显示装置的制作方法

显示装置
1.本技术要求于2020年7月8日在韩国知识产权局提交的第10-2020-0084180号韩国专利申请的优先权和从其产生的所有的权益，该韩国专利申请的内容通过引用全部包含于此。
技术领域
2.本公开涉及显示装置和制造该显示装置的方法。


背景技术：

3.随着多媒体技术的发展，显示装置的重要性已经稳步地增加。因此，已经使用了诸如液晶显示(lcd)装置、有机发光显示(oled)装置等的各种类型的显示装置。
4.显示装置可以包括表示不同的颜色的多个像素，从而实现彩色显示。为了使显示装置的像素彼此独立地操作并表示不同的颜色，显示装置可以包括用于传输驱动信号的驱动信号布线和按照每个像素布置各种功能电极。
5.例如，驱动信号布线要求低的电阻、高的热稳定性以及易于制造。


技术实现要素：

6.本公开的方面提供了显示装置和制造该显示装置的方法，该显示装置能够通过抑制或防止布线等反射外部光来改善显示质量。
7.然而，本公开的方面不限于在此阐述的方面。通过参照以下给出的本公开的详细描述，本公开的以上和其他方面将对本公开所属的领域的普通技术人员变得更加清楚。
8.显示装置的实施例包括基底以及设置在基底上的布线层。布线层包括导电金属层以及导电金属层的金属化合物层。金属化合物层围绕导电金属层。
9.显示装置的实施例包括：基底；第一布线层，设置在基底上，并且包括栅极信号布线；第一绝缘层，设置在第一布线层上；第二布线层，设置在第一绝缘层上，并且包括数据信号布线、连接到数据信号布线的数据垫以及与数据信号布线间隔开的漏电极；第二绝缘层，设置在第二布线层上；以及像素电极，设置在第二绝缘层上，并且电连接到漏电极，其中，第二布线层包括第一导电材料和金属化合物层，金属化合物层包括第一导电材料的氧化物或氮化物并设置在第一导电材料上，其中，金属化合物层具有比第一导电材料的反射率低的反射率，其中，金属化合物层具有比第一导电材料的电阻高的电阻。
10.制造显示装置的方法的实施例包括：在基底上顺序地形成第一图案层材料层、第二图案层材料层、第三图案层材料层和第四图案层材料层；使用一个掩模将第一图案层材料层、第二图案层材料层、第三图案层材料层和第四图案层材料层图案化；以及对图案化的第一图案层材料层、图案化的第二图案层材料层、图案化的第三图案层材料层和图案化的第四图案层材料层的至少一部分进行表面处理以形成包括导电层和金属化合物层的布线层，金属化合物层覆盖导电层的顶部和侧部，表面处理包括氧化或氮化，其中，金属化合物层具有比导电层的光反射率低的光反射率。
11.根据实施例的显示装置和制造该显示装置的方法能够通过抑制或防止布线等反射外部光来改善显示质量。
12.本公开的效果不限于前述效果，并且各种其他效果被包括在本说明书中。
附图说明
13.通过参照附图详细地描述本公开的示例性实施例，本公开的以上和其他方面和特征将变得更加清楚，在附图中：
14.图1是根据实施例的显示装置的分解透视图；
15.图2是示出包括在图1的显示装置中的一些像素的布局图；
16.图3是沿着图2的线iii-iii'截取的剖视图；
17.图4是沿着图2的线iva-iva'、线ivb-ivb'和线ivc-ivc'截取的剖视图；
18.图5是示出根据包括在图4的第二布线层中的第四金属氧化物层的厚度的在可见光波段中的光反射率的示例的曲线图；
19.图6、图7、图8和图9是示出根据实施例的制造显示装置的方法的剖视图；
20.图10是根据另一实施例的包括在显示装置中的像素的布局图；
21.图11是沿着图10的线xi-xi'截取的剖视图；
22.图12是根据又一实施例的显示装置的局部剖视图；
23.图13是根据又一实施例的显示装置的局部剖视图；
24.图14是解释制造图13的显示装置的方法的剖视图；
25.图15是示出根据包括在图13的第二布线层中的第四金属氮化物层的厚度的在可见光波段中的光反射率的示例的曲线图；
26.图16是根据又一实施例的显示装置的局部剖视图；
27.图17是根据又一实施例的显示面板的剖视图；
28.图18是对图17的区域g进行放大的放大图；以及
29.图19是根据又一实施例的显示面板的剖视图。
具体实施方式
30.现在，将在下文中参照附图更充分地描述本发明构思，在附图中示出了发明构思的优选实施例。然而，本发明构思可以以不同的形式来实施，并且不应被解释为限于在此阐述的实施例。相反，这些实施例被提供为使得本公开将是彻底的和完整的，并且将向本领域技术人员充分地传达发明构思的范围。
31.还将理解的是，当层被称为“在”另一层或基底“上”时，该层可以直接在所述另一层或基底上，或者也可以存在中间层。在整个说明书中，相同的附图标号指示相同的组件。在附图中，为了清楚，夸大了层和区域的厚度。
32.尽管在此可以使用术语“第一”、“第二”等来描述各种元件，但这些元件不应受这些术语限制。这些术语可以用于将一个元件与另一元件区分开。因此，在不脱离一个或更多个实施例的教导的情况下，以下讨论的第一元件可以被命名为第二元件。将元件描述为“第一”元件可以不需要或不暗示存在第二元件或其他元件。在此还可以使用术语“第一”、“第二”等来区别不同类或组的元件。为了简洁，术语“第一”、“第二”等可以分别表示“第一类
(或第一组)”、“第二类(或第二组)”等。
33.在下文中，将参照附图详细地描述示例性实施例。
34.图1是根据实施例的显示装置1的分解透视图。
35.参照图1，根据本实施例的显示装置1可以包括显示面板10，显示面板10包括第一基底11、第二基底12以及置于第一基底11与第二基底12之间的液晶层30。
36.显示面板10可以包括多个像素，多个像素沿第一方向dr1和第二方向dr2布置以在平面图中大致形成矩阵构造。如在此使用的，术语“像素”可以意味着在平面图中表示单种颜色的最小单元，一个像素可以表示预定原色。也就是说，像素可以是在显示面板10中独立地表示预定颜色的最小单元。原色的示例可以包括但不限于红色r、绿色g和蓝色b。
37.第一基底11可以包括设置在每个像素中的像素电极600(见图2)和沿着像素的分界延伸的驱动信号布线。驱动信号布线可以包括沿第一方向dr1延伸的栅极信号布线210(见图2)和沿第二方向dr2延伸的数据信号布线510(见图2)。
38.第二基底12可以包括设置在每个像素中的滤色器810(见图3)以及设置在整个表面上并面对像素电极600的共电极900(见图3)。
39.第一基底11和第二基底12可以经由设置在其边缘周围的密封构件(未示出)而结合。液晶层30可以设置在位于第一基底11与第二基底12之间的被密封构件围绕的空间中。
40.尽管在附图中未示出，背光单元可以布置在第一基底11下方。
41.在下文中，将参照图2和图3更详细地描述显示面板10。
42.图2是示出包括在图1的显示装置1中的一些像素的布局图。详细地，图2示出了显示装置1中的沿第一方向dr1相邻的两个像素pxa和pxb的布局。图3是沿着图2的线iii-iii'截取的剖视图。
43.首先，参照图1至图3，第一基底11可以包括第一基体110(或第一基体基底)、第一布线层200、第一绝缘层310、有源层400、第二布线层500、第二绝缘层330和像素电极600。一个像素电极600可以包括多个子像素电极610和630。
44.第一基体110可以是透明绝缘基底。例如，第一基体110可以是由玻璃材料、石英材料或透明塑料材料制成的基底。第一基体110可以是刚性基底。然而，第一基体110不限于前述示例，并且第一基体基底110可以具有柔性特性以弯曲、弯折、折叠或卷曲。
45.第一布线层200可以设置在第一基体110上。第一布线层200可以直接设置在第一基体110上。第一布线层200可以包括栅极信号布线210(或栅极线)和维持电极230。栅极信号布线210和维持电极230可以设置在同一层上。例如，栅极信号布线210和维持电极230可以在结构和材料上彼此相同，并且可以通过单道工艺(例如，掩模工艺)同时形成。
46.栅极信号布线210可以基本沿着第一方向dr1延伸。栅极信号布线210可以将从栅极驱动器(未示出)接收的栅极驱动信号传输到像素pxa和pxb中的开关元件。例如，沿着第一方向dr1布置的像素pxa和pxb可以共享一条栅极信号布线210，但本公开不限于此。
47.栅极信号布线210的一部分可以形成开关元件的栅电极。例如，栅极信号布线210的一部分可以形成稍后将要描述的第一开关元件q1、第二开关元件q2和第三开关元件q3的控制端子(或控制电极)。作为另一示例，开关元件的控制端子可以是栅极信号布线210的沿着第二方向突出的部分。
48.维持电极230可以布置为与稍后将要描述的像素电极600的一部分和/或第二布线
层500的一部分叠置。维持电极230以及第二布线层500(和/或像素电极600)可以与置于维持电极230和第二布线层500(和/或像素电极600)之间的介电层(或绝缘层)一起形成存储电容器。存储电容器可以用于保持在帧(或预定时间)期间施加到像素电极600的电压。维持电极230可以具有延伸部分，以确保需要的电容。在这种情况下，可以将维持电极230与像素电极600之间的叠置区域最大化，以使可以在一帧期间保持像素电极600的电压的存储电容器的电容增大。
49.在实施例中，维持电极230可以布置为与第一子像素电极610的边缘部分地叠置。当第一子像素电极610具有基本矩形的平面形状时，维持电极230可以在平面图中具有包括沿第一方向dr1延伸的部分231和沿第二方向dr2延伸的部分232的基本矩形的形状。然而，本公开不限于此，并且可以对维持电极230进行各种修改以与像素电极600形成存储电容器。
50.第一绝缘层310可以设置在第一布线层200上，以覆盖第一基体110的全部表面。第一绝缘层310可以包括绝缘材料，以使设置在其上的组件与设置在其下方的元件绝缘。第一绝缘层310可以是用于使稍后将要描述的第一开关元件q1至第三开关元件q3的控制端子(即，栅电极)与沟道层(即，有源层400)绝缘的栅极绝缘层。第一绝缘层310可以由氮化硅、氧化硅或氮氧化硅形成。
51.有源层400可以设置在第一绝缘层310上。有源层400可以包括半导体材料。例如，有源层400可以包括非晶硅或多晶硅，或者可以包括氧化物半导体。有源层400的一部分可以形成开关元件的沟道层。例如，有源层400可以形成稍后将要描述的第一开关元件q1、第二开关元件q2和第三开关元件q3的沟道，沟道可以根据施加到栅极信号布线210的电压而导通或截止。有源层400的至少一部分可以基本沿着第二方向dr2延伸，并且可以设置为与数据信号布线510叠置。
52.第二布线层500可以设置在有源层400上。第二布线层500包括数据信号布线510(或数据线)、源电极层530和漏电极层550，并且还可以包括参考电压布线570。数据信号布线510、源电极层530和漏电极层550以及参考电压布线570可以布置在同一层上。例如，数据信号布线510、源电极层530和漏电极层550以及参考电压布线570可以在结构和材料上彼此相同，并且可以通过单个工艺同时形成。
53.数据信号布线510可以基本沿着第二方向dr2延伸。数据信号布线510可以将从数据驱动器(未示出)接收的数据驱动信号传输到设置在像素pxa和pxb中的每个中的开关元件。例如，沿着第二方向dr2布置的像素可以共享一条数据信号布线510，但本公开不限于此。
54.源电极层530可以包括第一源电极531、第二源电极532和第三源电极533。第一源电极531、第二源电极532和第三源电极533可以分别用作第一开关元件q1、第二开关元件q2和第三开关元件q3的输入端子。
55.第一源电极531可以从数据信号布线510突出，以形成为与数据信号布线510没有物理分界。也就是说，第一源电极531可以与数据信号布线510一体地形成。第一源电极531可以设置为与栅极信号布线210和有源层400叠置。第一源电极531可以设置为面对第一漏电极551，并且第一沟道设置在第一源电极531与第一漏电极551之间。
56.相似地，第二源电极532可以从数据信号布线510突出，以形成为与数据信号布线
510和第一源电极531没有物理分界。第二源电极532可以设置为与栅极信号布线210和有源层400叠置。第二源电极532可以设置为面对第二漏电极552，并且第二沟道设置在第二源电极532与第二漏电极552之间。
57.第三源电极533可以从第二漏电极552延伸，以形成为与第二漏电极552没有物理分界。第三源电极533可以设置为与栅极信号布线210和有源层400叠置。第三源电极533可以设置为面对第三漏电极553，并且第三沟道可以设置在第三源电极533与第三漏电极553之间。
58.漏电极层550可以包括第一漏电极551、第二漏电极552和第三漏电极553。第一漏电极551、第二漏电极552和第三漏电极553可以分别用作第一开关元件q1、第二开关元件q2和第三开关元件q3的输出端子。
59.第一漏电极551可以设置为与栅极信号布线210和有源层400叠置。第一漏电极551可以设置为面对第一源电极531，并且第一沟道设置在第一源电极531与第一漏电极551之间。第一漏电极551可以通过第一接触孔h1电连接到第一子像素电极610。
60.相似地，第二漏电极552可以设置为与栅极信号布线210和有源层400叠置。第二漏电极552可以设置为面对第二源电极532，并且第二沟道设置在第二源电极532与第二漏电极552之间。第二漏电极552可以通过第二接触孔h2电连接到第二子像素电极630。第二漏电极552可以与第三源电极533一体地形成，而与第三源电极533没有物理分界。
61.第三漏电极553可以设置为与栅极信号布线210和有源层400叠置。第三漏电极553可以设置为面对第三源电极533，并且第三沟道设置在第三源电极533与第三漏电极553之间。
62.参考电压布线570可以基本沿第二方向dr2延伸。例如，参考电压布线570的沿第二方向dr2延伸的部分可以设置为与稍后将要描述的像素电极600的主干部分601叠置。当参考电压布线570与像素电极600的主干部分601叠置时，可以将由于与开口区域叠置的不透明的参考电压布线570引起的亮度的降低最小化。参考电压可以被施加到参考电压布线570。稍后与像素电极600一起描述参考电压。
63.在实施例中，参考电压布线570可以部分地形成第三漏电极553。例如，参考电压布线570可以同时用作第三开关元件q3的输出端子。然而，本公开不限于此，例如，参考电压布线570和第三漏电极553可以形成为彼此物理分离并且彼此电连接。
64.第二布线层500可以包括金属材料以实现低的电阻。用于实现低的电阻的金属材料的示例可以包括铜(cu)和钛(ti)。同时，这样的金属材料通常具有高的反射率。如果第二布线层500具有高的反射率，则这会使图像质量因外部光的反射而劣化。因此，对第二布线层500(例如，数据信号布线510、源电极层530、漏电极层550和参考电压布线570)而言，优选的是具有低的表面反射率和低的电阻特性。稍后参照图4和图5描述用于实现这样的特性的第二布线层500的层叠结构。
65.第二绝缘层330可以设置在第二布线层500上，以覆盖第一基体110的全部表面。第二绝缘层330可以包括绝缘材料。第二绝缘层330可以使第二布线层500和像素电极600彼此绝缘。第二绝缘层330可以具有多个层的层状结构。例如，第二绝缘层330可以具有包括由无机材料制成的保护层331和由有机材料制成的平坦化层332的双层结构，但本公开不限于此。
66.第二绝缘层330可以具有形成在其中的接触孔。例如，第一接触孔h1可以形成在第二绝缘层330中以部分地暴露第一漏电极551，第二接触孔h2可以形成在第二绝缘层330中以部分地暴露第二漏电极552。
67.像素电极600可以设置在第二绝缘层330上。像素电极600可以与稍后将要描述的共电极900一起在液晶层30中产生电场，以控制像素中的液晶31的取向。像素电极600可以针对像素pxa和pxb中的每个进行布置，独立的电压可以被施加到像素电极600。像素电极600可以是由透明导电材料制成的透明电极。用于形成透明电极的材料的示例可以包括氧化铟锡(ito)和氧化铟锌(izo)。
68.在实施例中，一个像素中的像素电极600可以包括彼此分离的第一子像素电极610和第二子像素电极630。在平面图中，由第一子像素电极610占据的面积可以比由第二子像素电极630占据的面积小。
69.第一子像素电极610和第二子像素电极630可以均在平面图中具有基本四边形的形状，并且可以是具有畴划分装置(domain dividing means)的图案化电极。例如，第一子像素电极610和第二子像素电极630可以均包括主干部分601、从主干部分601延伸的多个分支部分602和从分支部分602延伸的连接部分603。
70.主干部分601可以具有大致十字形状。主干部分601可以与基本沿第二方向dr2延伸的参考电压布线570叠置。分支部分602可以从第一子像素电极610和第二子像素电极630中的每个的中心沿倾斜方向(例如，相对于主干部分601延伸所沿的方向成大约45度的角的方向)径向地延伸。也就是说，多个分支部分602可以从主干部分601延伸，以形成具有从主干部分601起的不同的延伸方向的四个畴。这样的构造能够改善显示装置1的液晶控制、视角、亮度和响应速度。
71.第一子像素电极610的连接部分603可以通过第一接触孔h1将第一子像素电极610电连接到第一漏电极551，第二子像素电极630的连接部分603可以通过第二接触孔h2将第二子像素电极630电连接到第二漏电极552。
72.如上所述，第一开关元件q1、第二开关元件q2和第三开关元件q3可以共享一条栅极信号布线210，以被同时控制。通过第一开关元件q1从数据信号布线510供应的数据电压可以被施加到第一子像素电极610。因为第二开关元件q2的第二漏电极552经由第三开关元件q3电连接到参考电压布线570，所以具有在从数据信号布线510供应的数据电压与从参考电压布线570供应的参考电压之间的幅值的电压可以被施加到第二子像素电极630。因此，与施加到第一子像素电极610的电压相比具有相对小的幅值的电压可以被施加到第二子像素电极630。通过分别将不同的电压施加到第一子像素电极610和第二子像素电极630，可以能够改善显示装置1的侧面可视性。
73.同时，尽管在图2中示例性地示出了第一子像素电极610的边缘与维持电极230叠置，但本公开不限于此。例如，可以使第二子像素电极630的边缘与维持电极230叠置。作为另一示例，第一子像素电极610和第二子像素电极630两者可以与维持电极230叠置。
74.在下文中，将描述第二基底12。
75.第二基底12可以包括第二基体130、阻光构件700、滤色器810、覆盖层830和共电极900，阻光构件700设置在第二基体130的面对第一基体110的一个表面(附图中的底表面)上，滤色器810设置在阻光构件700上，覆盖层830设置在滤色器810上，共电极900设置在覆
盖层830上。
76.与第一基体110相似，第二基体130可以是透明基底。第一基体110和第二基体130可以由相同的材料或不同的材料制成。
77.阻光构件700可以设置在第二基体130上。阻光构件700可以由能够阻挡可见光波段的光的穿透的材料制成。阻光构件700可以布置为与第一开关元件q1、第二开关元件q2和第三开关元件q3叠置，以防止在非预期的区域处发生漏光缺陷。
78.阻光构件700可以具有沿第一方向dr1延伸的线的形状，并且与第一开关元件q1至第三开关元件q3叠置。阻光构件700还可以布置为与维持电极230、有源层400和数据信号布线510部分地叠置。阻光构件700可以与栅极信号布线210完全地叠置。也就是说，栅极信号布线210可以被阻光构件700完全地覆盖。尽管在图2中示出了阻光构件700设置在第二基底12上，但本公开不限于此。例如，阻光构件700可以设置在第一基底11上。作为另一示例，阻光构件700可以被省略。
79.滤色器810可以布置在阻光构件700上，以与像素电极600叠置。滤色器810可以包括诸如染料或颜料的着色剂材料。着色剂材料可以选择性地吸收仅预定波段的入射光。滤色器810可以吸收预定波段的入射光，并且选择性地使与预定波段不同的光通过。
80.覆盖层830可以设置在滤色器810上，以覆盖第二基体130的全部表面。覆盖层830可以将设置在第二基体130上的多个组件平坦化，以提供用于在其上设置共电极900的平坦表面。
81.共电极900可以设置在覆盖层830上。共电极900可以以一体的方式设置，而不区分像素pxa和pxb，共电压可以被施加到共电极900。共电极900可以是与像素电极600类似的透明电极。
82.接下来，将描述液晶层30。
83.液晶层30可以包括向预定方向预倾斜的液晶31。例如，液晶31可以具有负介电常数各向异性，以在初始取向状态下竖直地取向。液晶31可以在初始取向状态下具有预定的预倾角。如果在像素电极600与共电极900之间产生电场，则液晶31可以沿特定方向倾斜，以改变穿过液晶层30的光的偏振状态。作为另一示例，液晶31可以具有正介电常数各向异性，以在初始取向状态下水平地取向，并且如果电场产生，则液晶31旋转以改变光的偏振状态。
84.在下文中，将参照图4和图5描述具有低的电阻特性并能够减少外部光反射的第二布线层500。
85.图4是沿着图2的线iva-iva'、线ivb-ivb'和线ivc-ivc'截取的剖视图。图5是示出根据包括在图4的第二布线层500中的第四金属氧化物层dom4的厚度的在可见光波段中的光反射率的示例的曲线图。
86.参照图4，沿着线iva-iva'截取的剖面示出了数据信号布线510的剖面，沿着线ivb-ivb'截取的剖面示出了第一接触孔h1的剖面，沿着线ivc-ivc'截取的剖面示出了数据垫(pad，或被称为“焊盘”)501的剖面。在图4中，与图3的数据信号布线510和第一漏电极551相比，以放大视图示出了数据信号布线510和第一漏电极551。同时，在图5的曲线图中，x轴表示第四金属氧化物层dom4的厚度，y轴表示反射率。
87.尽管用数据信号布线510的示例做出了下面对第二布线层500的描述，但本公开不限于此，并且描述可以适用于包括在第二布线层500中的全部源电极层530、漏电极层550和
参考电压布线570。此外，第二布线层500还可以包括数据垫501，对数据信号布线510的描述可以适用于数据垫501。
88.数据信号布线510可以包括在导电率和光反射率上不同的第一区域dca(在下文中，被称为导电区域)和第二区域doa(在下文中，被称为氧化区域)。氧化区域doa可以覆盖导电区域dca。氧化区域doa可以设置在导电区域dca上，以覆盖导电区域dca的顶表面的至少一部分和/或侧表面的至少一部分。
89.氧化区域doa可以具有比导电区域dca的光反射率低的光反射率。氧化区域doa的光反射率可以在导电区域dca的光反射率的20％至25％或者15％至30％的范围内，但不限于此。导电区域dca还可以具有比氧化区域doa的导电率大的导电率。导电区域dca可以是具有比氧化区域doa的电阻低的电阻的低电阻区域，氧化区域doa可以是具有比导电区域dca的电阻高的电阻的高电阻区域。
90.因此，因为氧化区域doa布置为覆盖导电区域dca的顶表面和侧表面，所以可以降低数据信号布线510的外部光反射率。此外，数据信号布线510可以包括氧化区域doa以减小外部光反射率，并且还包括具有高的导电率的导电区域dca以促进对从驱动器(未示出)接收的数据信号的传输。也就是说，由于数据信号布线510包括导电区域dca和氧化区域doa，因此可以能够在保持高的导电率的同时减小外部光反射率。
91.然而，氧化区域doa可以在第二布线层500接触另一导电层的接触区域处暴露导电区域dca的至少一部分，使得被接触区域暴露的导电区域dca和另一导电层(例如，像素电极600)可以彼此物理接触和/或电接触。在此情况下，另一导电层可以在接触区域中直接接触第二布线层500的导电区域dca，这促进了两个组件之间的接触。接触区域可以具有设置在其上以与接触区域叠置的另一组件，并且即使外部光在接触区域中被反射，外部光也可以因所述另一组件而不被从外部在视觉上感知。在这方面，可以能够去除覆盖导电区域dca的氧化区域doa的一部分，以暴露用于接触的导电区域dca。
92.导电区域dca可以包括第一导电金属层dcm1、第二导电金属层dcm2和第三导电金属层dcm3。第一导电金属层dcm1、第二导电金属层dcm2和第三导电金属层dcm3可以均包括金属，并且均具有比设置在氧化区域doa中的金属氧化物层dom1、dom2、dom3和dom4的导电率高的导电率。此外，第一导电金属层dcm1、第二导电金属层dcm2和第三导电金属层dcm3可以均具有比设置在氧化区域doa中的金属氧化物层dom1、dom2、dom3和dom4的光反射率高的光反射率。
93.第一导电金属层dcm1可以设置在有源层400上，第二导电金属层dcm2可以设置在第一导电金属层dcm1上，第三导电金属层dcm3可以设置在第二导电金属层dcm2上。也就是说，第二导电金属层dcm2可以设置在第一导电金属层dcm1与第三导电金属层dcm3之间。
94.第一导电金属层dcm1、第二导电金属层dcm2和第三导电金属层dcm3可以具有基本相同的形状，并且在平面图中彼此叠置。在图4中，第一导电金属层dcm1、第二导电金属层dcm2和第三导电金属层dcm3具有斜的侧表面。然而，第一导电金属层dcm1的侧表面、第二导电金属层dcm2的侧表面和第三导电金属层dcm3的侧表面可以彼此对齐。第一导电金属层dcm1的侧表面、第二导电金属层dcm2的侧表面和第三导电金属层dcm3的侧表面可以位于基本垂直于第一基体110延伸的同一条线上。
95.第一导电金属层dcm1和第三导电金属层dcm3可以包括相同的金属，第二导电金属
层dcm2可以包括与包括在第一导电金属层dcm1和第三导电金属层dcm3中的金属不同的金属。例如，第一导电金属层dcm1和第三导电金属层dcm3可以包括钛(ti)，第二导电金属层dcm2可以包括铜(cu)，但不限于此。
96.例如，第一导电金属层dcm1可以具有在等于或小于30nm的范围内的厚度，第二导电金属层dcm2可以具有在等于或大于300nm的范围内的厚度，第三导电金属层dcm3可以具有在等于或小于50nm的范围内的厚度，但不限于此。
97.氧化区域doa可以包括第一金属氧化物层dom1、第二金属氧化物层dom2、第三金属氧化物层dom3和第四金属氧化物层dom4。第一金属氧化物层dom1、第二金属氧化物层dom2、第三金属氧化物层dom3和第四金属氧化物层dom4可以具有比设置在导电区域dca中的第一导电金属层dcm1、第二导电金属层dcm2和第三导电金属层dcm3的光反射率和导电率低的光反射率和导电率。
98.第一金属氧化物层dom1可以设置在有源层400上，第二金属氧化物层dom2可以设置在第一金属氧化物层dom1上，第三金属氧化物层dom3可以设置在第二金属氧化物层dom2上。第二金属氧化物层dom2可以设置在第一金属氧化物层dom1与第三金属氧化物层dom3之间。
99.第一金属氧化物层dom1可以设置在第一导电金属层dcm1的侧表面上，第二金属氧化物层dom2可以设置在第二导电金属层dcm2的侧表面上，第三金属氧化物层dom3可以设置在第三导电金属层dcm3的侧表面上。也就是说，第一金属氧化物层dom1可以覆盖第一导电金属层dcm1的侧表面的至少一部分，第二金属氧化物层dom2可以覆盖第二导电金属层dcm2的侧表面的至少一部分，第三金属氧化物层dom3可以覆盖第三导电金属层dcm3的侧表面的至少一部分。
100.第一金属氧化物层dom1、第二金属氧化物层dom2和第三金属氧化物层dom3可以具有基本相同的形状，并且在平面图中彼此叠置。在图4中，第一金属氧化物层dom1、第二金属氧化物层dom2和第三金属氧化物层dom3具有斜的侧表面。然而，第一金属氧化物层dom1的侧表面、第二金属氧化物层dom2的侧表面和第三金属氧化物层dom3的侧表面可以彼此对齐。第一金属氧化物层dom1的侧表面、第二金属氧化物层dom2的侧表面和第三金属氧化物层dom3的侧表面可以位于基本垂直于第一基体110延伸的同一条线上。
101.第四金属氧化物层dom4可以设置在第三金属氧化物层dom3和第三导电金属层dcm3上。第四金属氧化物层dom4可以覆盖第三导电金属层dcm3的顶表面。第四金属氧化物层dom4的侧表面可以与第一金属氧化物层dom1的侧表面、第二金属氧化物层dom2的侧表面和第三金属氧化物层dom3的侧表面对齐。在图4中，第四金属氧化物层dom4具有斜的侧表面。然而，第四金属氧化物层dom4的侧表面可以与第一金属氧化物层dom1的侧表面、第二金属氧化物层dom2的侧表面和第三金属氧化物层dom3的侧表面位于基本垂直于第一基体110延伸的同一条线上。
102.在平面图中，第四金属氧化物层dom4可以与第一导电金属层dcm1、第二导电金属层dcm2和第三导电金属层dcm3以及第一金属氧化物层dom1、第二金属氧化物层dom2和第三金属氧化物层dom3叠置。然而，在平面图中，第四金属氧化物层dom4可以不与第一金属氧化物层dom1和第二金属氧化物层dom2叠置。
103.第一金属氧化物层dom1、第二金属氧化物层dom2和第三金属氧化物层dom3可以在
厚度(沿与每个金属氧化物层的侧表面垂直的方向的长度)上相等，但本公开的实施例不限于此。此外，第一金属氧化物层dom1、第二金属氧化物层dom2和第三金属氧化物层dom3中的每个的厚度可以等于第四金属氧化物层dom4的厚度(沿厚度方向(第三方向dr3)的长度)，但本公开不限于此。金属氧化物层dom1、dom2、dom3和dom4的厚度可以彼此不同或部分地相同。
104.第一金属氧化物层dom1、第二金属氧化物层dom2、第三金属氧化物层dom3和第四金属氧化物层dom4可以包括金属氧化物。第一金属氧化物层dom1和第三金属氧化物层dom3可以包括相同的材料，第二金属氧化物层dom2和第四金属氧化物层dom4可以包括相同的材料。第一金属氧化物层dom1和第三金属氧化物层dom3可以包括与包括在第二金属氧化物层dom2和第四金属氧化物层dom4中的材料不同的材料。例如，第一金属氧化物层dom1和第三金属氧化物层dom3可以包括氧化钛(tio
x
)，第二金属氧化物层dom2和第四金属氧化物层dom4可以包括氧化铜(cuo
x
)，但不限于此。
105.数据信号布线510可以包括多个层。数据信号布线510可以包括例如第一图案层dl1、第二图案层dl2、第三图案层dl3和第四图案层dl4。第一图案层dl1、第二图案层dl2、第三图案层dl3和第四图案层dl4可以顺序地设置在第一基体110(或第一基体110上的有源层400)上。
106.第一图案层dl1可以包括第一导电金属层dcm1和第一金属氧化物层dom1。第一金属氧化物层dom1可以围绕第一导电金属层dcm1。第二图案层dl2可以包括第二导电金属层dcm2和第二金属氧化物层dom2。第二金属氧化物层dom2可以围绕第二导电金属层dcm2。第三图案层dl3可以包括第三导电金属层dcm3和第三金属氧化物层dom3。第三金属氧化物层dom3可以围绕第三导电金属层dcm3。
107.第一导电金属层dcm1和第一金属氧化物层dom1可以包括相同的金属，第二导电金属层dcm2和第二金属氧化物层dom2可以包括相同的金属，第三导电金属层dcm3和第三金属氧化物层dom3可以包括相同的金属。第一金属氧化物层dom1、第二金属氧化物层dom2和第三金属氧化物层dom3还可以包括金属化合物。
108.例如，第一导电金属层dcm1和第一金属氧化物层dom1可以包括钛(ti)，第一金属氧化物层dom1可以进一步包括氧化钛(tio
x
)，但不限于此。第二导电金属层dcm2和第二金属氧化物层dom2可以包括铜(cu)，第二金属氧化物层dom2可以进一步包括氧化铜(cuo
x
)。第三导电金属层dcm3和第三金属氧化物层dom3可以包括钛(ti)，第三金属氧化物层dom3可以进一步包括氧化钛(tio
x
)。
109.第四图案层dl4可以包括第四金属氧化物层dom4。第四金属氧化物层dom4可以覆盖第三导电金属层dcm3的顶表面，但可以在其部分处暴露第三导电金属层dcm3的顶表面。
110.例如，当第一漏电极551和连接部分603通过第一接触孔h1彼此电连接和/或物理连接时，第四金属氧化物层dom4暴露第三导电金属层dcm3的一部分，使得连接部分603可以通过暴露区域直接接触第一漏电极551的第三导电金属层dcm3。也就是说，第四金属氧化物层dom4可以包括第一接触孔h1(例如，第一接触孔h1的一部分)。
111.此外，数据垫501可以暴露其第三导电金属层dcm3。也就是说，数据垫501可以不包括第四金属氧化物层dom4。也就是说，第四金属氧化物层dom4可以不设置在定位有数据垫501的区域中。然而，本公开不限于此，并且与第一漏电极551一样，数据垫501可以包括第四
金属氧化物层dom4，同时暴露其第三导电金属层dcm3的一部分。像素电极600还可以包括数据垫连接电极604，数据垫连接电极604可以直接接触数据垫501的第三导电金属层dcm3。数据垫连接电极604可以从数据驱动器(未示出)接收数据信号，并且将数据信号传输到数据信号布线510。
112.数据信号布线510可以包括导电金属层dcm1至dcm3和金属氧化物层dom1至dom4，金属氧化物层dom1至dom4可以覆盖导电金属层dcm1至dcm3以减小数据信号布线510的外部光反射率。此外，这也可以能够减小第二布线层500的外部光反射率，以改善显示装置1(见图1)的显示质量。此外，由于金属氧化物层dom1至dom4覆盖导电金属层dcm1至dcm3的侧表面以及顶表面，因此可以能够减小第二布线层500的外部光反射率而与视角无关，这可以带来显示装置1的显示质量的进一步改善。
113.参照图5，线a指当第二布线层500不包括金属氧化物层dom1至dom4时的反射率，线b指当第二布线层500包括金属氧化物层dom1至dom4时的可见光光谱波长的光的平均反射率，线c指当第二布线层500包括金属氧化物层dom1至dom4时的550nm的波长的光的反射率。将线b和线c与线a进行比较，可以看到的是，当金属氧化物层设置在第二布线层500的顶表面和侧表面上时，外部光反射率降低。
114.详细地，可以看到的是，在线a的情况下，第二布线层500反射77％的外部光，而在线b和线c的情况下，第二布线层500的外部光反射率比线a的情况的外部光反射率低。也就是说，如在线b和线c的情况中，当第二布线层500包括氧化区域doa时，这可以显著地减小外部光反射率。
115.在下文中，将参照图6至图9描述制造显示装置1(见图1)的方法。
116.图6至图9是示出根据实施例的制造显示装置1的方法的剖视图。
117.首先，参照图6，在第一基体110上顺序地沉积第一图案层材料层dl1a、第二图案层材料层dl2a、第三图案层材料层dl3a和第四图案层材料层dl4a。可以将图案层材料层dl1a、dl2a、dl3a和dl4a均沉积为覆盖第一基体110的全部表面。可以均以溅射方式沉积图案层材料层dl1a、dl2a、dl3a和dl4a，但本公开不限于此。
118.第一图案层材料层dl1a和第三图案层材料层dl3a可以包括相同的金属，第二图案层材料层dl2a和第四图案层材料层dl4a可以包括相同的金属。第一图案层材料层dl1a和第三图案层材料层dl3a与第二图案层材料层dl2a和第四图案层材料层dl4a可以包括不同的金属。例如，第一图案层材料层dl1a和第三图案层材料层dl3a可以包括钛(ti)，而第二图案层材料层dl2a和第四图案层材料层dl4a可以包括铜(cu)，但不限于此。
119.在沉积图案层材料层dl1a、dl2a、dl3a和dl4a之前，可以形成第一布线层200、第一绝缘层310和有源层400。图案层材料层dl1a、dl2a、dl3a和dl4a可以均覆盖有源层400，并且可以沉积在第一布线层200、第一绝缘层310和有源层400上。用于制造第一布线层200、第一绝缘层310和有源层400的方法是公知技术，因此在下文中省略其详细描述。
120.接下来，参照图7，将沉积为覆盖第一基体110的全部表面的第一图案层材料层dl1a、第二图案层材料层dl2a、第三图案层材料层dl3a和第四图案层材料层dl4a图案化。
121.详细地，可以使用一道掩模工艺来将图案层材料层dl1a、dl2a、dl3a和dl4a图案化。通过以下步骤来执行掩模工艺：在图案层材料层dl1a、dl2a、dl3a和dl4a上涂覆光致抗蚀剂层，通过曝光工艺和显影工艺对光致抗蚀剂层的一部分进行曝光和显影来形成光致抗
蚀剂图案pr，并且通过将光致抗蚀剂图案pr用作蚀刻掩模来对图案层材料层dl1a、dl2a、dl3a和dl4a中的每个进行蚀刻。接下来，通过剥离工艺或灰化工艺去除光致抗蚀剂图案pr，以形成与如图2至图4中示出的第二布线层500在平面图中具有基本相同的形状的图案。对图案层材料层dl1a、dl2a、dl3a和dl4a中的每个进行蚀刻的方法可以是各向同性蚀刻或各向异性蚀刻。当使用各向同性蚀刻时，图案化的图案层材料层dl1a、dl2a、dl3a和dl4a的侧表面可以具有斜的角度。当使用各向异性蚀刻时，可以将图案化的图案层材料层dl1a、dl2a、dl3a和dl4a的侧表面设置在垂直于第一基体110延伸的同一条线上。
122.可以使用一个掩模将如图2至图4中示出的第二布线层500的第一图案层材料层dl1a、第二图案层材料层dl2a、第三图案层材料层dl3a和第四图案层材料层dl4a图案化。此外，尽管在附图中未示出，但可以使用与用于将各个图案层材料层dl1a、dl2a、dl3a和dl4a图案化的掩模相同的掩模在将第二布线层500的第一图案层材料层dl1a、第二图案层材料层dl2a、第三图案层材料层dl3a和第四图案层材料层dl4a图案化时同时将有源层400图案化，在这种情况下，可以将图案层材料层dl1a、dl2a、dl3a和dl4a以及有源层400形成为在平面图中具有基本相同的形状。
123.接下来，参照图8和图9，可以将图案化的图案层材料层dl1a、dl2a、dl3a和dl4a氧化，以完全地形成如图2至图4中示出的具有导电区域dca和氧化区域doa的第二布线层500。
124.详细地，可以经由热处理工艺通过暴露于高温来将图案化的图案层材料层dl1a、dl2a、dl3a和dl4a部分地氧化。热处理工艺可以在有氧气的情况下执行。也就是说，可以将图案层材料层dl1a、dl2a、dl3a和dl4a均在含有氧气的气氛中暴露于高温。
125.随着热处理工艺进行，从外部提供氧，并且氧化可以在图案化的图案层材料层dl1a、dl2a、dl3a和dl4a的暴露的部分处开始。随着氧化进行，可以完全地形成包括氧化区域doa和导电区域dca的第二布线层500，氧化区域doa覆盖各个图案层材料层dl1a、dl2a、dl3a和dl4a的暴露的表面，导电区域dca被氧化区域doa覆盖。在氧化工艺期间，还可以将有源层400的暴露的侧表面氧化，以在有源层400的侧表面上形成氧化物层。
126.可以将图案化的第一图案层材料层dl1a、第二图案层材料层dl2a和第三图案层材料层dl3a的暴露的表面氧化，以形成第一导电金属层dcm1、第二导电金属层dcm2和第三导电金属层dcm3以及第一金属氧化物层dom1、第二金属氧化物层dom2和第三金属氧化物层dom3。可以将图案化之后的第四图案层材料层dl4a完全地氧化，以形成第四金属氧化物层dom4。此外，还可以将有源层400的暴露的侧表面氧化，以在有源层400的侧表面上形成氧化物层。
127.此外，可以经由热处理工艺通过将有源层400暴露于高温来将有源层400部分地氧化。可以将有源层400的暴露的表面氧化。
128.尽管第一图案层材料层dl1a和第三图案层材料层dl3a与第二图案层材料层dl2a和第四图案层材料层dl4a可以包括不同的金属，但可以能够通过调整热处理工艺的诸如温度、气氛等的工艺参数来使图案层材料层dl1a、dl2a、dl3a和dl4a的氧化速率均衡，使得可以将金属氧化物层dom1、dom2、dom3和dom4形成为具有基本相同的厚度。
129.之后，还可以对第四金属氧化物层dom4进行蚀刻，以暴露第三导电金属层dcm3和/或第三金属氧化物层dom3，从而形成接触孔h1和h2，但蚀刻方法是公知技术，并且在此省略其详细描述。
130.然而，将图案层材料层dl1a、dl2a、dl3a和dl4a中的每个氧化的方法不限于此，并且可以能够通过浸泡在过氧化氢(h2o2)溶液中或用氧气执行等离子体处理来将图案层材料层dl1a、dl2a、dl3a和dl4a氧化。
131.在下文中，将描述显示装置和制造显示装置的方法的其他实施例。在下面的实施例中，将省略或简化对与上述实施例的组件相同的组件的描述，并且将主要描述不同之处。
132.图10是根据另一实施例的包括在显示装置1(见图1)中的像素的布局图。图11是沿着图10的线xi-xi'截取的剖视图。
133.参照图10和图11，本实施例与图2的实施例的不同之处在于：像素pxa_1和pxb_1的第一布线层200与图2至图4的第二布线层500在层叠结构上基本相同。尽管为了便于解释，下面的描述涉及第一布线层200的栅极信号布线210_1，但本公开不限于此，并且描述可以适用于第一布线层200的其他部分。
134.详细地，根据本实施例的像素pxa_1和pxb_1的栅极信号布线210_1可以包括在导电率和光反射率上不同的导电区域gca和氧化区域goa。导电区域gca可以包括第一导电金属层gcm1、第二导电金属层gcm2和第三导电金属层gcm3。氧化区域goa可以包括第一金属氧化物层gom1、第二金属氧化物层gom2、第三金属氧化物层gom3和第四金属氧化物层gom4。此外，栅极信号布线210_1可以包括第一图案层gl1、第二图案层gl2、第三图案层gl3和第四图案层gl4。
135.栅极信号布线210_1的导电区域gca和氧化区域goa、导电金属层gcm1、gcm2和gcm3、金属氧化物层gom1、gom2、gom3和gom4以及图案层gl1、gl2、gl3和gl4可以分别与第二布线层500的导电区域dca和氧化区域doa、导电金属层dcm1、dcm2和dcm3、金属氧化物层dom1、dom2、dom3和dom4以及图案层dl1、dl2、dl3和dl4基本相同。
136.对相应的组件的详细描述已经在上面被做出，并且在下文中被省略。
137.在这种情况下，可以能够减小栅极信号布线210_1的外部光反射率，这可以带来显示质量的改善；还可以能够减小栅极信号布线210_1的外部光反射率而与视角无关，这可以带来显示装置1的显示质量的进一步改善。此外，可以能够减小第一布线层200的外部光反射率，这可以带来显示装置1的显示质量的进一步改善。
138.图12是根据又一实施例的显示装置1(见图1)的局部剖视图。图12示出了数据信号布线510_2的剖面。
139.参照图12，本实施例与图4的实施例的不同之处在于：数据信号布线510_2的第四图案层dl4可以包括第四导电金属层dcm4_2和第四金属氧化物层dom4_2。
140.详细地，根据本实施例的数据信号布线510_2可以包括第一图案层dl1、第二图案层dl2、第三图案层dl3和第四图案层dl4，在第一图案层dl1、第二图案层dl2、第三图案层dl3和第四图案层dl4之中，第一图案层dl1、第二图案层dl2和第三图案层dl3可以与图4的第一图案层dl1、第二图案层dl2和第三图案层dl3基本相同，而第四图案层dl4可以包括第四金属氧化物层dom4_2和第四导电金属层dcm4_2。
141.数据信号布线510_2的导电区域dca可以包括第一导电金属层dcm1、第二导电金属层dcm2、第三导电金属层dcm3和第四导电金属层dcm4_2，第四导电金属层dcm4_2可以设置在第三导电金属层dcm3上。第四金属氧化物层dom4_2可以覆盖第四导电金属层dcm4_2的顶表面和侧表面。也就是说，第四导电金属层dcm4_2可以被第四金属氧化物层dom4_2和第三
图案层dl3围绕。
142.在这种情况下，可以能够减小第二布线层500(见图2)的外部光反射率，这可以带来显示质量的改善；还可以能够减小第二布线层500(见图2)的外部光反射率而与视角无关，这可以能够带来显示装置1的显示质量的进一步改善。
143.图13是根据又一实施例的显示装置1(见图1)的局部剖视图。图14是解释制造图13的显示装置1的方法的剖视图。图15是示出根据包括在图13的第二布线层500中的第四金属氮化物层dom4_3的厚度的在可见光波段中的光反射率的示例的曲线图。
144.图13示出了数据信号布线510_3的剖面。在图15的曲线图中，x轴表示第四金属氮化物层dom4_3的厚度，y轴表示反射率。
145.参照图13和图14，本实施例与图4的实施例的不同之处在于：数据信号布线510_3包括氮化区域doa_3，氮化区域doa_3包括金属氮化物层dom1_3、dom2_3、dom3_3和dom4_3。
146.详细地，根据本实施例的数据信号布线510_3可以包括在导电率和光反射率上不同的导电区域dca和氮化区域doa_3。氮化区域doa_3可以覆盖导电区域dca。氮化区域doa_3可以设置在导电区域dca上，以覆盖导电区域dca的顶表面的至少一部分和/或导电区域dca的侧表面的至少一部分。氮化区域doa_3可以与图4的氧化区域doa在形状和图案上基本相同。
147.氮化区域doa_3可以包括第一金属氮化物层dom1_3、第二金属氮化物层dom2_3、第三金属氮化物层dom3_3和第四金属氮化物层dom4_3。金属氮化物层dom1_3、dom2_3、dom3_3和dom4_3可以与图4的相应的金属氧化物层dom1、dom2、dom3和dom4在层叠结构、形状和图案上基本相同。
148.可以用含氮气体通过等离子体处理而形成金属氮化物层dom1_3、dom2_3、dom3_3和dom4_3，但本公开不限于此。也就是说，根据参照图6和图7描述的制造方法，可以能够在将图案层材料层dl1a、dl2a、dl3a和dl4a图案化之后用含氮气体来执行等离子体处理，以形成如图13中示出的包括金属氮化物层dom1_3、dom2_3、dom3_3和dom4_3的氮化区域doa_3。还可以在图案化的有源层400的侧表面上形成氮化物。还可以对第一布线层200(见图2)执行等离子体处理，从而通过氮化物覆盖第一布线层200的侧表面。
149.进一步参照图15，线a指当第二布线层500不包括金属氮化物层dom1_3至dom4_3时的反射率，线d指当第二布线层500包括金属氮化物层dom1_3至dom4_3时的可见光光谱波长的光的平均反射率，线e指当第二布线层500包括金属氮化物层dom1_3至dom4_3时的550nm的波长的光的反射率。将线d和线e与线a进行比较，可以看到的是，当金属氮化物层设置在第二布线层500的顶表面和侧表面上时，外部光反射率降低。
150.当导电区域dca被氮化区域doa_3覆盖时，可以能够减小数据信号布线510_3(或图2中的第二布线层500)的外部光反射率。可以看到的是，在线a的情况下，第二布线层500反射77％的外部光，而在线d和线e的情况下，第二布线层500的外部光反射率比线a的情况的外部光反射率低。也就是说，如在线d和线e的情况下，当第二布线层500包括氮化区域doa_3时，这可以显著地减小外部光反射率。
151.也就是说，在这种情况下，可以能够减小第二布线层500(见图2)的外部光反射率，这可以带来显示质量的改善；还可以能够减小第二布线层500(见图2)的外部光反射率而与视角无关，这可以带来显示装置1(见图1)的显示质量的进一步改善。
152.图16是根据又一实施例的显示装置1(见图1)的局部剖视图。
153.参照图16，本实施例与图4的实施例的不同之处在于：构成数据信号布线510_4的导电区域dca和氧化区域doa形成为在剖视图中具有曲线的分界。
154.详细地，在根据本实施例的数据信号布线510_4中，第一导电金属层dcm1和第一金属氧化物层dom1_4可以形成为具有在剖视图中部分地弯曲的分界，第三导电金属层dcm3和第三金属氧化物层dom3_4可以形成为具有在剖视图中部分地弯曲的分界。
155.数据信号布线510_4的第一导电金属层dcm1与第一金属氧化物层dom1_4之间的分界可以在其下部处具有向下凸出的曲线，数据信号布线510_4的第三导电金属层dcm3与第三金属氧化物层dom3_4之间的分界可以在其上部处具有向上凸出的曲线。剖视图中的分界的曲线可以由于在将图7的图案化的图案层材料层dl1a、dl2a、dl3a和dl4a氧化的工艺中的暴露于氧气的差异而形成，但本公开不限于此。
156.此外，金属氧化物层dom1_4、dom2_4、dom3_4和dom4_4可以均具有不平坦的外表面。尽管在附图中仅示出了第二金属氧化物层dom2_4具有不平坦的表面，但本公开不限于此，并且金属氧化物层dom1_4、dom2_4、dom3_4和dom4_4可以均具有至少部分地包括不平坦的表面的表面。
157.也就是说，在这种情况下，可以能够减小第二布线层500(见图2)的外部光反射率，这可以带来显示质量的改善；还可以能够减小第二布线层500(见图2)的外部光反射率而与视角无关，这可以带来显示装置1的显示质量的进一步改善。
158.图17是根据又一实施例的显示面板10_5的剖视图。图18是图17的区域g的放大图。
159.参照图17和图18，本实施例与图1的实施例的不同之处在于：显示面板10_5是有机发光显示(oled)面板。
160.尽管在根据本实施例的显示面板10_5是作为自发光显示面板的示例的有机发光显示面板的假设下做出下面的描述，但本公开不限于此。自发光显示面板的示例可以包括无机电致发光(el)显示面板、量子点发光显示(qed)面板、微型led显示面板、纳米led显示面板、等离子体显示面板(pdp)、场发射显示(fed)面板和阴极射线管(crt)显示面板。
161.显示面板10_5可以包括基体基底sub1、缓冲层sub2、半导体层act、第一绝缘层il1、第一栅极导电层721(或第一信号布线)、第二绝缘层il2、第二栅极导电层722(或第二信号布线)、第三绝缘层il3、数据导电层723(或第三信号布线)、第四绝缘层il4、阳极电极ano、像素限定层pdl、发光层eml、阴极电极cat和封装层em，像素限定层pdl包括暴露阳极电极ano的开口，发光层eml设置在像素限定层pdl的开口中，封装层em设置在阴极电极cat上。上述层中的每个可以由单个层或者多个层的堆叠件组成。还可以在层之间设置其他层。例如，封装层em可以包括其中顺序地堆叠有第一无机封装层em1、有机封装层em2和第二无机封装层em3的多层堆叠结构。
162.像素限定层pdl可以包括暴露阳极电极ano的开口。发射区域ema和非发射区域nem可以通过像素限定层pdl和像素限定层pdl的开口而区分开。发光层eml设置在被像素限定层pdl暴露的阳极电极ano上。发光层eml可以包括有机材料层。发光层eml的有机材料层可以包括有机发光层。阴极电极cat可以设置在发光层eml上。阴极电极cat可以是遍及全部像素延伸的共电极。阳极电极ano、发光层eml和阴极电极cat可以构成有机发光元件。
163.有机发光元件可以发射不同的颜色的光。例如，每个有机发光元件可以发射红光、
蓝光和绿光中的一种，但不限于此。
164.第一栅极导电层721(或第一信号布线)可以与根据图4的实施例的数据信号布线510在层叠结构上相同。也就是说，第一栅极导电层721(或第一信号布线)可以包括导电区域dca和氧化区域doa，导电区域dca包括导电金属层dcm1_5、dcm2_5和dcm3_5，氧化区域doa包括金属氧化物层dom1_5、dom2_5、dom3_5和dom4_5。这些组件也可以与图4的数据信号布线510的组件在布置和层叠结构上相同。因此，在下文中省略其详细描述。
165.此外，尽管描述和附图涉及第一栅极导电层721(或第一信号布线)，但本公开不限于此。第一栅极导电层721(或第一信号布线)、第二栅极导电层722(或第二信号布线)和数据导电层723(或第三信号布线)中的至少一个(条)可以与根据图4的实施例的数据信号布线510在层叠结构上基本相同。
166.在这种情况下，可以能够减小信号布线721、722和723中的每条的外部光反射率，这可以带来显示质量的改善；还可以能够减小信号布线721、722和723中的每条的外部光反射率而与视角无关，这可以带来显示装置的显示质量的进一步改善。
167.图19是根据又一实施例的显示面板10_6的剖视图。
168.参照图19，本实施例与图17的实施例的不同之处在于：显示面板10_6还包括对入射光的颜色进行转换的颜色控制结构。
169.详细地，根据本实施例的显示面板10_6可以包括像素px，每个像素px包括负责发射红光的第一子像素pxs_1、负责发射绿光的第二子像素pxs_2和负责发射蓝光的第三子像素pxs_3。每个像素px可以设置有一个第一子像素pxs_1、一个第二子像素pxs_2和一个第三子像素pxs_3。
170.显示面板10_6可以包括第一显示基底11_6、第二显示基底12_6和填充层70，第一显示基底11_6和第二显示基底12_6彼此面对，填充层70填充第一显示基底11_6与第二显示基底12_6之间的空间。
171.第一显示基底11_6可以包括用于显示图像的元件和电路(例如，诸如开关元件的像素电路、像素限定层pdl和自发光元件)。第一显示基底11_6可以与参照图17和图18描述的显示面板10_5基本相同。然而，第一显示基底11_6不限于此，并且每个有机发光元件(自发光元件)可以发射蓝光。
172.第二显示基底12_6可以包括用于对入射光的颜色进行转换的颜色控制结构(例如，波长转换层wcl1和wcl2以及透光层tpl)。颜色控制结构(例如，波长转换层wcl1和wcl2以及透光层tpl)可以用于控制入射光的波长，并且由此对入射光的颜色进行转换。在实施例中，第二显示基底12_6可以包括分别与第一显示基底11_6的发射区域ema1、ema2和ema3以及非发射区域nem对应的透射区域ta1、ta2和ta3以及阻光区域ba。
173.第二显示基底12_6可以包括滤色器层cfl、低折射率层lrl、第一盖层cpl1、堤层mbm、波长转换层wcl1和wcl2、透光层tpl以及第二盖层cpl2，滤色器层cfl用于阻挡与每个子像素pxs的对应的颜色不同的颜色的光的发射，低折射率层lrl用于使光的至少一部分再循环，堤层mbm界定子像素pxs，波长转换层wcl1和wcl2用于对从发光层eml发射的光的波长进行转换，透光层tpl用于直接透射从发光层eml发射的光。在实施例中，波长转换层wcl1和wcl2以及透光层tpl可以分别与第一子像素pxs_1、第二子像素pxs_2和第三子像素pxs_3对应。例如，波长转换层wcl1和wcl2以及透光层tpl可以与第一显示基底11_6的发射区域
ema1、ema2和ema3叠置，并且可以与第二显示基底12_6的透射区域ta1、ta2和ta3叠置。在实施例中，堤层mbm可以设置在波长转换层wcl1和wcl2以及透光层tpl之间，并且与第一显示基底11_6的非发射区域nem和第二显示基底12_6的阻光区域ba叠置。例如，第一开口op1、第二开口op2和第三开口op3可以设置在波长转换层wcl1和wcl2以及透光层tpl之间并设置为与第一显示基底11_6的非发射区域nem和第二显示基底12_6的阻光区域ba叠置，堤层mbm可以设置在第一开口op1、第二开口op2和第三开口op3中。在实施例中，滤色器层cfl可以包括分别与第一子像素pxs_1、第二子像素pxs_2和第三子像素pxs_3对应的第一滤色器cfl_1、第二滤色器cfl_2和第三滤色器cfl_3。
174.第一滤色器cfl_1、第二滤色器cfl_2和第三滤色器cfl_3可以设置在阻光区域ba中。在阻光区域ba中，第一滤色器cfl_1、第二滤色器cfl_2和第三滤色器cfl_3可以彼此叠置。例如，在阻光区域ba中，第三滤色器cfl_3可以设置在第二基体130上，第一滤色器cfl_1可以设置在第三滤色器cfl_3上，第二滤色器cfl_2可以设置在第一滤色器cfl_1上。
175.波长转换层wcl1和wcl2以及透光层tpl可以包括基体树脂brs1、brs2和brs3以及散射体scp，散射体scp用于通过对光进行散射来调整出射角并且/或者增大波长转换效率。波长转换层wcl1和wcl2还可以包括用于对光的波长进行转换的波长转换材料wcp1和wcp2。
176.在这种情况下，可以能够减小包括在显示面板10_6中的每条信号布线的外部光反射率，这可以带来显示质量的改善；还可以能够减小每条信号布线的外部光反射率而与视角无关，这可以带来显示装置的显示质量的进一步改善。
177.在详细描述的最后，本领域技术人员将理解的是，在实质上不脱离本公开的原理的情况下，可以对优选实施例做出许多变化和修改。因此，发明构思的公开的优选实施例仅以一般的和描述性的含义来使用，而不是出于限制的目的。