包括干涉滤波器阵列的图像传感器的制作方法

1.本公开涉及一种包括干涉滤波器阵列的图像传感器，以及一种制造这种图像传感器的方法。


背景技术：

2.形成可见光、红外(特别地对于从650nm到1050nm的波长)和/或紫外范围内的干涉滤波器阵列(特别是用于图像传感器(也称为成像器)的干涉滤波器阵列)是众所周知的，这需要分离多个频率范围。这种滤波器阵列也被称为像素化滤波器、滤波器像素或基本滤波器(对应于具有相同滤波特性的滤波器的最小元件)。
3.像素化滤波器的应用的示例对应于包括能够获取彩色图像和红外图像的传感器的设备。像素化滤波器然后可以包括让可见光通过并阻挡红外辐射的第一滤波器像素和让红外辐射(特别是近红外)通过并阻挡可见光的第二滤波器像素。
4.适于获取彩色图像和红外图像的传感器的应用的示例是所谓的rgb-z滤波器，其中红外图像用于深度测量。红外图像可以通过将降低的光谱带中(例如850nm处、905nm处、940nm处等)的红外辐射投射到要被成像的场景中而获得、具有减小的光谱带。
5.在图像传感器中，像素化滤波器通常覆盖其中形成有光电检测器阵列的基板。干涉滤波器由多层的堆叠形成。例如，干涉滤波器可以包括由介电层和/或具有不同折射率(在下文中也称为光学折射率)的介电层的交替分离的半反射金属层的堆叠。滤波层的厚度取决于所期望的滤波特性。
6.图像传感器还可以在基板中包括位于光电检测器之间的除了光电检测器之外的电子组件，特别是存储器元件和晶体管。基板包括前侧和背侧，光电检测器和其他电子元件组件在基板的前侧上。当在基板的背侧上执行基板的照射时，图像传感器被称为背照式(back-side illuminated，bsi)，像素化滤波器覆盖基板的背侧。
7.有必要保护除了光电检测器以外的电子组件免受入射辐射的影响，以确保它们的正确操作。然而，在基板的背侧上形成屏蔽件将以保护除光电检测器之外的电子组件免受入射辐射的影响可能干扰像素化滤波器的制造。


技术实现要素：

8.因此，实施例的目的是至少部分克服先前描述的图像传感器和制造方法的缺点。
9.实施例的另一目的是图像传感器包括在图像传感器的照射期间受保护的除了光电检测器之外的电子组件。
10.实施例的另一目的是图像传感器被背照式的。
11.实施例提供了一种图像传感器，包括：
12.基板，该基板包括第一部分和第二部分，所述第一部分包含适于捕获辐射的光电检测器，所述第二部分包含位于第一部分中的一些之间的电子组件；
13.像素化滤波器，该像素化滤波器包括滤波器像素，所述滤波器像素具有包括干涉
滤波器的至少特定的组件，该干涉滤波器包括平面层的堆叠；以及屏蔽件，这些屏蔽件反射或吸收所述辐射、覆盖第二部分、并且包括反射或吸收所述辐射的壁，这些壁在像素化滤波器的高度的至少一部分内在滤波器像素之间延伸。
14.根据实施例，像素化滤波器包括第一和第二相对表面，这些壁从第一表面延伸到第二表面并界定滤波器像素。
15.根据实施例，图像传感器包括搁置在第二表面上的透镜阵列，像素化滤波器被插入在基板和透镜阵列之间，第一表面在基板侧上并且第二表面在透镜侧上，透镜的焦平面对应于第二表面的500nm内。
16.根据实施例，壁至少部分是金属的。
17.根据实施例，滤波器像素被分布成第一滤波器像素和第二滤波器像素，每个第一滤波器像素包括第一干涉滤波器。
18.根据实施例，传感器包括被插入在第一滤波器像素和透镜之间的彩色滤波器，该彩色滤波器至少包括第一彩色滤波器和第二彩色滤波器，该第一彩色滤波器适于仅让第一波长范围内的可见光通过，该第二彩色滤波器适于仅让不同于第一波长范围的第二波长范围内的可见光通过。
19.根据实施例，每个第一滤波器像素包括覆盖第一干涉滤波器的第一介电块。
20.根据实施例，每个第二滤波器像素包括第二介电块，该第二介电块具有大于或等于第一干涉滤波器的厚度的厚度。
21.根据实施例，每个第二滤波器像素包括覆盖第二介电块的第二干涉滤波器。对于第二滤波器像素中的至少一个，第二滤波器像素的第二介电块插入在两个第一滤波器像素的第一干涉滤波器之间，并且第二滤波器像素的第二干涉滤波器被插入在两个第一滤波器像素的第一介电块之间。
22.根据实施例，每个第一干涉滤波器包括在可见范围内具有第一折射率的第一介电材料的第一介电层和在可见范围内具有小于第一折射率的第二折射率的第二介电材料的第二介电层的交替。
23.根据实施例，每个第二干涉滤波器包括在红外范围内具有第三折射率的第三介电材料的第三介电层和在红外范围内具有小于第三折射率的第四折射率的第四介电材料的第四介电层的交替。
24.根据实施例，干涉滤波器的平面层与壁接触。
25.实施例还提供了一种制造诸如上文定义的图像传感器的方法，包括以下步骤：
26.a)在基板上沉积具有干涉滤波器的结构的介电层的堆叠；以及
27.b)在堆叠中形成壁。
28.根据实施例，滤波器像素被分布成第一滤波器像素和第二滤波器像素，该方法包括以下步骤：
29.c)蚀刻该堆叠，以从第二滤波器像素的位置去除堆叠，并将干涉滤波器保持在第一滤波器像素的位置处；
30.d)在干涉滤波器上和干涉滤波器之间沉积具有大于堆叠的厚度的厚度的绝缘层；以及
31.e)蚀刻干涉滤波器上的绝缘层的至少一部分。
附图说明
32.前述特征和优点以及其他特征和优点将在以下通过说明而非限制的方式给出的具体实施例的描述中参照附图进行详细描述，在附图中：
33.图1是包括像素化干涉滤波器的图像传感器的实施例的部分简化截面图；
34.图2是图1的沿着第一截面平面的图像传感器的部分简化俯视截面图；
35.图3是图1的沿着第二截面平面的图像传感器的部分简化俯视截面图；
36.图4是包括像素化干涉滤波器的图像传感器的另一实施例的部分简化截面图；
37.图5是包括像素化干涉滤波器和微透镜阵列的图像传感器的另一实施例的部分简化截面图；
38.图6是图5的图像传感器的局部简化俯视图；
39.图7是包括像素化干涉滤波器和微透镜阵列的图像传感器的另一实施例的部分简化截面图；
40.图8是包括像素化干涉滤波器和微透镜阵列的图像传感器的另一实施例的部分简化截面图；
41.图9a是在制造图1中示出的图像传感器的方法的实施例的步骤处获得的结构的局部简化截面图；
42.图9b示出了该方法的另一步骤；
43.图9c示出了该方法的另一步骤；以及
44.图9d示出了该方法的另一步骤。
具体实施方式
45.在不同的附图中，相同的特征由相同的附图标记表示。特别地，各种实施例之间共同的结构和/或功能特征可以具有相同的附图标记，并且可以设置相同的结构、尺寸和材料特性。为了清楚起见，仅详细示出和描述了对理解本文描述的实施例有用的步骤和元素。特别地，用于处理由下文描述的传感器供应的信号的装置在本领域技术人员的能力范围内，并且不再对其进行描述。
46.在以下描述中，当提及限定绝对位置(诸如术语“前部”、“后部”、“顶部”、“底部”、“左部”、“右部”等)或相对位置(诸如术语“上方”、“下方”、“上部”、“下部”等)的术语、或提及限定方向的术语(诸如术语“水平”、“竖直”等)时，它指的是附图的取向或指的是处于正常使用位置的光电设备。除非另有说明，否则表述“大约”、“近似”、“基本上”和“在
……
的量级”表示在10％以内，并且优选地在5％以内。进一步，“基本平面”的表面是相对于表面的平均平面没有厚度大于500nm的凸起的或凹陷的区域的表面。此外，在以下描述中，术语传感器元件的“侧向大小”或“尺寸”指代这个元件在垂直于形成传感器的层的堆叠方向的平面中的最大尺寸。进一步，在此认为术语“绝缘”和“传导”分别表示“电绝缘”和“导电”。
47.在下面的描述中，材料的折射率是指在干涉滤波器的操作波长范围内材料的折射率基本恒定的情况下材料在干涉滤波器的操作波长范围内的折射率，或者是指在材料的折射率在干涉滤波器的操作波长范围内变化的情况下材料在干涉滤波器的操作波长范围内的平均折射率。进一步，在下面的描述中，“彩色滤波器”指代由具有通过材料中光的选择性整体吸收进行光谱滤波的特性的单个材料(例如有机树脂)制成的均匀层。进一步，术语“可
见光”或“可见光范围”指代具有在约400nm至约700nm的范围内的波长的辐射。
48.图1、图2和图3示出了对应于图像传感器的光电设备10的实施例。图1是图2和图3沿线a-a的截面图，图2是图1沿线b-b的截面图，以及图3是图1沿线c-c的截面图。图像传感器可以是彩色和红外传感器。
49.光电设备10包括例如由硅制成的具有背侧14的基板12、搁置在基板12的表面14上的像素化滤波器20，该滤波器20在图3中未示出。光电设备10可以包括插入在基板12和像素化滤波器20之间、覆盖表面14的介电层15、两个介电层或两个以上的介电层。光电设备10可以包括在基板12中延伸并界定基板12的第一和第二部分18、19的电绝缘沟槽16。
50.在第一部分18(下文称为感光点(photosite))中的每一个中，光电设备10可以包括形成在感光点18中的至少一个光子传感器或光电检测器ph，光电检测器ph在图1中以虚线通过正方形非常示意性地示出。在第二部分19中，光电设备10可以包括未示出的至少部分形成在第二部分中的电子组件。电子组件可以包括存储器元件和/或晶体管，特别是绝缘栅场效应晶体管或mos晶体管。
51.在本实施例中，像素化滤波器20包括第一和第二滤波器像素pf
ircut
和pf
irbp
。在本实施例中，每个第一滤波器像素pf
ircut
包括干涉滤波器ircut，该干涉滤波器包括具有高折射率n
h1
的第一介电材料的层21和具有小于高折射率n
h1
的低折射率n
b1
的第二介电材料的层22的交替，其中层21可以具有不同的厚度，并且层22可以具有不同的厚度。优选地，所有干涉滤波器ircut具有相同的结构。折射率n
h1
可以在从1.8至2.5的范围内。折射率n
b1
可以在从1.3至2.5的范围内。在本实施例中，每个第二滤波器像素pf
irbp
对应于介电块23。
52.光电设备10还包括在可见光和红外光下是吸收性或反射性的壁40，该壁在像素化滤波器20中延伸并覆盖第二部分19。在本实施例中，壁40延伸穿过像素化滤波器20的沿着设备10的堆叠方向测量的整个厚度。优选地，壁40在可见光和红外光下是反射性的。壁40可以是金属的或者包括具有通常大于50nm的厚度的金属涂层。金属可以是钨、铜、铝、银或这些金属的混合物或合金。壁40可以不与基板12接触，介电层15的至少一部分插入在壁40和基板12之间，如图1所示。优选地，干涉滤波器ircut的层21和22基本上是平面的，并且与壁40接触。
53.壁40形成了保护存在于基板12的部分19中的电子组件免受在没有壁40的情况下会到达表面14的辐射的屏蔽件。
54.光电设备10可以包括覆盖表面14、插入在基板12和像素化滤波器20之间的一个或多个介电层(未示出)，特别地包括钝化层和/或抗反射层。
55.图4是对应于图像传感器的光电设备50的另一实施例的类似于图1的局部简化截面图。光电设备50包括光电设备10的所有元件，不同之处在于每个壁40仅在像素化滤波器20的沿着堆叠方向测量的厚度的一部分内延伸。然后，每个壁40在像素化滤波器20的剩余厚度内覆盖有介电块41。
56.图5和图6示出了对应于图像传感器的光电设备60的实施例，图5是图2沿线a-a的截面图。图像传感器可以是彩色和红外传感器。
57.光电设备60包括光电设备10的所有元件，并且还包括搁置在像素化滤波器20上的微透镜32的阵列30(仅在图5中示出)。
58.在本实施例中，壁40为每个感光点18界定滤波器像素pf
ircut
和pf
irbp
。这意味着壁
40覆盖部分19，但是还存在以在感光点18之间分离滤波器像素pf
ircut
和pf
irbp
，而不覆盖基板12的部分19。
59.光电设备60还可以包括搁置在像素化干涉滤波器20上并插入在像素化干涉滤波器20和微透镜32之间的彩色滤波器，特别是红色滤波器r、绿色滤波器g、蓝色滤波器b和红外滤波器ir。r、g、b彩色滤波器和ir红外滤波器在下文中被称为单块滤波器。根据实施例，r、g和b彩色滤波器覆盖第一滤波器像素pf
ircut
，并且ir红外滤波器覆盖第二滤波器像素pf
irbp
。作为变体，可以不存在r、g和b彩色滤波器，仅存在ir红外滤波器。光电设备60还可以包括平坦化层34，该平坦化层插入在r、g、b、ir单块滤波器和微透镜32的阵列30之间、包括其上搁置有微透镜32的阵列30的基本平坦的表面36。
60.根据实施例，对于微透镜，每个微透镜32的焦距在200nm至1500nm的范围内。根据实施例，每个微透镜32的图像焦平面位于像素化滤波器20的与r、g、b、ir单片滤波器接触的表面上、500nm内。有利的是，微透镜32的图像焦平面比其位于基板12的表面14上的情况下更靠近微透镜32。因此，即使在微透镜32的侧向尺寸小于5μm，优选地小于2μm的情况下，微透镜32的制造也变得容易。
61.当壁40是反射性的时，到达每个滤波器像素的辐射通过在壁40上进行反射而被引导通过滤波器像素pf
ircut
或pf
irbp
，一直到覆盖有滤波器像素的感光点18。因此防止了相邻感光点之间的光学串扰。进一步，入射辐射损失被减少。当壁40是吸收性的时，可能发生入射辐射损失。然而，防止了相邻感光点之间的光学串扰。
62.根据实施例，第一滤波器像素pf
ircut
透射可见光，并且对于大于在从630nm至750nm的范围内的阈值的波长，基本上不透射红外辐射。根据本实施例，第二滤波器像素pf
irbp
透射可见光和红外辐射。
63.光电检测器ph可以能够检测不同波长范围内的辐射，也可以能够检测相同波长范围内的辐射。在最后这种情况下，只有滤波器像素pf
ircut
和pf
irbp
以及r、g、b、ir单片滤波器的存在才能检测不同波长范围内的辐射。然后，每个滤波器像素pf
ircut
和pf
irbp
然后可以覆盖传感器的至少一个光电检测器ph，并且与相关联的r、g、b、ir单片滤波器一起，对到达传感器的入射辐射起到带通滤波器的作用，以供应适合于由相关联的光电检测器检测的波长范围的辐射。每个滤波器像素pf
ircut
或pf
irbp
的侧向尺寸可以基本上等于被这个滤波器像素覆盖的感光点18的侧向尺寸。滤波器像素和单片滤波器的布局可以遵循感光点的布局。
64.根据实施例，每个第一滤波器像素pf
ircut
覆盖有r、g、b滤波器当中的彩色滤波器，从而让不同波长范围内的可见光通过。根据实施例，每个第二滤波器像素pf
irbp
覆盖有红外滤波器ir，从而让红外辐射通过。根据实施例，光电设备60包括覆盖第一滤波器像素pf
ircut
并且对于可见光仅让红色波长(特别是从580nm至700nm的范围内的波长)通过的第一r彩色滤波器。根据实施例，光电设备60包括覆盖第一滤波器像素pf
ircut
并且对于可见光仅让绿色波长(特别是从470nm至590nm的范围内的波长)通过的第二g彩色滤波器。根据实施例，光电设备60包括覆盖第一滤波器像素pf
ircut
并且对于可见光仅让蓝色波长(特别是从380nm至500nm的范围内的波长)通过的第三b彩色滤波器。根据实施例，光电设备60包括覆盖第二滤波器像素pf
irbp
并阻挡可见光、并且特别地让在从750nm至3000nm的范围内的波长的辐射通过的ir红外滤波器。
65.像素化滤波器20的厚度可以在从0.5μm到4μm(优选地从1μm到3μm)的范围内。每个
介电块23可以具有沿着堆叠方向测量的与干涉滤波器ircut的厚度基本相同的厚度。根据另一实施例，每个第一滤波器像素pf
ircut
还包括覆盖有干涉滤波器ircut的介电层(未示出)。在这种情况下，每个介电块23然后可以具有沿着堆叠方向测量的与干涉滤波器ircut的厚度和介电层的厚度的总和基本相同的厚度。
66.第一介电材料可以选自包括以下的组：氮化硅(sin)，氧化铪(hfo
x
)，氧化铝(alo
x
)，铝、氧和氮的合金(alo
x
ny)，硅、氧、碳和氮的合金(sio
xcy
nz)，氮化硅(sin
x
)，氧化铌(nbo
x
)，氧化钽(tao
x
)，氧化钛(tio
x
)以及这些化合物中的至少两种的混合物。
67.第二介电材料可以选自包括以下的组：二氧化硅(sio2)，氟化镁(mgf2)，氧化硅(sio
x
)，氮氧化硅(sio
x
ny)，氧化铪(hfo
x
)，氧化铝(alo
x
)，由铝、氧和氮制成的膜(alo
x
ny)，由硅、氧、碳和氮制成的膜(sio
xcy
nz)，氮化硅(sin
x
)以及这些化合物中的至少两种的混合物。形成第二滤波器像素pf
irbp
的介电块23可以由第二电介质材料制成。
68.根据实施例，每个r、g、b滤波器对应于彩色树脂块，并且每个ir滤波器对应于黑色树脂块。
69.根据实施例，感光点18可以具有不同的侧向尺寸。如图2所示，在俯视图中，覆盖有红外滤波器ir的每个感光点18具有基本上等于覆盖有r、g或b彩色滤波器中的一个的感光点18的表面积的四倍的表面积。根据实施例，覆盖有r、g或b彩色滤波器中的一个的每个感光点18在俯视图中具有内切在边长小于5μm、优选地小于2μm的正方形内的表面积。
70.根据实施例，微透镜32根据r、g、b、ir单块滤波器而具有不同的形状。作为示例，图5、图7和图8示出了与ir红外滤波器相关联的微透镜32比与其他r、g和b彩色滤波器相关联的微透镜32更厚。
71.每个感光点18可以包括光电检测器ph、两个光电检测器ph或多于两个光电检测器ph。在图1和2中示出的实施例中，每个感光点18包括单个光电检测器ph。根据实施例，光电检测器ph可以具有不同的侧向尺寸。如图1所示，覆盖有ir红外滤波器的感光点18的每个光电检测器ph具有比覆盖有r、g或b彩色滤波器中的一个的感光点18的光电检测器ph更大的侧向尺寸。根据另一实施例，光电检测器ph可以具有相同的尺寸。在这种情况下，当感光点18不具有相同的尺寸时，每个感光点18的光电检测器ph的数量可能不恒定。作为示例，覆盖有ir红外滤波器的每个感光点18可以包括一个以上的光电检测器ph，而覆盖有r、g或b彩色滤波器的每个感光点18可以包括单个光电检测器ph。特别地，覆盖有红外滤波器的每个感光点18优选地包括与存在的不同类型的r、g、b彩色滤波器一样多的光电检测器ph。
72.根据另一实施例，感光点18和r、g、b和ir单块滤波器可以具有相同的侧向尺寸。微透镜32然后可以对于所有的r、g、b、ir单块滤波器具有相同的结构。
73.图7是对应于图像传感器的光电设备70的另一实施例的局部简化截面图。光电设备70包括图5和6中示出的光电设备60的所有元件，不同之处在于覆盖部分19的壁40包括两个侧向壁42和在两个侧向壁40之间延伸的覆盖件44。根据实施例，每个壁42延伸穿过像素化滤波器20的整个厚度，并且覆盖件44在每个壁42的与基板12相对的端部之间延伸。壁40可以通过蚀刻像素化滤波器20中的沟槽来形成。本实施例的优点在于，在像素化滤波器20中蚀刻的用于形成壁40的所有沟槽具有相同的侧向尺寸。
74.图8是对应于图像传感器的光电设备80的另一实施例的局部简化截面图。光电设备80包括图5和图6中示出的光电设备60的所有元件，不同之处在于每个第一滤波器像素
pf
ircut
还包括覆盖干涉滤波器ircut的介电块24，并且每个第二滤波器像素pfirbp还包括覆盖介电块23的干涉滤波器irbp。
75.每个干涉滤波器irbp包括具有高折射率n
h2
的第三介电材料的层25和具有比高折射率n
h2
小的低折射率n
b2
的第四介电材料的层26的交替，其中层25可以具有不同的厚度，并且层26可以具有不同的厚度。优选地，所有干涉滤波器irbp具有相同的结构。折射率n
h2
可以在从1.8至4.5的范围内。折射率n
b2
可以在从1.3至2.5的范围内。
76.第三介电材料可以选自包括以下的组：非晶硅(asi)、氢化非晶硅(asih)以及这些化合物的混合物。根据实施例，第二和第四材料是相同的。
77.根据实施例，第二滤波器像素pf
irbp
可以基本上透射具有在从10nm到100nm的范围内的宽度的单个波长范围内的红外辐射。
78.根据实施例，覆盖每个第二滤波器像素pf
irbp
的ir滤波器由黑色树脂制成。该滤波器有利地能够阻挡处于小于约800nm的波长的辐射，并简化干涉滤波器irbp的设计。然而，根据另一实施例，ir滤波器可以用对可见光至少部分透明的树脂代替。
79.每个介电块24的厚度可以等于干涉滤波器irbp的厚度。根据另一实施例，每个第二滤波器像素pf
irbp
还包括覆盖干涉滤波器irbp的介电层(未示出)。在这种情况下，每个介电块24然后可以具有沿着堆叠方向测量的与干涉滤波器irbp的厚度和这个介电层的厚度的总和基本相同的厚度。
80.有利地，在其中每个微透镜32的焦像平面位于像素化滤波器20的与r、g、b、ir单片滤波器接触的表面上的情况下，微透镜32的尺寸不依赖于沿着像素化干涉滤波器20的堆叠方向测量的厚度。因此，即使图3中示出的光电设备50的像素化干涉滤波器20的厚度大于图1和图2中示出的光电设备10的像素化干涉滤波器20的厚度，微透镜32的尺寸，特别是光电设备80的微透镜32的焦距，也可以与光电设备60的微透镜32的尺寸相同。
81.图9a至图9d是在制造图1中示出的图像传感器的方法的实施例的连续步骤处获得的结构的局部简化截面图。
82.图9a示出了在基板12的整个表面14上方沉积介电层15和沉积具有第一干涉滤波器pf
ircut
的期望结构的介电层的堆叠90之后获得的结构。
83.图9b示出了在第二滤波器像素pf
irbp
的期望位置的水平处蚀刻堆叠90以仅将滤波器ircut保持在第一滤波器像素pf
ircut
的位置处以及在干涉滤波器ircut上和干涉滤波器ircut之间的基板12上沉积由形成块23的材料制成的介电层92之后获得的结构。介电层92的厚度大于或等于干涉滤波器ircut的厚度。
84.图9c示出了在平坦化步骤(例如化学机械抛光(chemical-mechanical polishing，cmp))(这导致从第一干涉滤波器ircut去除介电层92以仅保持第二滤波器像素pf
irbp
的块23)之后获得的结构。在本实施例中，干涉滤波器ircut的顶部处的最后一层可以起到平坦化步骤的停止层的作用。
85.图9d示出了壁40形成后获得的结构。这可以包括在壁40的期望位置的水平处蚀刻堆叠90中的沟槽94，并利用形成壁40的一种或多种材料填充沟槽。
86.有利地，壁40在堆叠90形成之后形成。因此，堆叠90可以形成在基本平坦的表面14上。如果在堆叠90的形成之前在表面14上形成了保护部分19的屏蔽件，屏蔽件的存在可能会干扰堆叠90的形成。事实上，由于堆叠层是共形沉积的，在屏蔽件上形成阶梯(steps)，因
此会较差地限定干涉滤波器ircut的轮廓。进一步，难以在第二滤波器像素pf
irbp
的位置处蚀刻堆叠90，这些阶梯导致对堆叠90的层的蚀刻的结束时的错误检测。
87.在先前结合图9b描述的步骤中，堆叠90没有在电子组件的位置处被蚀刻，使得在先前结合图9d描述的步骤处形成壁40包括蚀刻堆叠90的步骤。作为变型，在先前结合图9b描述的步骤处，堆叠90也在电子组件的位置处被蚀刻，使得在先前结合图9c描述的步骤处，块23也在要保护的电子组件的位置上延伸。在先前结合图9d描述的步骤处壁40的形成然后包括蚀刻块23的步骤。特别地，在形成壁40之后，形成块23的材料的一部分可以存在于块23和第一滤波器像素pf
ircut
之间。作为变型，在先前结合图9b描述的步骤中，堆叠90仅在要保护的电子组件的位置的一部分上方进行蚀刻，使得，在先前结合图9c描述的步骤中，块23也在要保护的电子部件的位置的剩余部分上方延伸。在先前结合图9d描述的步骤中，壁40的形成然后包括在堆叠90和块23中蚀刻沟槽94的步骤。
88.已经描述了各种实施例和变型。本领域技术人员将理解，可以组合这些实施例的某些特征，并且本领域技术人员将容易想到其他变型。特别地，尽管在前述实施例中，壁40是在形成第一和第二滤波器像素pf
ircut
和pf
irbp
之后形成的，但是壁40可以在形成第一滤波器像素pf
ircut
之后并且形成第二滤波器像素pf
irbp
之前形成。最后，基于上文给出的功能指示，所描述的实施例和变型的实际实施方式在本领域技术人员的能力范围内。