，除了这些点以外，与实施例1相同。
[0382]
实施例3中，将接触时间设为25秒、将镀覆处理次数设为4次，除了这些点以外，与实施例1相同。
[0383]
实施例4中，通过曝光掩模的线宽开口的调整和曝光量的调整来进行线宽的调整而将线宽设为1.0μm，除了该点以外，与实施例1相同。
[0384]
实施例5中，将接触时间设为55秒、将镀覆处理次数设为2次及通过曝光掩模的线宽开口的调整和曝光量的调整来进行线宽的调整而将线宽设为1.0μm，除了这些点以外，与实施例1相同。
[0385]
实施例6中，通过曝光掩模的线宽开口的调整和曝光量的调整来进行线宽的调整而将线宽设为2.0μm，除了该点以外，与实施例1相同。
[0386]
实施例7中，将接触时间设为55秒、将镀覆处理次数设为2次及通过曝光掩模的线宽开口的调整和曝光量的调整来进行线宽的调整而将线宽设为2.0μm，除了这些点以外，与实施例1相同。
[0387]
实施例8中，通过曝光掩模的线宽开口的调整和曝光量的调整来进行线宽的调整而将线宽设为3.0μm，除了该点以外，与实施例1相同。
[0388]
实施例9中，将接触时间设为55秒、将镀覆处理次数设为2次及通过曝光掩模的线宽开口的调整和曝光量的调整来进行线宽的调整而将线宽设为3.0μm，除了这些点以外，与实施例1相同。
[0389]
＜实施例10＞
[0390]
(卤化银乳剂的制备)
[0391]
在保持为38℃、ph4.5的下述1液中，一边搅拌1液，一边经20分钟同时加入相当于下述2液及3液的各90％的量，从而形成了0.16μm的核粒子。接着，经8分钟在所获得的溶液中加入下述4液及5液，进一步经2分钟加入下述2液及3液的剩余10％的量，使核粒子生长至0.21μm。而且，在所获得的溶液中加入碘化钾0.15g，熟化5分钟，结束了粒子形成。
[0392]
1液：
[0393]
[0394]
2液：
[0395]
水
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
300ml
[0396]
硝酸银
ꢀꢀꢀꢀ
150g
[0397]
3液：
[0398][0399]
4液：
[0400]
水
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
100ml
[0401]
硝酸银
ꢀꢀꢀꢀ
50g
[0402]
5液：
[0403][0404]
然后，按照常规方法通过絮凝法进行了水洗。具体而言，将上述获得的溶液的温度降低至35℃，使用硫酸降低了ph(ph在3.6
±
0.2的范围内)直至卤化银沉淀。接着，从所获得的溶液中去除了约3升的上清液(第1水洗)。接着，在去除了上清液的溶液中加入3升的蒸馏水之后，加入了硫酸，直至卤化银沉淀。再次，从所获得的溶液中去除了3升的上清液(第2水洗)。进一步反复进行1次与第2水洗相同的操作(第3水洗)，结束了水洗及脱盐工序。将水洗及脱盐之后的乳剂调整至ph6.4、pag7.5，加入明胶2.5g、苯硫代磺酸鈉10mg、苯硫代亞磺酸鈉3mg、硫代硫酸钠15mg及氯金酸10mg，并在55℃下实施了化学增感，以获得最佳灵敏度。然后，进一步在所获得的乳剂中加入了作为稳定剂的1，3，3a，7-四氮茚100mg及作为防腐剂的proxel(商品名称，ici co.，ltd.制造)100mg。最终获得的乳剂为包含0.08摩尔％的碘化银，并将氯溴化银的比率设为70摩尔％的氯化银、30摩尔％的溴化银且平均粒径(球当量直径)为0.12μm、变动系数为9％的氯溴化银立方体粒子乳剂。
[0405]
(感光性层形成用组合物的制备)
[0406]
在上述乳剂中添加1，3，3a，7-四氮茚(1.2
×
10-4
摩尔/摩尔ag)、氢醌(1.2
×
10-2
摩尔/摩尔ag)、柠檬酸(3.0
×
10-4
摩尔/摩尔ag)、2，4-二氯-6-羟基-1，3，5-三嗪钠盐(0.90g/摩尔ag)及微量的坚膜剂，从而获得了组合物。接着，使用柠檬酸来将组合物的ph调整至5.6。
[0407]
在上述组合物中添加含有由下述(p-1)表示的高分子(以下，还称为“高分子1”。)、包含二烷基苯基peo(peo为聚环氧乙烷的简称。)硫酸酯的分散剂及水的聚合物胶乳(分散剂的质量与高分子1的质量之比(分散剂的质量/高分子1的质量，单位为g/g)为0.02，并且固体成分含量为22质量％。)，以使组合物中的高分子1的质量与明胶的总质量之比(高分子1的质量/明胶的质量，单位为g/g)成为0.25/1，从而获得了含有聚合物胶乳的组合物。在此，在含有聚合物胶乳的组合物中，明胶的质量与源自卤化银的银的质量之比(明胶的质量/源自卤化银的银的质量，单位为g/g。)为0.11。
[0408]
而且，作为交联剂而添加了epoxy resin dy 022(商品名称：agase chemtex corporation制造)。另外，将交联剂的添加量调整为后述的含卤化银的感光性层中的交联剂的量成为0.09g/m2。
[0409]
以上述方式制备了感光性层形成用组合物。
[0410]
另外，关于高分子1，参考日本专利第3305459号公报及日本专利第3754745号公报进行了合成。
[0411]
[化学式5]
[0412]
(p-1)
[0413]
在厚度为40μm的聚对苯二甲酸乙二酯薄膜(“fujifilm corporation制造的辊状的长条薄膜”)上涂布上述聚合物胶乳，在薄膜两面设置了厚度为0.05μm的底涂层。该处理是通过辊对辊方式来进行的，以下各处理(工序)也是与其同样地通过辊对辊方式来进行的。另外，此时的辊样品的宽度为0.5m，长度为1000m。
[0414]
(工序h1、工序a1、工序i1)
[0415]
接着，在底涂层上同时重层涂布混合了上述聚合物胶乳和明胶的不含卤化银层形成用组合物、上述感光性层形成用组合物及混合了聚合物胶乳和明胶的保护层形成用组合物，在底涂层上的薄膜两面形成了不含卤化银层、含卤化银的感光性层及保护层。
[0416]
另外，不含卤化银层的厚度为2.0μm，不含卤化银层中的高分子1与明胶的混合质量比(高分子1/明胶)为2/1，高分子1的含量为1.3g/m2。
[0417]
并且，含卤化银的感光性层的厚度为2.5μm，含卤化银的感光性层中的高分子1与明胶的混合质量比(高分子1/明胶)为0.25/1，高分子1的含量为0.19g/m2。
[0418]
并且，保护层的厚度为0.15μm，保护层中的高分子1与明胶的混合质量比(高分子1/明胶)为0.1/1，高分子1的含量为0.015g/m2。
[0419]
(工序b1)
[0420]
经由后述曝光掩模使用将高压汞灯作为光源的平行光，以线宽为1.5μm的网格图案状对所制作的上述感光性层进行了图案曝光。
[0421]
曝光之后，利用后述的显影液对所获得的样品进行显影，进一步使用定影液(商品名称：cn16x用n3x-r：fujifilmcorporation制造)进行显影处理之后，利用25℃的纯水进行冲洗，然后进行干燥，获得了以网格图案状形成有显影银图案的、在薄膜两面具有包含金属银的含银层的辊样品a。
[0422]
(曝光掩模)
[0423]
对于图案曝光的掩模使用外形为800mm
×
960mm、有效曝光宽度为500mm
×
800mm的钠玻璃掩模，隔着1.5mm的间隔绘制32条由掩模线宽为1.2μm、线间隔为400μm的格子图案构成的宽度为8mm
×
长度为200mm的带状网格图案，在相邻的带状网格图案之间绘制具有宽度为1.5mm
×
长度为200mm的断线部的网格图案，以使相邻的带状网格图案不会彼此电连接，在约200mm
×
约300mm的范围内形成了容纳32条带状网格图案的单元。在距离上述有效曝光宽度的范围的长度方向的端部50mm的位置配置第1列单元的端部，将与下一个单元的间隔设为100mm而配置第2列单元，在宽度方向上，在距离上述有效曝光宽度的范围的长度方向的端部35mm的位置配置第1行单元的端部，将与下一个单元的间隔设为30mm而配置第2行单元，在上述有效曝光宽度范围内配置了2行2列(共4个)的单元。使用了除了单元图像部以外全部作为遮光部的掩模。
[0424]
对于与上述掩模成对使用的掩模(在此，称为成对掩模)，使用具有与上述掩模相同的外形和有效曝光宽度的钠玻璃掩模，隔着1.5mm的间隔绘制14条由掩模线宽为1.2μm、线间隔为400μm的格子图案构成的宽度为12mm
×
长度为300mm的带状网格图案，在相邻的带状网格图案之间绘制具有宽度为1.5mm
×
长度为300mm的断线部的网格图案，以使相邻的带状网格图案彼此不会电连接，在约200mm
×
约300mm的范围内形成了容纳14条带状网格图案的单元。上述有效曝光宽度内的单元的配置与上述掩模相同。
[0425]
使用上述掩模和上述成对掩模，从薄膜两面同时进行曝光，由此在单元位置的薄膜两面形成网格电极图案。
[0426]
(显影液的组成)
[0427]
在显影液1升(l)中包含以下化合物。
[0428][0429]
将所获得的上述辊样品a在50℃的热水中浸渍了180秒钟。然后，利用空气淋浴进行脱水，并进行了自然干燥。
[0430]
(工序c1)
[0431]
将工序b1中所获得的辊样品a运入110℃的过热水蒸汽处理槽中，静置30秒钟，进行了过热水蒸汽处理。另外，此时的蒸汽流量为100kg/h。
[0432]
接着，在下述处理条件下，对工序c1中所获得的辊样品a进行辊对辊的处理，在该处理中依次进行了粘合剂减少处理和非电解镀覆处理。
[0433]
(处理条件)
[0434]
·
输送速度：10m/min
[0435]
·
悬浮输送：使用bellmatic ltd.制造的空气转向杆及液中的转向杆，在1～2mm
的范围内保持了来自各转向杆表面的支撑体悬浮量。
[0436]
(工序d1：粘合剂减少处理)
[0437]
使工序c1中所获得的辊样品a通过蛋白水解酶槽(nagase chemtex corporation制造的bioprase al-15fg)的水溶液(蛋白水解酶的浓度：0.5质量％，液温：40℃)90秒钟。接着，通过热水槽(液温：50℃)90秒钟，并进行了清洗。接着，用气刀对从热水洗槽出来的、附着于辊样品a的支撑体的表面的水洗液进行脱水，使其自然干燥，获得了图案前体。
[0438]
(工序e1)
[0439]
在工序d1中，对于对辊样品a进行粘合剂减少处理而获得的图案前体，以喷雾方式将上述实施例1中所使用的镀覆反应液a和镀覆反应液b均匀地喷涂于悬浮输送中的支撑体表面(镀覆反应液a液:镀覆反应液b液＝1:1，液温度：30℃，涂布量：60cc/m2)。
[0440]
实施例10中将接触时间设为30秒，因此涂布镀覆反应液之后，经过30秒之后，使图案前体通过储存有通过依次添加适量的亚硫酸氢钠来将ph调整为小于8.0的水溶液的水洗槽中10秒钟。
[0441]
用气刀对从水洗槽出来的附着于图案前体的支撑体的表面的水洗液进行了脱水。将接触时间设为30秒，将上述镀覆反应液的喷涂和水洗的处理共进行了3次。
[0442]
接着，使其通过热水槽(液温：50℃)90秒钟，清洗了图案前体。接着，用气刀对从水洗槽出来的附着于图案前体的支撑体的表面的水洗液进行了脱水。
[0443]
(工序f1；压延处理)
[0444]
对于工序e1中所获得的镀覆处理后的图案前体，使用基于金属辊和树脂制辊的组合的压延装置，在30kn的压力下进行了压延处理。在室温下进行了压延处理。
[0445]
(工序g1；过热蒸汽处理)
[0446]
对于工序f1中所获得的镀覆处理后的图案前体，运入110℃的过热水蒸汽处理槽中，静置30秒钟，进行了过热水蒸汽处理。另外，此时的蒸汽流量为100kg/h。由此，获得了可获得如图1所示的由导电性细线形成的网格图案的、长度为1000m的辊样品a。在实施例10中，网格图案的导电性细线的线宽为1.5μm，网格图案的开口率为99.1％，网格图案内的开口部的透射率的平均值为92.3％。若进行网格图案的导电性细线部的截面sem(scanning electron microscope：扫描电子显微镜)观察，则网格图案的导电性细线部为如图2所示的粒子状形状的银凝聚而成的形态。
[0447]
＜实施例11～实施例18＞
[0448]
实施例11中，将接触时间设为55秒、将镀覆处理次数设为2次，除了这些点以外，与实施例10相同。
[0449]
实施例12中，将接触时间设为25秒、将镀覆处理次数设为4次，除了这些点以外，与实施例10相同。
[0450]
实施例13中，通过曝光掩模的线宽开口的调整和曝光量的调整来进行线宽的调整而将线宽设为1.0μm，除了该点以外，与实施例10相同。
[0451]
实施例14中，将接触时间设为55秒、将镀覆处理次数设为2次及通过曝光掩模的线宽开口的调整和曝光量的调整来进行线宽的调整而将线宽设为1.0μm，除了这些点以外，与实施例10相同。
[0452]
实施例15中，通过曝光掩模的线宽开口的调整和曝光量的调整来进行线宽的调整
而将线宽设为2.0μm，除了该点以外，与实施例10相同。
[0453]
实施例16中，将接触时间设为55秒、将镀覆处理次数设为2次及通过曝光掩模的线宽开口的调整和曝光量的调整来进行线宽的调整而将线宽设为2.0μm，除了这些点以外，与实施例10相同。
[0454]
实施例17中，通过曝光掩模的线宽开口的调整和曝光量的调整来进行线宽的调整而将线宽设为3.0μm，除了该点以外，与实施例10相同。
[0455]
实施例18中，将接触时间设为55秒、将镀覆处理次数设为2次及通过曝光掩模的线宽开口的调整和曝光量的调整来进行线宽的调整而将线宽设为3.0μm，除了这些点以外，与实施例10相同。
[0456]
＜比较例1～比较例6＞
[0457]
比较例1中，将镀覆处理次数设为1次，除了该点以外，与实施例1相同。
[0458]
比较例2中，将接触时间设为90秒、将镀覆处理次数设为1次，除了这些点以外，与实施例1相同。
[0459]
比较例3中，将接触时间设为60秒、将镀覆处理次数设为1次，除了这些点以外，与实施例1相同。
[0460]
比较例4中，将接触时间设为60秒、将镀覆处理次数设为2次及通过曝光掩模的线宽开口的调整和曝光量的调整来进行线宽的调整而将线宽设为1.0μm，除了这些点以外，与实施例1相同。
[0461]
比较例5中，将接触时间设为60秒、将镀覆处理次数设为2次及通过曝光掩模的线宽开口的调整和曝光量的调整来进行线宽的调整而将线宽设为2.0μm，除了这些点以外，与实施例1相同。
[0462]
比较例6中，将接触时间设为60秒、将镀覆处理次数设为2次及通过曝光掩模的线宽开口的调整和曝光量的调整来进行线宽的调整而将线宽设为3.0μm，除了这些点以外，与实施例1相同。
[0463]
＜比较例7～比较例12＞
[0464]
比较例7中，将镀覆处理次数设为1次，除了该点以外，与实施例10相同。
[0465]
比较例8中，将接触时间设为90秒、将镀覆处理次数设为1次，除了这些点以外，与实施例10相同。
[0466]
比较例9中，将接触时间设为60秒、将镀覆处理次数设为1次，除了这些点以外，与实施例10相同。
[0467]
比较例10中，将接触时间设为60秒、将镀覆处理次数设为2次及通过曝光掩模的线宽开口的调整和曝光量的调整来进行线宽的调整而将线宽设为1.0μm，除了这些点以外，与实施例10相同。
[0468]
比较例11中，将接触时间设为60秒、将镀覆处理次数设为2次及通过曝光掩模的线宽开口的调整和曝光量的调整来进行线宽的调整而将线宽设为2.0μm，除了这些点以外，与实施例10相同。
[0469]
比较例12中，将接触时间设为60秒、将镀覆处理次数设为2次及通过曝光掩模的线宽开口的调整和曝光量的调整来进行线宽的调整而将线宽设为3.0μm，除了这些点以外，与实施例10相同。
[0470]
＜评价＞
[0471]
以下，对作为评价项目的网格图案内的开口部的透射率的平均值、网格图案的表面电阻值的平均及网格图案的表面电阻值的变动系数进行说明。另外，将评价结果示于下述表1及表2中。
[0472]
(网格图案内的开口部的透射率的平均值)
[0473]
对于通过1000m的辊处理获得的导电性基板，在辊样品全长中的首部、中央、尾部的范围内从各范围内提取了各6个尺寸为约200mm
×
300mm的任意单元。将各单元的网格图案范围以约5cm
×
5cm的块划分为4块
×
6块的区域(共24个部位)，测定了各块的中央位置的网格图案的总透光率及导电性细线的线宽。
[0474]
根据网格图案的间距和导电性细线的线宽，计算出图案遮蔽率和图案开口率(＝100％-图案遮蔽率)。通过将所测定的网格图案的总透光率的测定值除以图案开口率的值来计算出开口部的透射率。另外，图案遮蔽率及图案开口率的单位均为％。
[0475]
对于从上述首部、中央、尾部的范围中提取的各6个单元的24个部位的块，测定各块的开口部的透射率，计算出其平均值。将该计算出的平均值作为网格图案内的开口部的透射率的平均值。若作为网格图案内的开口部的透射率为92％以上，则在应用于触摸面板的情况下，不会损害图像显示的亮度，因此优选。
[0476]
(网格图案的表面电阻值的平均及网格图案的表面电阻值的变动系数)
[0477]
网格图案的表面电阻值通过四探针法来测定。在距离15mm的位置将外侧的2个探针抵接于网格线而流动恒定电流i，在外侧2个探针的直线上且内侧测定4个探針成为相等间隔的内侧2个点位置上的2个点之间的电位差的测定值v，并使用下述式计算出此时的网格图案的表面电阻值ρs(ω/
□
)。在下述式中，ln2为2的自然对数。
[0478]
ρs＝(π/ln2)
·
(v/i)
[0479]
测定了从上述首部、中央、尾部的范围中提取的各6个单元中所包含的各带状网格图案的表面电阻值。根据表面电阻值的测定结果，能够计算表面电阻值的平均值和标准偏差，通过将标准偏差除以平均值来计算出网格图案的表面电阻值的变动系数(单位为％)。
[0480]
在10英寸以上的触摸面板中，为了获得足够的触摸传感器的响应性而需要30ω/
□
以下的表面电阻值。并且，通过使网格图案的表面电阻值的变动系数小于10％，能够将各单元的触摸传感器的响应性的偏差控制在容许范围内。
[0481]
[0482][0483]
根据表1及表2的结果，在导电性细线的线宽为3μm以下的网格图案中，镀覆反应液的接触时间小于60秒并且镀覆处理次数为2次以上时，网格图案内的开口部的透射率的平
均值为92％以上，网格图案的表面电阻值为30ω/
□
以下，能够使网格图案的表面电阻值的变动系数小于10％。由此，能够将导电性基板应用于10英寸以上的触摸面板，能够获得透明性及表示视觉辨认性的莫尔纹性优异的触摸传感器。
[0484]
比较例1及比较例7中，镀覆处理次数为1次，因此镀覆不充分且网格图案的表面电阻值超过30ω/
□
。
[0485]
比较例2及比较例3中，镀覆处理次数为1次，接触时间为60秒以上。由于析出到感光性抗蚀剂层表面的镀覆，产生妨碍图案部上的镀覆的部分而发生镀覆的不均，网格图案的表面电阻值的变动系数超过10％。
[0486]
比较例4～比较例6中，接触时间为60秒以上，由于析出到感光性抗蚀剂层表面的镀覆，产生妨碍图案部上的镀覆的部分而发生镀覆的不均，网格图案的表面电阻值的变动系数超过10％。根据比较例2及比较例3和比较例4～比较例6，在图案前体为抗蚀剂感光材料的情况下，若接触时间为60秒以上，则网格图案的表面电阻值的变动系数变大。
[0487]
比较例8及比较例9中，镀覆处理次数为1次，接触时间为60秒以上，除了导电性细线以外发生镀覆析出而网格图案内的开口部的透射率的平均值小于92％。
[0488]
比较例10～比较例12中，接触时间为60秒以上，除了导电性细线以外发生镀覆析出而网格图案内的开口部的透射率的平均值小于92％。根据比较例8及比较例9和比较例10～比较例12，在图案前体为卤化银感光材料的情况下，若接触时间为60秒以上，则网格图案内的开口部的透射率的平均值变低。
[0489]
在实施例1～实施例18中，优选若导电性细线的线宽为2μm以上，则表面电阻值小于20ω/
□
，若导电性细线的线宽为3μm，则表面电阻值小于10ω/
□
。并且，在实施例1～实施例18中，优选镀覆处理次数越多，则网格图案的表面电阻值的变动系数越小。
[0490]
符号说明
[0491]
10-导电性基板，12-支撑体，12a-表面，12b-背面，13-导电性细线，14、14a、14b、14c、14d-网格图案，15-开口部，16-高分子，18-金属，20-触摸传感器，22-第1检测电极，24-取出配线部，24b-末端部，25-取出线，26-第2检测电极，27-检测部，28-外部连接端子，29-柔性电路板，30-导电性细线，31-开口部，40-镀覆处理装置，42-悬浮输送部，43a-第1回转部，43b-第2回转部，43c-第3回转部，43d-第4回转部，44-非接触涂布部，45-镀覆处理部，46a-第1镀覆停止部，46b-第2镀覆停止部，46c-第3镀覆停止部，46d-第4镀覆停止部，47-悬浮输送部，48-去除部，49-镀覆停止液，50-第1喷嘴，52-第2喷嘴，53-供给管，54-泵，55、56-罐，60-图案形成区域，61-图案前体，62-间隙部，70、74-检测电极图案，72、76-取出配线部，73、77-取出线，dd-输送方向，q-镀覆反应液，qa-第1镀覆反应液，qb-第2镀覆反应液，t-厚度，w-线宽，wd-一边的长度。

技术特征：
1.一种导电性基板的制造方法，其包括：在支撑体上形成用于形成由导电性细线构成的网格图案的图案前体的工序；以及对所述图案前体多次施加镀覆反应液，实施镀覆处理的工序，在实施所述镀覆处理的工序中，对所述图案前体施加所述镀覆反应液时，每一次所述图案前体与所述镀覆反应液的接触时间小于60秒。2.根据权利要求1所述的导电性基板的制造方法，其中，在实施所述镀覆处理的工序中，通过非接触涂布方式将所述镀覆反应液施加到所述图案前体。3.根据权利要求1或2所述的导电性基板的制造方法，其中，在实施所述镀覆处理的工序中，悬浮输送形成有所述图案前体的所述支撑体，并实施所述镀覆处理。4.根据权利要求1至3中任意一项所述的导电性基板的制造方法，其中，形成所述图案前体的工序中包括：在所述支撑体的表面的至少一个面形成包含卤化银和2种以上的粘合剂的感光性卤化银乳剂层的工序；对所述卤化银乳剂层实施形成所述网格图案的图案曝光以及显影处理而形成含银层的工序；以及对所述含银层实施去除所述2种以上的粘合剂中的至少1种粘合剂的粘合剂减少处理的工序，在实施所述镀覆处理的工序中，对实施所述粘合剂减少处理而获得的所述图案前体的所述含银层多次施加所述镀覆反应液。5.根据权利要求1至4中任意一项所述的导电性基板的制造方法，其中，所述支撑体是透明的。6.一种导电性基板，其具有：支撑体；以及网格图案，其配置于所述支撑体上、且由导电性细线构成，所述网格图案的开口率为98％以上，并且表面电阻值为30ω/
□
以下，在所述支撑体上所述网格图案内的开口部的透射率为92％以上。7.根据权利要求6所述的导电性基板，其中，所述导电性细线含有金属和高分子。8.根据权利要求7所述的导电性基板，其中，所述高分子为除了明胶以外的高分子。9.根据权利要求6至8中任意一项所述的导电性基板，其中，所述导电性细线的线宽为0.5～3.0μm。10.根据权利要求7至9中任意一项所述的导电性基板，其中，所述导电性细线中所包含的所述金属具有粒子状的形状。11.根据权利要求7至10中任意一项所述的导电性基板，其中，所述导电性细线中所包含的所述金属为包含镍、钴、铜、银及金的组中的至少1种。

技术总结
提供具有网格图案的导电性基板的制造方法及导电性基板，该网格图案的开口率高，表面电阻值低且表面电阻值的偏差小，网案内的开口部的透射率高。导电性基板的制造方法包括：在支撑体上形成用于形成由导电性细线构成的网格图案的图案前体的工序；及对图案前体施加多次镀覆反应液，并实施镀覆处理的工序。在实施镀覆处理的工序中，对图案前体施加镀覆反应液时，每一次图案前体与镀覆反应液的接触时间小于60秒。于60秒。于60秒。


技术研发人员：温井克行 片桐健介 一木晃
受保护的技术使用者：富士胶片株式会社
技术研发日：2020.08.18
技术公布日：2022/4/15