一种液晶聚酯及其制备方法和应用与流程

1.本发明涉及高分子材料技术领域，特别是涉及一种液晶聚酯及其制备方法和应用。


背景技术：

2.热塑性液晶聚合物（lcp）具有优异的低吸湿性、耐热性、耐药品性及电性能，在电子电器领域有着广泛的用途。随着5g相关产业的发展，5g通讯技术高频段的信号传输对印刷电路板中绝缘层在高频下的介电性能提出了更高的要求，液晶聚合物因高频下优异的介电性能而受到了广泛的关注，而将液晶聚合物制备成薄膜应用于印刷电路板则更是近年来的热门课题。此外，随着智能终端设备的小型化，集成化以及可穿戴化发展，对材料的柔性提出了更高的要求。
3.一般的液晶聚合物树脂具有刚性极强的棒状高分子链结构，在加工成型过程中易引起聚合物链的单向取向，这种分子链段的各向异性使得液晶聚合物在成膜过程中存在极大的困难，在常见的如吹塑成型或者流延成型过程中取向破坏不彻底，流动方向（md方向）和垂直于流动方向（td方向）上薄膜的性能差异过大，导致薄膜易沿着md方向撕裂，甚至无法成膜。因此，在lcp薄膜制备的流程中，成膜树脂是最基础也是最关键的部分。专利cn1003510668c提到使用非晶树脂对成膜树脂进行改性，以提高薄膜的成形性以及成膜时膜泡的稳定性，但是该方法存在着非晶树脂与液晶聚合物相容性以及分散性的问题，且得到的薄膜仍具有较高的拉伸模量。
4.fccl是lcp薄膜最重要的应用领域之一，制备fccl时通常是通过将铜箔及lcp热压贴合。为减少铜箔的传输损耗，铜箔表面通常粗糙程度较低，这需要lcp薄膜有相对较低的拉伸模量，即具有较好的韧性，两者在层压过程中产生更显著锚固效应，得到的层叠体在维持良好的高频特性下具有更好的剥离强度。


技术实现要素：

5.本发明的目的在于，提供一种成型性能好的液晶聚酯，用该液晶聚酯制得的薄膜拉伸模量低、断裂伸长率高，更适合于fccl的制备。
6.本发明的另一目的在于，提供上述液晶聚酯的制备方法和应用。
7.本发明是通过以下技术方案实现的：一种液晶聚酯，按摩尔百分比计，所述的液晶聚酯由以下重复单元构成，a重复单元：具有1,4-亚苯基结构的重复单元，含量65-85mol%，衍生自对羟基苯甲酸、对苯二酚、对苯二甲酸中的至少一种；b重复单元：具有2,6-亚萘基结构的重复单元，含量14.4-28mol%，衍生自6-羟基-2-萘甲酸、2,6-萘二酚、2,6-萘二甲酸的至少一种；其中，a重复单元和b重复单元中羟基与羧基摩尔比为1.02:1~1:1.02；c重复单元：衍生自以下化合物，含量0.5-7mol%，其中x取代基为-o-和/或-nh-，羟
基在x取代基的间位或对位、羧基在x取代基的间位或对位。
8.优选的，按摩尔百分比计，a重复单元含量69-80mol%，b重复单元含量18.9-26mol%，c重复单元1-5mol%。
9.更优选的，a重复单元含量72-76mol%，b重复单元含量20.9-25mol%，c重复单元2.9-4mol%。
10.优选的，所述的c重复单元中，羟基在x取代基的对位、羧基在x取代基的对位。
11.优选的，所述的c重复单元中，-nh-占x取代基总摩尔百分比的0-20mol%，更优选5-20mol%。在分子链段中引入适量的-nh-能形成轻微的交联，能有效地增加层内结合力，防止在剥离时薄膜发生层内剥离；但是若-nh-含量过多，则在成型过程中会产生较多的凝胶点，不利于薄膜外观。
12.本发明液晶聚酯可以增加一定量的其他重复单元d。按液晶聚酯总链段摩尔百分比计，可以0-3mol%的d重复单元：衍生自间羟基苯甲酸、双酚a、间苯二甲酸、联苯二酚或间苯二酚中的一种或多种。
13.考虑到加工难度，所述液晶聚酯的熔点在250~350℃之间。
14.本发明的液晶聚酯的制备方法，包括以下步骤：步骤1，在惰性气体条件下，加入各反应单体，在酰化剂的作用下进行酰化反应，反应温度为100℃~180℃，反应时间为30分钟~4小时；步骤2，酰化反应结束后，保持反应釜内压力为常压，并以0.1℃/min~5℃/min的速率升温至200℃~310℃，从精馏柱排出醋酸及未反应的醋酸酐分子，当醋酸接收量到达理论值的90wt%以上时，将反应釜内压力进行减压至1~10kpa，保持此减压条件并将反应体系升温到330~400℃，当搅拌功率达到设定值时，排出物料冷却造粒得到液晶聚酯。
15.本发明的液晶聚酯的应用，用于制备fccl薄膜。
16.本发明具有如下有益效果：本发明在保持分子链全芳香环结构的基础上，通过在聚合体系中引入少量具有弯折结构的c重复单元，增加分子链段的缠结性能，增加薄膜的成型性。得到的薄膜因为链段的缠结，具有适中的拉伸模量（拉伸模量过高不利于后续加工，太低影响薄膜性能）及更高的断裂伸长率以及更高的层内剥离性能（剥离强度更高）。通过重复单元c中取代基x的种类和含量控制，在增强薄膜与铜箔结合力的同时也能防止薄膜成型过程中出现凝胶点，影响薄膜外观和性能。
具体实施方式
17.下面结合具体实施例对本发明进行详细说明。以下实施例将有助于本领域的技术人员进一步理解本发明，但不以任何形式限制本发明。应当指出的是，对本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进。这些都属于本发明的保护范围。
18.本发明所用单体原料与酰化剂来源于市售产品。
19.以下实施例中，液晶聚酯及用该液晶聚酯制得的薄膜性能评价由以下方法进行。
20.1. 液晶聚酯熔点：采用netzsch 公司制 dsc 200 f3 测得，升温速率20℃/min，升温至熔点以上30℃，取第二次升温的曲线得到熔点。
21.2. 薄膜成型性：膜泡能连续稳定成型1h以上，即为成型性优；膜泡可以吹胀至最大，但膜泡不稳定，即成型性良；膜泡无法吹胀至最大折径，即成型性差。
22.3. 薄膜拉伸模量：采用astm d882-18方法，从薄膜上裁取10mm
×
15cm的样条，使用深圳三思万能拉伸试验设备测得，拉伸速度10mm/min。
23.4. 薄膜断裂伸长率：采用astm d882-18方法，从薄膜上裁取10mm
×
15cm的样条，使用深圳三思万能拉伸试验设备测得，拉伸速度10mm/min。
24.5. 薄膜剥离强度：从层叠体上制作1.5cm宽的剥离试验片将表层用两个面试用胶带固定在平板上，采用180
°
剥离，以50mm/min的速度剥离，测量剥离时的强度。
25.6. 薄膜外观（凝胶点数）：薄膜透过光看，10米内无凝胶点为优，有0~10个凝胶点为良，10个凝胶点以上为差。
26.实施例和对比例液晶聚酯的制备方法：在惰性气体条件下，加入各反应单体，在酰化剂的作用下进行酰化反应，反应温度为100
º
c~180
º
c，反应时间为30分钟~4小时；酰化反应结束后，保持反应釜内压力为常压，并以0.1℃/min~5℃/min的速率升温至200℃~400℃，从精馏柱排出醋酸及未反应的醋酸酐分子，当醋酸接收量到达理论值的90%以上时，将反应釜内压力进行减压至1~10kpa，保持此减压条件并将反应体系程序升温到反应最高温度，维持真空度及搅拌直至搅拌功率达到一定的值，排出物料冷却造粒得到液晶聚酯。
27.表1：实施例1-7液晶聚酯各组分含量（摩尔百分比） 实施例1实施例2实施例3实施例4实施例5实施例6实施例7对羟基苯甲酸，mole697275.176.280856-羟基-2-萘甲酸，mol(262520.920.918.914.4重复单元c，molu342.91.10.6-nh-占x取代基mol%
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o-占x取代基mol0100100100100100100羟基对于x取代基的位置对位对位对位对位对位对位对位羧基对于x取代基的位置对位对位对位对位对位对位对位
表2：实施例8-12液晶聚酯各组分含量（摩尔百分比） 实施例8实施例9实施例10实施例11实施例12对羟基苯甲酸，molu757575756-羟基-2-萘甲酸，mol!21212121重复单元c，molD444-nh-占x取代基mol% 5020105-o-占x取代基mol050809095羟基对于x取代基的位置间位间位间位间位间位羧基对于x取代基的位置间位间位间位间位间位表3：实施例13-18液晶聚酯各组分含量（摩尔百分比） 实施例13实施例14实施例15实施例16实施例17实施例18
对羟基苯甲酸，molY726867.96866.5对苯二酚，mol%5 443.74对苯二甲酸，mol%5 44446-羟基-2-萘甲酸，mol&15202020202,6-萘二酚，mol% 50.50.50.50.52,6-萘二甲酸，mol% 50.50.50.50.5间羟基苯甲酸，mol%
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0.1 1.5双酚a，mol%
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0.3 重复单元c，molS3333-nh-占x取代基mol%
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o-占x取代基mol0100100100100100羟基对于x取代基的位置对位对位对位对位对位对位羧基对于x取代基的位置对位对位对位对位对位对位
表4：对比例液晶聚酯各组分含量（摩尔百分比） 对比例1对比例2对比例3对比例4对羟基苯甲酸，molP6073806-羟基-2-萘甲酸，molE282720重复单元c，molQ2
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nh-占x取代基mol% 100
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o-占x取代基mol0
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羟基对于x取代基的位置对位对位
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羧基对于x取代基的位置对位对位
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表5：实施例和对比例液晶聚酯测试结果 实施例1实施例2实施例3实施例4实施例5实施例6实施例7熔点，℃261268279295308321328薄膜成型性优优优优优优优薄膜拉伸模量，gpa3.53.74.03.93.84.35.6薄膜断裂伸长率，.218.123.124.222.919.014.1薄膜剥离强度，kg/cm1.231.251.271.331.261.191.08薄膜外观（凝胶点数）良优优优优优优
由实施例1-7可知，在优选的重复单元下，拉伸模量适中，并且断裂伸长率高、剥离强度更高。
28.续表5： 实施例8实施例9实施例10实施例11实施例12熔点，℃297296294295297薄膜成型性优良优优优薄膜拉伸模量，gpa3.94.14.03.83.9薄膜断裂伸长率，".520.323.523.122.9薄膜剥离强度，kg/cm1.251.221.291.301.27薄膜外观（凝胶点数）优良优优优
由实施例4/8可知，优选羟基在x取代基的对位、羧基在x取代基的对位。
29.由实施例4/8-12可知，优选c重复单元中-nh-占x取代基总摩尔百分比的0-20mol%，更优选5-20mol%。
30.续表5： 实施例13实施例14实施例15实施例16实施例17实施例18熔点，℃265283305305303308薄膜成型性优优优优优优薄膜拉伸模量，gpa5.24.14.74.64.74.5薄膜断裂伸长率，.920.118.118.318.018.6薄膜剥离强度，kg/cm1.181.211.231.221.231.20薄膜外观（凝胶点数）优优优优优优
续表5： 对比例1对比例2对比例3对比例4熔点，℃259253280318薄膜成型性差差优良薄膜拉伸模量，gpa
‑‑
13.915.2薄膜断裂伸长率，%
‑‑
7.95.2薄膜剥离强度，kg/cm
‑‑
0.530.42薄膜外观（凝胶点数）
‑‑
良良由对比例1/2可知，当a重复单元含量低于65mol%时，无法成膜。
31.由对比例3/4可知，重复单元c的引入，能够极大降低拉伸模量，提升断裂伸长率和剥离强度。