电子封装结构的制作方法

1.本技术实施例涉及半导体领域，特别是涉及电子封装结构。


背景技术：

2.墓碑效应通常会影响表面贴装无源元件，例如电阻器、电容器和电感器。墓碑效应是指在回焊工艺(reflow process)中，电子元件的端子会从印刷电路板(pcb，printed circuit board)的焊盘上抬起，导致电子元件的端子没有焊接到pcb的焊盘上，从而造成开路。特别是对于嵌入式封装设计中普遍使用的具有小尺寸端子(例如，宽度小于0.20mm)的电子元件而言，相对的两个端子处的焊料熔融铺展的速度差异会更加明显，其进一步增加了发生墓碑效应的风险。换句话说，具有小尺寸端子的电子元件的有效端子长度的不足会增加两个端子间不均匀润湿力的可能性，进而导致焊料和pcb之间很容易发生开路。
3.因此，业界需要设计一种能够避免墓碑效应的新的电子封装结构。


技术实现要素：

4.本技术实施例的目的之一在于提供一种电子封装结构，其能够避免电子元件在表面贴装至载板的工艺过程中发生墓碑效应。
5.根据本技术的一实施例提供的一种电子封装结构，其包括：载板，其具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面；第一导电焊盘，其邻近于所述载板的所述第一表面，所述第一导电焊盘包括：第一面，其具有实质上笔直的轮廓；及第二面，其具有凹陷的轮廓，所述第二面与所述载板的所述第二表面之间的垂直距离大于所述第一面与所述载板的所述第二表面之间的垂直距离。
6.在本技术的一些实施例中，所述第二面具有平整部分及连接到平整部分的凹陷部分，所述平整部分围绕所述凹陷部分。
7.在本技术的一些实施例中，所述凹陷部分包括曲线形状或锥形侧壁。
8.在本技术的一些实施例中，电子封装结构进一步包括邻近于所述第一导电焊盘的第一侧的第一凹口，所述第一凹口的宽度由所述第一导电焊盘的所述第二面的所述平整部分的卡扣结构之间的距离限定。
9.在本技术的一些实施例中，所述第一凹口连接至所述第一导电焊盘的所述第二面的所述凹陷部分。
10.在本技术的一些实施例中，所述凹陷部分的投影面积与所述第一导电焊盘的投影面积的比值可介于约20％至97％之间。
11.在本技术的一些实施例中，所述凹陷部分的深度与所述第一导电焊盘的最厚部分的比值可介于约5％至95％之间。
12.在本技术的一些实施例中，所述第一导电焊盘位于所述第一表面上、部分地嵌入所述第一表面，或完全地嵌入所述第一表面。
13.在本技术的一些实施例中，所述电子封装结构进一步包括电子元件，其设置于所
述第一导电焊盘上；及第一焊点，其接触所述第一导电焊盘的所述第二面和所述电子元件的第一端子。
14.在本技术的一些实施例中，所述电子元件的宽度与所述第一凹口的宽度相同。
15.在本技术的一些实施例中，所述第一焊点与所述第一导电焊盘的所述第二面的所述平整部分和所述凹陷部分接触。
16.在本技术的一些实施例中，所述电子元件的所述第一端子的长度可小于约0.20mm。
17.在本技术的一些实施例中，所述电子封装结构进一步包括第二导电焊盘，其邻近于所述第一导电焊盘；及第二凹口，其位于所述第二导电焊盘的第一侧，所述第二导电焊盘的所述第一侧面对所述第一导电焊盘的所述第一凹口，其中所述第二凹口的宽度与所述第一凹口的宽度相同。
18.在本技术的一些实施例中，所述电子封装结构进一步包括第二导电焊盘，其邻近于所述第一导电焊盘；及第二焊点，其接触所述第二导电焊盘和所述电子元件的第二端子。
19.在本技术的一些实施例中，其中所述电子元件是电容器、电感器、电阻器或磁珠。
20.本技术实施例提供的半导体封装结构能够有效地避免电子元件在表面贴装至载板的工艺过程中发生墓碑效应，且其具有制造成本低及生产效率高等诸多优点。
附图说明
21.在下文中将简要地说明为了描述本技术实施例或现有技术所必要的附图以便于描述本技术实施例。显而易见地，下文描述中的附图仅只是本技术中的部分实施例。对本领域技术人员而言，在不需要创造性劳动的前提下，依然可根据这些附图中所例示的结构来获得其他实施例的附图。
22.图1a是根据本技术一实施例的电子封装结构的纵向截面示意图
23.图1b是图1a所示的电子封装结构的俯视示意图
24.图1c是根据本技术另一实施例的电子封装结构的纵向截面示意图，其包括图1a所示的电子封装结构和位于其上的电子元件
25.图2a是根据本技术又一实施例的电子封装结构的纵向截面示意图
26.图2b是根据本技术另一实施例的电子封装结构的纵向截面示意图
27.图2c是图2b所示的电子封装结构的俯视示意图
28.图2d是根据本技术又一实施例的电子封装结构的纵向截面示意图，其包括图2b所示的电子封装结构和位于其上的电子元件
29.图3a是根据本技术另一实施例的电子封装结构的纵向截面示意图
30.图3b是图3a所示的电子封装结构的俯视示意图
31.图4a是根据本技术又一实施例的电子封装结构的纵向截面示意图
32.图4b是图4a所示的电子封装结构的俯视示意图
33.图4c是根据本技术另一实施例的电子封装结构的纵向截面示意图，其包括图4a所示的电子封装结构和位于其上的电子元件
34.图4d是图4c所示的电子封装结构的俯视示意图
35.图5a是根据本技术又一实施例的电子封装结构的纵向截面示意图
36.图5b是根据本技术另一实施例的电子封装结构的纵向截面示意图
37.图5c是根据本技术又一实施例的电子封装结构的纵向截面示意图
38.图5d是根据本技术另一实施例的电子封装结构的纵向截面示意图
39.图5e是根据本技术又一实施例的电子封装结构的纵向截面示意图，其包括图5d所示的电子封装结构和位于其上的电子元件
40.图5f是根据本技术另一实施例的电子封装结构的纵向截面示意图
41.图6a、图6b和图6c是根据本技术一实施例制造电子封装结构的流程示意图，其可制造图5a所示的设置电子元件的电子封装结构
42.图7a、图7b和图7c是根据本技术另一实施例制造电子封装结构的流程示意图，其可制造图5b所示的设置电子元件的电子封装结构
43.图8是根据现有技术的一实施例提供的电子封装结构的纵向截面示意图
具体实施方式
44.本技术的实施例将会被详细的描示在下文中。在本技术说明书全文中，将相同或相似的组件以及具有相同或相似的功能的组件通过类似附图标记来表示。在此所描述的有关附图的实施例为说明性质的、图解性质的且用于提供对本技术的基本理解。本技术的实施例不应所述被解释为对本技术的限制。
45.如本文中所使用，术语“约”、“大体上”、“实质上”用以描述及说明小的变化。当与事件或情形结合使用时，所述术语可指代其中事件或情形精确发生的例子以及其中事件或情形极近似地发生的例子。举例来说，当结合数值使用时，术语可指代小于或等于所述数值的
±
10％的变化范围，例如小于或等于
±
5％、小于或等于
±
0.5％、或小于或等于
±
0.05％。举例来说，如果两个数值之间的差值小于或等于所述值的平均值的
±
10％，那么可认为所述两个数值“大体上”相同。
46.再者，为便于描述，“第一”、“第二”、“第三”等等可在本文中用于区分一个图或一系列图的不同组件。“第一”、“第二”、“第三”等等不意欲描述对应组件。
47.在本技术中，除非经特别指定或限定之外，“设置”、“连接”、“耦合”、“固定”以及与其类似的用词在使用上是广泛地，而且本领域技术人员可根据具体的情况以理解上述的用词可是，比如，固定连接、可拆式连接或集成连接；其也可是机械式连接或电连接；其也可是直接连接或通过中介结构的间接连接；也可是两个组件的内部通讯。
48.图1a是根据本技术一实施例的电子封装结构10a的纵向截面示意图。图1b是图1a所示的电子封装结构10a的俯视示意图。
49.如图1a和1b所示，根据本技术一实施例的半导体封装结构10a可包括：载板101和第一导电焊盘103。半导体封装结构10a具有沿着x方向(即，水平方向)上的长度、沿着y方向(即，垂直方向)上的厚度及沿着z方向上的宽度。
50.载板101可具有第一表面1011和与第一表面1011相对的第二表面1012。载板101的内部可根据需要设置任何合适类型的结构。
51.第一导电焊盘103可邻近于载板101的第一表面1011设置。两个相同的第一导电焊盘103可设置于载板101上。第一导电焊盘103可位于第一表面1011上。在本技术的其它实施例中，第一导电焊盘103可部分地嵌入第一表面1011，或完全地嵌入第一表面1011。第一导
电焊盘103可包括第一面1031及与第一面1031相对的第二面1032。第二面1032在y方向上与载板101的第二表面1012之间的垂直距离l1大于第一面1031与载板101的第二表面1012之间的垂直距离l2。第一面1031可具有实质上笔直的轮廓。第二面1032可具有凹陷的轮廓。第二面1032可具有平整部分1032a及凹陷部分1032b。凹陷部分1032b可连接到平整部分1032a。平整部分1032a可围绕凹陷部分1032b。凹陷部分1032b可包括曲线形状。在本技术的其它实施例中，凹陷部分1032b可包括锥形侧壁，或任意合适的凹陷形状。凹陷部分1032b在x-z平面上的投影面积a1与第一导电焊盘103在x-z平面上的投影面积a2的比值可介于约20％至97％之间。凹陷部分1032b在y方向上的深度h1与第一导电焊盘103的最厚部分h2的比值可介于约5％至95％之间。较为平坦且较宽的凹陷部分的轮廓优于凹陷较窄或较深的轮廓，因为较为平坦且较宽的凹陷部分的轮廓更有利于熔融焊料的均匀铺展和固化。
52.图1c是根据本技术另一实施例的电子封装结构10a'的纵向截面示意图，其包括图1a所示的电子封装结构10a和位于其上的电子元件105。
53.如图1c所示，电子元件105可设置于电子封装结构10a的第一导电焊盘103上。电子元件105可为任意类型的有源元件或无源元件，例如，但不限于，电容器、电感器、电阻器或磁珠等。电子元件105可包括第一端子1051、第二端子1052和位于第一端子1051和第二端子1052之间的主体1053。电子元件105的第一端子1051和第二端子1052在x方向上的长度可小于约0.20mm。
54.电子封装结构10a'还可包括第一焊点107。第一焊点107可将电子元件105稳固地连接至第一导电焊盘103。第一焊点107可接触第一导电焊盘103的第二面1032的平整部分1032a及凹陷部分1032b、电子元件105的第一端子1051、第二端子1052。第一焊点107的材料可为本领域常用的焊料材料。第一焊点107的材料可与第一端子1051和第二端子1052的材料相同或不同。
55.本技术实施例提供的电子封装结构的第一导电焊盘具有凹陷部分，因此其增加了电子元件的端子与第一导电焊盘之间的接触面积。增大的接触面积不仅有利于提升焊料与第一导电焊盘之间的结合力，还有利于在回焊过程中焊料的均匀铺展，从而使得在电子元件相对的两个端子处的熔融焊料的凝固速度更趋于一致。熔融焊料一致的凝固速度和均匀的分布减轻了电子元件端子之间润湿力的不平衡，从而有效地避免电子元件在表面贴装至载板的过程中发生墓碑效应。因此，本技术实施例提供的电子封装结构可以将电子元件稳定地连接至导电焊盘。
56.图2a是根据本技术又一实施例的电子封装结构10b的纵向截面示意图。图2a所示的半导体封装结构10b与如图1a所示的半导体封装结构10a不同之处在于，第一导电焊盘103可部分地嵌入载板101的第一表面1011。
57.图2b是根据本技术另一实施例的电子封装结构10c的纵向截面示意图。图2c是图2b所示的电子封装结构10c的俯视示意图。
58.如图2b和2c所示的半导体封装结构10c与如图1a所示的半导体封装结构10a不同之处在于，第一导电焊盘103可部分地嵌入载板101的第一表面1011，且第一导电焊盘103可包括邻近于第一侧103a设置的第一凹口103b。第一凹口103b的宽度w1可由第一导电焊盘103的第二面1032的平整部分1032a的卡扣结构103c之间的距离限定。第一凹口103b可连接至第一导电焊盘103的第二面1032的凹陷部分1032b。
59.半导体封装结构10c还包括邻近第一导电焊盘103的第二导电焊盘103'。第二导电焊盘103'可部分地嵌入第一表面1011。第二导电焊盘103'可包括第一面1031'及与第一面1031'相对的第二面1032'。第二面1032'在y方向上与载板101的第二表面1012之间的垂直距离l1'大于第一面1031'与载板101的第二表面1012之间的垂直距离l2'。第一面1031'可具有实质上笔直的轮廓。第二面1032'可具有凹陷的轮廓。第二面1032'可具有平整部分1032a'及凹陷部分1032b'。凹陷部分1032b'可连接到平整部分1032a'。平整部分1032a'可围绕凹陷部分1032b'。凹陷部分1032b'可包括曲线形状。在本技术的其它实施例中，凹陷部分1032b'可包括锥形侧壁，或任意合适的凹陷形状。凹陷部分1032b'在x-z平面上的投影面积a1'与第二导电焊盘103'在x-z平面上的投影面积a2'的比值可介于约20％至97％之间。凹陷部分1032b'在y方向上的深度h1'与第二导电焊盘103'的最厚部分h2'的比值可介于约5％至95％之间。相邻的第一导电焊盘103的平整部分1032a和第二导电焊盘103'的平整部分1032a'与载板101的第一面1011齐平。第二导电焊盘103'可与第一导电焊盘103对称设置。第二导电焊盘103'的第一侧103a'面对第一导电焊盘103的第一侧103a。第二导电焊盘103'可包括邻近于第一侧103a'设置的第二凹口103b'。第二凹口103b'的宽度w2由第二导电焊盘103'的第二面1032'的平整部分1032a'的卡扣结构103c'之间的距离限定。第二凹口103b'的宽度w2与第一凹口103b的宽度w1可相同。第二凹口103b'可面对第一凹口103b。
60.图2d是根据本技术又一实施例的电子封装结构10c'的纵向截面示意图，其包括图2b所示的电子封装结构10c和位于其上的电子元件105。
61.如图2d所示，电子元件105可设置于电子封装结构10c'的第一导电焊盘103和第二导电焊盘103'上。电子元件105的第一端子1051和第二端子1052可分别位于凹陷部分1032b和凹陷部分1032b'上方。电子元件105的主体1053可设置于载板101、第一凹口103b和第二凹口103b'上且被第一导电焊盘103的卡扣结构103c和第二导电焊盘103'的卡扣结构103c'卡紧，从而对电子元件105的主体1053施加力，以便当不平衡润湿力发生在两个端子之间时，防止端子的任一侧抬起。电子元件105的主体1053沿z方向的宽度可与第一凹口103b的宽度w1相同，以便容易地安装电子元件且防止其轻易被抬起。
62.电子封装结构10c'还可包括第一焊点107和第二焊点107'。第一焊点107可接触第一导电焊盘103的第二面1032的平整部分1032a及凹陷部分1032b、电子元件105的第一端子1051。第二焊点107'可接触第二导电焊盘103'的第二面1032'的平整部分1032a'及凹陷部分1032b'、电子元件105的第二端子1052。第一焊点107和第二焊点107'可将电子元件105的第一端子1051和第二端子1052分别稳固地连接至第一导电焊盘103和第二导电焊盘103'。第一焊点107和第二焊点107'的材料可相同，其为本领域常用的焊料材料。第一焊点107的材料和第二焊点107'的材料可与第一端子1051和第二端子1052的材料相同或不同。
63.本技术实施例提供的电子封装结构的导电焊盘可部分嵌入载板中，有利于降低整个电子封装结构的厚度。并且，在相对的两个导电焊盘的侧面图案化由卡扣结构限定的凹口可进一步防止在回焊过程中电子元件的端子的任一者从接触表面抬起。此外，由于凹口的尺寸设计为与电子元件的宽度大体上相同，因此可以容易地安装电子元件且防止其轻易被抬起。同时，卡扣结构可对电子元件的主体施加力，以便当不平衡润湿力发生在两个端子之间时，防止端子的任一侧抬起，从而更加有效地避免电子元件在表面贴装至载板的工艺过程中发生墓碑效应。
64.图3a是根据本技术另一实施例的电子封装结构10d的纵向截面示意图。图3b是图3a所示的电子封装结构10d的俯视示意图。图3a所示的半导体封装结构10d与如图2a所示的半导体封装结构10b不同之处在于，图3a所示的实施例的凹陷部分1032b可包括锥形侧壁。
65.图4a是根据本技术又一实施例的电子封装结构10e的纵向截面示意图。图4b是图4a所示的电子封装结构10e的俯视示意图。图4a所示的半导体封装结构10e与如图2b所示的半导体封装结构10c不同之处在于，图4a所示的实施例的凹陷部分1032b可包括锥形侧壁。
66.图4c是根据本技术另一实施例的电子封装结构10e'的纵向截面示意图，其包括图4a所示的电子封装结构10e和位于其上的电子元件105。图4d是图4c所示的电子封装结构10e'的俯视示意图。如图4c和4d所示，电子元件105设置于第一导电焊盘103和第二导电焊盘103'上。
67.图5a是根据本技术又一实施例的电子封装结构10fi的纵向截面示意图。图5a所示的半导体封装结构10fi与如图1a所示的半导体封装结构10a不同之处在于，第一导电焊盘103可完全地嵌入载板101的第一表面1011。第一导电焊盘103的平整部分1032a与载板101的第一面1011齐平。
68.图5b是根据本技术另一实施例的电子封装结构10fii的纵向截面示意图。图5b所示的半导体封装结构10fii与如图5a所示的半导体封装结构10fi不同之处在于，相邻的两个第一导电焊盘103之间没有被载板101间隔。然而，相邻的两个第一导电焊盘103之间的空隙有可能会影响后续注塑工艺，例如膜塑料无法填满该空隙，但可透过适当的注塑工艺制程参数加以控制。
69.图5c是根据本技术又一实施例的电子封装结构10fiii的纵向截面示意图。图5c所示的半导体封装结构10fiii与如图2b所示的半导体封装结构10c不同之处在于，第一导电焊盘103和第二导电焊盘103'可完全地嵌入载板101的第一表面1011。第一导电焊盘103可包括邻近于第一侧103a设置的第一凹口103b。第二导电焊盘103'可包括邻近于第一侧103a'设置的第二凹口103b'。第一凹口103b的表面低于第一导电焊盘103的平整部分1032a，第二凹口103b'的表面低于第二导电焊盘103'的平整部分1032a'。图5c的导电焊盘在回焊工艺过程中有比较高的焊料桥接风险，但可透过适当的回焊工艺制程参数加以控制。
70.图5d是根据本技术另一实施例的电子封装结构10fiv的纵向截面示意图。图5d所示的半导体封装结构10fiv与如图5c所示的半导体封装结构10fiii不同之处在于，相邻的两个第一导电焊盘103和第二导电焊盘103'之间没有被载板101间隔。然而，相邻的两个第一导电焊盘103和第二导电焊盘103'之间的空隙有可能会影响后续注塑工艺，例如膜塑料无法填满该空隙，但可透过适当的注塑工艺制程参数加以控制。
71.图5e是根据本技术又一实施例的电子封装结构10fv的纵向截面示意图，其包括图5d所示的电子封装结构10fiv和位于其上的电子元件105。如图5e所示，电子元件105设置于第一导电焊盘103和第二导电焊盘103'上。由于第一导电焊盘103和第二导电焊盘103'可完全地嵌入载板中，因而进一步降低了整个电子封装结构10fv的厚度。
72.图5f是根据本技术另一实施例的电子封装结构10fvi的纵向截面示意图。图5f所示的半导体封装结构10fvi与如图5d所示的半导体封装结构10fiv不同之处在于，第一凹口103b的表面约与第一导电焊盘103的平整部分1032a齐平，第二凹口103b'的表面约与第二
导电焊盘103'的平整部分1032a'齐平。相较于图5d，图5f的导电焊盘在回焊工艺过程中有比较低的焊料桥接风险。
73.本技术实施例提供的电子封装结构的导电焊盘可部分或完全地嵌入载板中，有利于降低整个电子封装结构的厚度。并且，设置凹口用于容纳电子元件的主体可允许更紧凑的封装厚度。
74.图6a、图6b和图6c是根据本技术一实施例制造电子封装结构60a的流程示意图，其可制造图5a所示的设置电子元件105的电子封装结构10fi。
75.如图6a所示，提供具有一对第一导电焊盘103的载板101。载板101可具有第一表面1011和与第一表面1011相对的第二表面1012。载板101的内部可根据需要设置任何合适类型的结构。
76.如图6b所示，可执行蚀刻工艺，例如，但不限于，光刻操作、湿蚀刻或干蚀刻等合适的工艺，以在每一第一导电焊盘103上形成平整部分1032a和凹陷部分1032b。透过合适的蚀刻工艺参数调整，凹陷部分1032b在x-z平面上的投影面积a1与第一导电焊盘103在x-z平面上的投影面积a2的比值可介于约20％至97％之间。凹陷部分1032b在y方向上的深度h1与第一导电焊盘103的最厚部分h2的比值可介于约5％至95％之间。
77.如图6c所示，将电子元件105设置于成对的第一导电焊盘103上，电子组件105可包括第一端子1051、第二端子1052和位于第一端子1051和第二端子1052之间的主体1053。主体1053抵靠在载板101表面和第一导电焊盘103的平整部分1032a上，电子元件105的第一端子1051和第二端子1052设置于成对的第一导电焊盘103的凹陷部分1032b上方。
78.接着，在第一端子1051和第二端子1052与第一导电焊盘103之间施加焊料并执行回焊工艺以形成第一焊点107，使第一焊点107分别将第一端子1051和第二端子1052连接至其各自接触的第一导电焊盘103。接着，可执行固化工艺以固化第一焊点107。由于较为平坦且较宽的凹陷部分的轮廓有利于熔融焊料的均匀铺展和固化，本技术实施例中成对的第一导电焊盘103的结构有助于防止墓碑效应发生。
79.图7a、图7b和图7c是根据本技术另一实施例制造电子封装结构70a的流程示意图，其可制造图5e所示的电子封装结构10fv。
80.如图7a所示，提供具有第一导电焊盘103和第二导电焊盘103'的载板101。第一导电焊盘103和第二导电焊盘103'之间没有被载板101隔离。载板101可具有第一表面1011和与第一表面1011相对的第二表面1012。载板101的内部可根据需要设置任何合适类型的结构。
81.如图7b所示，可执行蚀刻工艺，例如，但不限于，光刻操作、湿蚀刻或干蚀刻等合适的工艺，以在第一导电焊盘103和第二导电焊盘103'上分别形成凹陷部分1032b和凹陷部分1032b'。并且，通过蚀刻工艺在第一导电焊盘103的第一侧103a形成第一凹口103b。第一凹口103b沿着z方向的宽度由第一导电焊盘103的第二面1032的平整部分1032a的卡扣结构之间的距离限定。第一凹口103b连接至第一导电焊盘103的第二面1032的凹陷部分1032b。在第二导电焊盘103'的第一侧103a'形成第二凹口103b'。第二凹口103b'的宽度由第二导电焊盘103'的第二面1032'的平整部分1032a'的卡扣结构之间的距离限定。第二凹口103b'连接至第二导电焊盘103'的第二面1032'的凹陷部分1032b'。第二凹口103b'沿着z方向的宽度可与第一凹口103b沿着z方向的宽度相同。
82.如图7c所示，将电子元件105设置于载板101上，电子元件105的第一端子1051和第二端子1052分别设置于第一导电焊盘103的凹陷部分1032b和第二导电焊盘103'的第二面1032'的凹陷部分1032b'上方。
83.接着，在第一端子1051与第一导电焊盘103之间施加焊料并执行回焊工艺以形成第一焊点107，且在第二端子1052与第二导电焊盘103'之间施加焊料并执行回焊工艺以形成第二焊点107'。然后，可执行回焊工艺，以使第一焊点107将第一端子1051连接至第一导电焊盘103，且使第二焊点107'将第二端子1052连接至第二导电焊盘103'。接着，可执行固化工艺以固化第一焊点107和第二焊点107'。由于较为平坦且较宽的凹陷部分的轮廓有利于熔融焊料的均匀铺展和固化，本技术实施例中第一导电焊盘103与第二导电焊盘103'的结构有助于防止墓碑效应发生。
84.本技术实施例提供的电子封装结构通过在导电焊盘上蚀刻以形成凹槽从而增加了电子元件的端子与导电焊盘之间的接触面积，因而有效地避免了墓碑效应，其具有制造工艺简单及生产效率高的优点。
85.图8是根据现有技术的一实施例提供的电子封装结构80a的纵向截面示意图。如图8所示，当将电子元件205通过回焊工艺设置于载板201上时，由于电子元件205的端子具有小尺寸(例如，宽度小于0.15mm)，其与载板201上的导电焊垫203之间的接触面积较小，且相对的两个端子处的焊料熔融铺展的速度差异较明显，因此很容易发生墓碑效应。
86.本技术的技术内容及技术特点已揭示如上，然而熟悉本领域的技术人员仍可能基于本技术的教示及揭示而作种种不背离本技术精神的替换及修饰。因此，本技术的保护范围应不限于实施例所揭示的内容，而应包括各种不背离本技术的替换及修饰，并为本技术的权利要求书所涵盖。

技术特征：
1.一种电子封装结构，其特征在于，其包括：载板，其具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面；第一导电焊盘，其邻近于所述载板的所述第一表面，所述第一导电焊盘包括：第一面，其具有笔直的轮廓；及第二面，其具有凹陷的轮廓，所述第二面与所述载板的所述第二表面之间的垂直距离大于所述第一面与所述载板的所述第二表面之间的垂直距离。2.根据权利要求1所述的电子封装结构，其特征在于，其中所述第二面具有：平整部分；及凹陷部分，其连接到平整部分，所述平整部分围绕所述凹陷部分。3.根据权利要求2所述的电子封装结构，其特征在于，其中所述凹陷部分包括曲线形状或锥形侧壁。4.根据权利要求3所述的电子封装结构，其特征在于，其进一步包括邻近于所述第一导电焊盘的第一侧的第一凹口，所述第一凹口的宽度由所述第一导电焊盘的所述第二面的所述平整部分的卡扣结构之间的距离限定。5.根据权利要求4所述的电子封装结构，其特征在于，其中所述第一凹口连接至所述第一导电焊盘的所述第二面的所述凹陷部分。6.根据权利要求2所述的电子封装结构，其特征在于，其中所述凹陷部分的投影面积与所述第一导电焊盘的投影面积的比值介于20％至97％之间。7.根据权利要求2所述的电子封装结构，其特征在于，其中所述凹陷部分的深度与所述第一导电焊盘的最厚部分的比值介于5％至95％之间。8.根据权利要求1所述的电子封装结构，其特征在于，所述第一导电焊盘位于所述第一表面上、部分地嵌入所述第一表面，或完全地嵌入所述第一表面。9.根据权利要求4所述的电子封装结构，其特征在于，其进一步包括：电子元件，其设置于所述第一导电焊盘上；及第一焊点，其接触所述第一导电焊盘的所述第二面和所述电子元件的第一端子。10.根据权利要求9所述的电子封装结构，其特征在于，其中所述电子元件的宽度与所述第一凹口的宽度相同。11.根据权利要求9所述的电子封装结构，其特征在于，其中所述第一焊点与所述第一导电焊盘的所述第二面的所述平整部分和所述凹陷部分接触。12.根据权利要求9所述的电子封装结构，其特征在于，其中所述电子元件的所述第一端子的长度小于0.20mm。13.根据权利要求4和5中任一者所述的电子封装结构，其特征在于，其进一步包括：第二导电焊盘，其邻近于所述第一导电焊盘；及第二凹口，其位于所述第二导电焊盘的第一侧，所述第二导电焊盘的所述第一侧面对所述第一导电焊盘的所述第一凹口，其中所述第二凹口的宽度与所述第一凹口的宽度相同。14.根据权利要求9所述的电子封装结构，其特征在于，其进一步包括：第二导电焊盘，其邻近于所述第一导电焊盘；及第二焊点，其接触所述第二导电焊盘和所述电子元件的第二端子。
15.根据权利要求9所述的电子封装结构，其特征在于，其中所述电子元件是电容器、电感器、电阻器或磁珠。

技术总结
本申请实施例是关于电子封装结构。根据一实施例的电子封装结构包括：载板，其具有第一表面和与第一表面相对的第二表面；第一导电焊盘，其邻近于载板的第一表面，第一导电焊盘包括：第一面，其具有实质上笔直的轮廓；及第二面，其具有凹陷的轮廓，第二面与载板的第二表面之间的垂直距离大于第一面与载板的第二表面之间的垂直距离。本申请实施例提供的半导体封装结构能够避免电子元件在表面贴装至载板的过程中发生墓碑效应，且具有制造成本低及生产效率高等诸多优点。产效率高等诸多优点。产效率高等诸多优点。


技术研发人员：钟旻华 邹永升 颜宗隆 徐韻婷
受保护的技术使用者：美光科技公司
技术研发日：2021.08.31
技术公布日：2022/4/15